Аппарат для электрорефлексотерапии

Особенности воздействия микротоков на биологические процессы в организме. Структурна схема аппарата для электрорефлексотерапии. Выбор и расчет аналого-цифрового преобразователя и микропроцессора. Анализ точности и нормирование суммарных погрешностей.

Рубрика Медицина
Вид курсовая работа
Язык русский
Дата добавления 08.10.2014
Размер файла 3,1 M

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.

В качестве демультиплексора был выбран аналоговый низкоомный ключ производителя MAXIM, его технические характеристики представлены в таблице 3.7.

Таблица 3.7 - Технические характеристики демультиплексора MAX 4625

Сопротивление открытого состояния

1 ± 0,15 Ом при напряжения питания +5 В

Защита от перегрузки по току

есть

Диапазон напряжения питания

+ 1,8 …+ 5,5 В

Максимальное время переключения

50 нс

Максимальный ток передачи

± 400 мА

Рабочая температура

-40…+85 0С

На рисунке 3.6 отображён демультиплексор MAX 4625.

Рисунок 3.6 - Демультиплексор MAX 4625

3.1.6 Выбор и расчёт преобразователя напряжение - ток

Электрорефлекторное воздействие на зону БАТ оказывается током, поэтому предусмотрен преобразователь напряжение-ток. В качестве данного преобразователя была взята схема отображенная на рисунке 3.7.

Её принцип основан на компенсации изменения входного напряжения с помощью обратной связи. Если ток в нагрузке увеличивается, снижается потенциал на нагрузке, положительная обратная связь реагирует на это снижением потенциала неинвертирующего входа и положение выравнивается.

Резистор R2 выбирают таким, чтобы падение напряжения на нём не превышало 1 - 2 вольт при заданном токе стабилизации. Само собой, ток стабилизации не должен превышать максимальный выходной ток операционного усилителя.

Рисунок 3.7 - Преобразователь напряжение-ток

При условии R4 = R5 = R6 = R7 и R4R3

Для резисторов выберем значения R4 = R5 = R6 = R7 = 8 МОм и R3 = 50 кОм, соответствующие номинальным сопротивлениям резисторов С2-23 ряда Е192 и ряда Е96 по ГОСТ 28884.

Электрические параметры резисторов представлены в таблице 3.8.

Таблица 3.8 - Электрические параметры резисторов

Параметр

R4, R5, R6, R7

R3

1

Наименование

Резистор C2-23-0,45

Резистор C2-23-0,45

2

Номинальное сопротивление, кОм

8000

50

3

Точность, %

±0,5

±0,5

4

Номинальная мощность, Вт

0,24

0,45

5

Максимальное рабочее напряжение, В

250

170

6

Рабочая температура, oС

-55…+155

-55…+155

Максимальный выходной ток с преобразователя IМвых:

Необходимое входное напряжение для реализации опорного тока при поиске БАТ UОПвых:

3.1.7 Выбор дисплея

В качестве дисплея был выбран жидкокристаллический модуль MT-6464B, состоящий из БИС контроллера управления и ЖК панели. Внешний вид модуля приведен на рисунке 3.8.

Рисунок 3.8 - Внешний вид ЖК модуля МТ - 6464В

Контроллер управления К145ВГ10, производства ОАО «АНГСТРЕМ»

Габаритные размеры модуля 49 х40 мм (разрешение 64х64 пикселей).

Модуль позволяет

* принимать команды с шины DB7 - DB0

* записывать данные в ОЗУ по 8-ми разрядной шине данных DB7-DB0;

* читать данные из ОЗУ на шину DB7-DB0;

* читать статус состояния на шину DB7-DB0;

* управлять контрастностью и подсветкой.

Время цикла чтения/записи ? 1000 нс.

Напряжение питания 4,5 ? 5,5 В

Ток потребления 450 мкА

3.2 Анализ статической характеристики

С учетом выведенных выражений для заданной и номинальной расчетной статической характеристики можно определить погрешность схемы спроектированного устройства.

