| главнаяреклама на сайтевакансииуслуги | База знаний Allbest |
|
|
||||||||||||||||||||||||
Оптические свойства полупроводниковых пленок в видимой и ИК частях спектраОптические свойства полупроводников. Механизмы поглощения света и его виды. Методы определения коэффициента поглощения. Пример расчета спектральной зависимости коэффициента поглощения селективно поглощающего покрытия в видимой и ИК части спектра.
Отправить свою хорошую работу на сайт просто. Используйте форму, расположенную ниже.
Подобные документы1. Теория атомно-абсорбционных измерений: излучение и поглощения света, понятие линии поглощения и коэффициента поглощения, контур линии поглощения. Принцип работы лазера. Описание работы гелий-неонового лазера. Лазеры на органических красителях. реферат [392,9 K], добавлен 03.10.2007 2. Физические основы диагностики плазмы. Методы излучения, поглощения и рассеяния для определения плотностей частиц в дискретных энергетических состояниях. Лазерный резонатор, спектроскопия поглощения с частотно-перестраиваемыми и широкополосными лазерами. реферат [677,7 K], добавлен 22.12.2011 3. Уровни свободного иона. Мощность поглощения планковской радиации. Универсальное соотношение между спектрами поглощения и люминесценции. Параметры экситонов в различных полупроводниковых материалах. Образование центров люминесценции в результате прогрева. курсовая работа [1,3 M], добавлен 10.06.2011 4. Подготовка монохроматора к работе. Градуировка монохроматора. Наблюдение сплошного спектра излучения и спектров поглощения. Измерение длины волны излучения лазера. Исследование неизвестного спектра. лабораторная работа [191,0 K], добавлен 13.03.2007 5. Принцип работы и особенности использования светофильтров, их назначение и основные функции. Методика выделения узкой части спектра при помощи комбинации фильтров Шотта. Порядок выделения одной или нескольких линий их спектра, различных цветов и оттенков. реферат [247,0 K], добавлен 28.09.2009 6. Исследование формирования катодолюминесцентного излучения, генерации, движения и рекомбинации неравновесных носителей заряда. Характеристика кинетики процессов возгорания и гашения люминесценции, концентрации легирующих примесей в ряде полупроводников. курсовая работа [1,6 M], добавлен 10.06.2011 7. Что такое оптика? Ее виды и роль в развитии современной физики. Явления, связанные с отражением света. Зависимость коэффициента отражения от угла падения света. Защитные стёкла. Явления, связанные с преломлением света. Радуга, мираж, полярные сияния. реферат [3,1 M], добавлен 01.06.2010 8. Исследование деградации коэффициента отражения для металлических зеркал. Особенности влияния бомбардировки ионами дейтериевой плазмы на зеркала из аморфных сплавов. Гипотеза о зависимости поглощения дейтерия от наличия гидридообразующих компонентов. дипломная работа [2,8 M], добавлен 07.06.2011 9. 1 квантово-механическая гипотеза Планка о квантованности излучения (поглощения) и вывод формулы для спектральной плотности энергетической светимости черного тела - теоретическое обоснование экспериментально наблюдавшихся законов излучения черного тела. реферат [71,4 K], добавлен 08.01.2009 10. Дозиметрия как область прикладной физики, в которой изучаются физические величины, характеризующие действие ионизирующих излучении на объекты живой и неживой природ. Дозы и их характеристики, эквивалент поглощения. Единицы измерений физических величин. реферат [22,2 K], добавлен 02.06.2010 11. Определение структуры спектра атома, молекулы или образованной ими макросистемы их энергетическими уровнями. Спектры и структура атома водорода. Электронные состояния двухатомных молекул, электрические и оптические свойства. Молекулы с одинаковыми ядрами. курсовая работа [52,0 K], добавлен 06.10.2009 12. Энергетическая зонная структура и абсолютный минимум зоны проводимости у кремния. Измерение спектра собственного поглощения образца кремния с помощью электронно-вычислительного комплекса СДЛ-2. Оценка ширины запрещенной зоны исследуемого полупроводника. курсовая работа [376,2 K], добавлен 08.06.2011 13. Взаимодействие заряженных частиц и со средой. Детектирование. Определение граничной энергии бета-спектра методом поглощения. Взаимодействие заряженных частиц со средой. Пробег заряженных частиц в веществе. Ядерное взаимодействие. Тормозное излучение. курсовая работа [1,1 M], добавлен 06.02.2008 14. Основные модели токопереноса и фоточувствительности поликристаллических пленок сульфида свинца. Технология получения и физические свойства тонких пленок PbS. Вольтамперные характеристики пленок сульфида свинца. Температурные зависимости образцов PbS31. дипломная работа [1,6 M], добавлен 19.01.2012 15. Общие сведения о полупроводниках. Методы очистки и переплавки полупроводниковых материалов. Металлургия германия и кремния. Применение полупроводников. Тепловые сопротивления. Фотосопротивления. Термоэлементы. Холодильники и нагреватели. реферат [26,8 K], добавлен 25.06.2004 16. Зависимость оптической плотности от концентрации вещества в растворе и толщины поглощающего слоя. Ознакомление с устройством и принципом работы спектрального прибора, его назначение; определение плотности и концентрации вещества на спектрофотометре. лабораторная работа [34,1 K], добавлен 05.05.2011 17. Характеристика приближенных методов определения коэффициента трения скольжения, особенности его расчета для различных материалов. Значение и расчет силы трения по закону Кулона. Устройство и принцип действия установки для определения коэффициента трения. лабораторная работа