Определим погрешность канала измерения сопротивления. Для этого запишем номинальную расчетную характеристику

и заданную статическую характеристику, показанную на рисунке 3.7:

где ? значение коэффициента преобразования для канала измерения; его значение составляет

Рисунок 3.7 - Заданная статическая характеристика

Погрешность приближения определяется как разница между номинальной расчетной и заданной характеристиками:

Подставив выбранные номинальные значения параметров в последнее выражение, получим значения погрешности схемы.

График погрешности схемы аппарата для электрорефлексотерапии приведен на рисунке 3.8.

Рисунок 3.8 - Погрешность схемы аппарата для электрорефлексотерапии

Максимальное значение относительной погрешности схемы будет равно:

Полученная погрешность схемы соответствует критерию ее значимости, т.е. составляет менее 10% от суммарной погрешности проектируемого устройства.

Определим погрешность канала воздействия током микродиапазона. Для этого запишем номинальную расчетную характеристику

и заданную статическую характеристику, показанную на рисунке 3.9:

где ? значение коэффициента преобразования для канала воздействия; его значение составляет

Рисунок 3.9 - Заданная статическая характеристика

Погрешность приближения определяется как разница между номинальной расчетной и заданной характеристиками:

Подставив выбранные номинальные значения параметров в последнее выражение, получим значения погрешности схемы.

График погрешности схемы аппарата для электрорефлексотерапии приведен на рисунке 3.10.

Рисунок 3.10 - Погрешность схемы аппарата для электрорефлексотерапии

Максимальное значение относительной погрешности схемы будет равно:

Полученная погрешность схемы соответствует критерию ее значимости, т.е. составляет примерно 10% от суммарной погрешности проектируемого устройства.

Определим погрешность канала измерения тока воздействия. Для этого запишем номинальную расчетную характеристику

и заданную статическую характеристику, показанную на рисунке 3.11:

где ? значение коэффициента преобразования для канала воздействия; его значение составляет

Рисунок 3.11 - Заданная статическая характеристика

Погрешность приближения определяется как разница между номинальной расчетной и заданной характеристиками:

Подставив выбранные номинальные значения параметров в последнее выражение, получим значения погрешности схемы.

График погрешности схемы аппарата для электрорефлексотерапии приведен на рисунке 3.10.

Рисунок 3.12 - Погрешность схемы аппарата для электрорефлексотерапии

Максимальное значение относительной погрешности схемы будет равно:

Полученная погрешность схемы соответствует критерию ее значимости, т.е. составляет примерно 10% от суммарной погрешности проектируемого устройства.

4. Распределение суммарной погрешности

4.1 Анализ источников первичных погрешностей

Данный анализ был проведён на основании анализа схемы принципиальной, а также расчётной статической характеристики.

Целью данного раздела является выявление и оценка отдельных составляющих суммарной погрешности проектируемого устройства. [1]

микроток электрорефлексотерапия цифровой биологический

Таблица 4.1 - Предварительный анализ первичных погрешностей канала измерения сопротивления

Источник

Первичная погрешность

Оценки (характеристики) погрешности

Основные и дополнительные погрешности резисторов, сопротивления которых определяют расчетную характеристику (R1, R2)

Погрешности от несоответствия сопротивлений номинальным значениям г(Ri)

?Ri = Ri · г(Ri);

М(Ri) = 0;

S(Ri) = ?Ri / tб;

tб = 3.

Погрешности от температурного дрейфа г(Rit)

?Rit = б(Rit) ·?tmax;

где б(Rit) - ТКС резисторов;

?tmax - максимальное изменение температуры;

М(Rit) = 0;

S(Rit) = ?Rit / tб; tб =30,5.

Основные и дополнительные погрешности сопротивления электродов

Погрешности от несоответствия сопротивления номинальному значению г(Rэ)

?Rэ = Rэ · г(Rэ); М(Rэ) = 0; S(Rэ) = ?Rэ / tб; tб = 3.

Основные и дополнительные погрешности конденсаторов, емкости которых определяют расчётную характеристику (С1)

Погрешности от несоответствия емкости номинальным значениям г(Сi)

?Сi = Сi · г(Сi); М(Сi) = 0; S(Сi) = ?Сi / tб; tб = 3.

Погрешности от температурного дрейфа г(Сit)

?Сit = б(Сit) ·?tmax;

где б(Сit) - ТКЕ конденсаторов; ?tmax - максимальное изменение температуры; М(Сit) = 0;

S(Сit) = ?Сit / tб; tб =30,5.

Неидеальность параметров операционного усилителя DA1

Погрешность от напряжения смещения г(Uсм1)

г(Uсм1) = Uсм1 / U0;

где U0 - верхний предел диапазона входного сигнала для DA1 (5 В); М(Uсм1) = 0; S(Uсм1) = Uсм1 / tб; tб = 3.

Погрешность от разности входных токов г(?Iвх1)

г(?Iвх1) = (?Iвх1·R1) / U0;

М(?Iвх1)=0;

S(?Iвх1)=(?Iвх1·R1)/tб;

tб = 3.

Погрешность от теплового дрейфа ?Uсмt1 напряжения смещения г(Uсмt1)

г(Uсмt1) = (?Uсмt1·?Tmax)/U0;

М(Uсмt1) = 0;

S(Uсмt1) = (?Uсмt1·?Tmax)/tб;

tб =30,5.

Погрешность от теплового дрейфа ?Iвхt1 входных токов г(?Iвхt1)

г(?Iвхt1)=(?Iвхt1·R1·?Tmax)/U0;

М(?Iвхt1) = 0;

S(?Iвхt1)=(?Iвхt1·R1·?Tmax)/tб;

tб =30,5.

Неидеальность параметров операционного усилителя DA3

Погрешность от напряжения смещения г(Uсм2)

г(Uсм2) = Uсм2 / U2;

где U1 - верхний предел диапазона входного сигнала для DA2 (5 В);

М(Uсм2) = 0;

S(Uсм2) = Uсм2 / tб;

tб = 3.

Погрешность от разности входных токов г(?Iвх2)

г(?Iвх2) = (?Iвх2·R2) / U1;

М(?Iвх2)=0;

S(?Iвх2)=(?Iвх2·R2)/tб;

tб = 3.

Погрешность от теплового дрейфа ?Uсмt2 напряжения смещения г(Uсмt2)

г(Uсмt2) = (?Uсмt2·?Tmax)/U1;

М(Uсмt2) = 0; S(Uсмt2) = (?Uсмt2·?Tmax)/tб; tб =30,5.

Погрешность от теплового дрейфа ?Iвхt2 входных токов г(?Iвхt2)

г(?Iвхt2)=(?Iвхt2·R2·?Tmax)/U1; М(?Iвхt2) = 0; S(?Iвхt2)=(?Iвхt2·R2·?Tmax)/tб; tб =30,5.

Неидеальность параметров демультиплексора DA4

Несоответствие коэффициента передачи мультиплексора г(kпер)

Дkпер=kпер? г(kпер); kпер=1; г(kпер)=0,02%; M(kпер)=0;

S(kпер)=Дkпер/ tб; tб=3.

Таблица 4.2 - Предварительный анализ первичных погрешностей канала воздействия

Источник

Первичная погрешность

Оценки (характеристики) погрешности

Основные и дополнительные погрешности резисторов, сопротивления которых определяют расчетную характеристику (R3-R7)

Погрешности от несоответствия сопротивлений номинальным значениям г(Ri)

?Ri = Ri · г(Ri);

М(Ri) = 0;

S(Ri) = ?Ri / tб;

tб = 3.

Погрешности от температурного дрейфа г(Rit)

?Rit = б(Rit) ·?tmax;

где б(Rit) - ТКС резисторов; ?tmax - максимальное изменение температуры; М(Rit) = 0; S(Rit) = ?Rit / tб; tб =30,5.

Неидеальность параметров операционного усилителя DA5

Погрешность от напряжения смещения г(Uсм3)

г(Uсм3) = Uсм3 / U2;

где U2 - верхний предел диапазона входного сигнала для DA5 (5 В);

М(Uсм3) = 0; S(Uсм3) = Uсм3 / tб; tб = 3.

Погрешность от разности входных токов г(?Iвх3)

г(?Iвх3) = (?Iвх3·R7) / U3;

М(?Iвх3)=0;

S(?Iвх3)=(?Iвх3·R7)/tб; tб = 3.

Основные и дополнительные погрешности опорного напряжения

Погрешности от несоответствия опорного напряжения номинальному значению

?Vref= Vref · г(Vref);

М(Vref) = 0;

S(Vref) = ?Vref / tб;

tб = 3.

Погрешность от теплового дрейфа ?Uсмt3 напряжения смещения г(Uсмt3)

г(Uсмt3) = (?Uсмt4·?Tmax)/U2;

М(Uсмt3) = 0; S(Uсмt3) = (?Uсмt3·?Tmax)/tб; tб =30,5.

Погрешность от теплового дрейфа ?Iвхt3 входных токов г(?Iвхt3)

г(?Iвхt3)=(?Iвхt3·R7·?Tmax)/U2; М(?Iвхt3) = 0; S(?Iвхt3)=(?Iвхt3·R7·?Tmax)/tб; tб =30,5.

Неидеальность параметров ЦАП

Погрешность квантования ?кв2

?кв2 = UЦАПmax / (2m),

где m - число разрядов ЦАП.

Погрешность ?лд2 от дифференциальной нелинейности ЦАП

?лд2; S(?лд2) = ?лд2 / tб; tб =3.

Неидеальность параметров демультиплексора DA4

Несоответствие коэффициента передачи мультиплексора г(kпер)

Дkпер=kпер? г(kпер);

kпер=1; г(kпер)=0,02%;

M(kпер)=0; S(kпер)=Дkпер/ tб; tб=3.

Таблица 4.3 - Предварительный анализ первичных погрешностей канала измерения тока

Источник

Первичная погрешность

Оценки (характеристики) погрешности

Неидеальность параметров АЦП

Погрешность квантования ?кв1

?кв1 = UАЦПmax / (2m),

где m - число разрядов АЦП.

Погрешность ?ли1 от интегральной нелинейности АЦП

?ли1; М(?ли1) = ?ли1 /2; S(?ли1) = (?ли1 /2)/ tб; tб =3.

Погрешность ?лд1 от дифференциальной нелинейности АЦП

?лд1;

М(?лд1) = 0; S(?лд1) = ?лд1 / tб; tб =3.

Неидеальность параметров ЦАП

Погрешность квантования ?кв2

?кв2 = UЦАПmax / (2m),

где m - число разрядов ЦАП.

Погрешность ?лд2 от дифференциальной нелинейности ЦАП

?ли2; S(?ли2) = (?ли2 /2)/ tб; tб =3.

4.2 Распределение частных погрешностей

Частная погрешность, будучи результатом влияния первичной погрешности на точность объекта, имеет размерность выходного сигнала. Суммарная погрешность от несоответствия параметров номинальных значений определяется совокупностью частных погрешностей. [1]

Результаты анализа и предварительного распределения частных погрешностей приведены в таблице 4.1.

4.3 Распределение первичных погрешностей

Результаты распределения первичных погрешностей и значения допусков на параметры сведены в таблицу 4.5.

Таблица 4.1 - Предварительное описание и распределение частных погрешностей

Оценки первичных погрешностей

Описание коэффициентов влияния

Оценки частных погрешностей

-0,013 (для );

-1,251 (для ).

-7,812·10-14 (для );

-2·10-9 (для ).

0,209 (для );

2,085 (для );

1,042·10-10 (для );

1,667·10-10 (для ).

(для );

(для ).

1,786·10-10 (для );

2,858·10-8 (для ).

(для );

(для );

(для );

(для );

(для );

(для ).

(для );

(для );

(для ).

(для );

(для );

(для );

(для );

(для ).

Таблица 4.5 - Результаты определения первичных погрешностей

Первичная погрешность

Оценки погрешности

Значение допусков на параметры

Погрешности от несоответствия сопротивлений номинальным значениям г(Ri)

S(R1) = 16,667 Ом;

S(R2) = 1,667 Ом;

S(R3) = 8,33 Ом;

S(R4) = 1333 Ом;

S(R5) = 1333 Ом;

S(R6) = 1333 Ом;

S(R7) = 1333 Ом.

г(R1) = 0,05 %;

г(R2) = 0,5 %;

г(R3) = 0,05 %;

г(R4) = 0,05 %;

г(R5) = 0,05 %;

г(R6) = 0,05 %;

г(R7) = 0,05 %;

Погрешности от температурного дрейфа г(Rit)

S(R1t) = 47,631 Ом;

S(R2t) = 0,476 Ом;

S(R3t) = 23,816 Ом;

S(R4t) = 3811 Ом;

S(R5t) = 3811 Ом;

S(R6t) = 3811 Ом;

S(R7t) = 3811 Ом.

б(R1t) = 5510-6 Ом·K-1;

б(R2t) = 5510-6Ом·K-1;

б(R3t) = 5510-6 Ом·K-1;

б(R4t) = 5510-6 Ом·K-1;

б(R5t) = 5510-6 Ом·K-1;

б(R6t) = 5510-6 Ом·K-1;

б(R7t) = 5510-6 Ом·K-1.

Погрешность от напряжения смещения г(Uсмi)

S(Uсм1) = 2·10-4 В;

S(Uсм2) = 2·10-4 В;

S(Uсм3) = 2·10-4 В.

Uсм1 = 6·10-4 В;

Uсм2 = 6·10-4 В;

Uсм3 = 6·10-4 В.

Погрешность от разности входных токов г(?Iвхi)

S(?Iвх1) = 2,667·10-5 А;

S(?Iвх2) = 2,667·10-7 А;

S(?Iвх3) = 2,133·10-3 А.

?Iвх1 = 8·10-5 А;

?Iвх2 = 8·10-7 А;

?Iвх3 = 6,4·10-3 А.

Погрешность от теплового дрейфа ?Uсмti напряжения смещения г(Uсмti)

S(Uсмt1) = 2,598·10-5 В;

S(Uсмt2) = 2,598·10-5 В;

S(Uсмt3) = 2,598·10-5 В.

Uсмt1 = 4,5·10-5 В;

Uсмt2 = 4,5·10-5 В;

Uсмt3 = 4,5·10-5 В.

Погрешность от теплового дрейфа ?Iвхti входных токов г(?Iвхti)

S(?Iвхt1) = 2,309·10-7 А;

S(?Iвхt2) = 2,309·10-9 А;

S(?Iвхt3) = 1,848·10-5 А.

Iвхt1 = 4·10-7 А;

Iвхt2 4·10-9 А;

Iвхt3 = 3,2·10-5 А.

Погрешность квантования АЦП ?кв1 и ЦАП ?кв2

-

?кв1 = 4,883·10-3 В;

?кв2 = 0,02 В.

Погрешность линейности ?л1 АЦП и ?л2 ЦАП

S(?л1) = 4,069·10-4 В;

S(?л2) = 1,628·10-3 В.

?л1 = 2,441·10-3;

?л2 = 9,766·10-3; (квантов).

Погрешность от дифференциальной нелинейности ?лд1 АЦП и ?лд2 ЦАП

S(?лд1) = 8,138·10-4 В;

S(?лд1) = 3,255·10-3 В.

?лд1 = 2,441·10-3;

?лд2 = 9,766·10-3 (квантов).

Несоответствие коэффициента передачи мультиплексора г(kпер)

S(kпер) = 6,667·10-5.

Дkпер = 2·10-4

Погрешности от несоответствия емкости номинальным значениям г(Сi)

S(С1) = 1,333·10-10 Ф.

г(С1) = 1 %.

Погрешности от температурного дрейфа г(Rit)

S(С1t) = 1,143·10-11 Ф.

б(С1t) = 3310-6 Ф·K-1.

5. Анализ полученных результатов (анализ точности)

Результаты проведенного анализа и расчета показали, что суммарная погрешность канала измерения сопротивления проектированного аппарата составляет . На рисунке 5.1 представлен график пределов приведенной суммарной погрешности.

Рисунок 5.1 - График допускаемой суммарной погрешности измерительного канала

Анализ полученного результата показывает, что суммарная погрешность не превышает заданного в медико-технических требованиях значения.

Результаты проведенного анализа и расчета показали, что суммарная погрешность канала воздействия током проектированного аппарата составляет . На рисунке 5.2 представлен график пределов приведенной суммарной погрешности.

Рисунок 5.2 - График допускаемой суммарной погрешности канала воздействия

Анализ полученного результата показывает, что суммарная погрешность не превышает заданного в медико-технических требованиях значения.

Результаты проведенного анализа и расчета показали, что суммарная погрешность канала измерения тока проектированного аппарата составляет .

На рисунке 5.3 представлен график пределов приведенной суммарной погрешности.

Анализ полученного результата показывает, что суммарная погрешность не превышает заданного в медико-технических требованиях значения.

Рисунок 5.3 - График допускаемой суммарной погрешности измерительного канала

Заключение

В данной курсовой работе было разработан аппарат для электрорефлексотерапии, предназначенный для поиска БАТ по сопротивлению и воздействия током микродиапазона.

Были сформулированы медико-технические требования, составлена структурная схема и её математическое описание. На основании этого была синтезирована принципиальная схема, произведен выбор подходящей элементной базы и её расчет.

С помощью анализа источников первичных, частных погрешностей была получена суммарная погрешность канала измерения, проведен анализ точности и в итоге нормирование полученных суммарных погрешностей, не превышающих заданных значений.

Список использованных источников

1. Бондарева Л.А. Проектирование медицинских приборов, аппаратов и систем (в курсовом и дипломном проектировании): учебно-методическое пособие для вузов / Л.А. Бондарева. - Орел: ОрелГТУ, 2009. - 139 с.

2. Вельховер Е.С., Кушнир Г.В. Экстерорецепторы кожи. - Кишинев, 1991. - С.84-85.

3. Вогралик В.Г., Вогралик М.В. Пунктурная рефлексотерапия. - Горький: Волго-Вят.кн.изд-во, 1988, с. 57 - 59.

4. ГОСТ 2.764-86. Единая система конструкторской документации. Обозначения условные графические в электрических схемах. Интегральные оптоэлектронные элементы индикации. - Введ. 01.01.1987. - М.: Госстрой России, 1986. - 5с.

5. Долгачев И.П. О функциональном изменении слизистой оболочки носа под влиянием раздражения внутренних органов/ Долгачев И.П:// Физиологич. журн. СССР. 1952. - Т. 4. - 38. - с. 459-464.

6. Залманов А.С. Тайная мудрость человеческого организма (глубинная медицина). - М.; Л.; Наука, 1966, с. 166 - 171.

7. Истаманов С.О влиянии раздражения чувствительных нервов на сосудистую систему у человека. Дисс. СПб, 1885, с. 164 - 167.

8. Подмастерьев К.В. Точность измерительных устройств: Учебное пособие [Текст] / К.В. Подмастерьев. - 2-е изд., перераб. и доп. - Орел: ОрелГТУ, 2004. - 140 с.

9. Рабинович Э.З., Усачева М.Д. Топография топологических активных точек кожи человека при пластических операциях лица и шеи. - В кн.: Научные проблемы охраны здоровья студентов. М., 1979, с. 234 - 236.

10. Русецкий И.И. Китайский метод лечебного иглоукалывания. - Казань, 1959, с. 167 ? 170.

11. Самый информированный сервер микроэлектроники

Размещено на Allbest.ru


Подобные документы

  • Эффекты, вызываемые в организме в результате применения аппарата ДЭНАС-терапии. Отличия аппарата от других электротерапевтических приборов. Основные биоэнергоинформационные зоны воздействия и способы их обработки. Показания и противопоказания.

    курсовая работа [61,0 K], добавлен 20.11.2011

  • Виды слуховых аппаратов. Типичные неисправности, с устранениями которых может справиться пользователь аппарата. Индивидуальные ушные вкладыши. Особенности слухопротезирования и речевой аудиометрии. Устройство и принципиальная схема слухового аппарата.

    курсовая работа [857,1 K], добавлен 03.04.2014

  • Назначение ультразвукового аппарата для стоматологии. Методика расчета выходного трансформатора, усилителя-ограничителя, параметрического стабилизатора напряжения постоянного тока. Расчет себестоимости и цены ультразвукового аппарата для стоматологии.

    дипломная работа [188,0 K], добавлен 26.06.2013

  • Применение УВЧ-терапии для местного лечебного воздействия электрического поля ультравысокой частоты в клиниках терапевтического, неврологического, хирургического, психиатрического профиля, в педиатрии и стоматологии. Изучение устройства аппарата УВЧ-66.

    методичка [266,9 K], добавлен 30.04.2014

  • Методы медицинского электролечения. Характеристика аппарата для лечения диадинамическими токам "ТОНУС-2М", его технические характеристики. Назначение и действие аппарата для терапии электросном "ЭС-10-5". Аппарат для терапии электросном "ЭС-10-5".

    курсовая работа [1,3 M], добавлен 03.04.2014

  • Клапанный аппарат сердца, ее задачи и значение, функциональные особенности в организме, его скелетотерапия. Значение аортального клапана и методы исследования его работы. Аускультация клапанов сердца. Общая характеристика, места прижатия крупных сосудов.

    презентация [3,7 M], добавлен 17.11.2014

  • Строение и функции опорно-двигательного аппарата. ЛФК при травмах опорно-двигательного аппарата. Методы оценки опорно-двигательного аппарата и самоконтроль за ним. Клинико-физиологические действия физических упражнений. Комплекс физических упражнений.

    реферат [1,1 M], добавлен 24.01.2008

  • Медико-биологическое действие ультразвука. Разработка структурной схемы аппарата УЗ стоматологического для снятия зубного камня. Технические характеристики ультразвукового аппарата. Расчет себестоимости и цены. Метеорологические условия помещения.

    дипломная работа [222,2 K], добавлен 26.07.2013

  • Характеристика протеза плеча с тремя управляемыми функциями. Схема локтевого шарнира с электроприводом ее характеристика. Ортопедический аппарат на верхнюю конечность и его особенности. Блок-схема биоэлектрического управления ортопедическим аппаратом.

    реферат [1,1 M], добавлен 16.01.2009

  • Анатомическая характеристика строения опорно-двигательного аппарата. Позвоночник как опора всего организма. Элементы сустава, скелетная мускулатура человека. Функции опорно-двигательного аппарата, заболевания и их лечение. Нарушение осанки, радикулит.

    реферат [20,4 K], добавлен 24.10.2010

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.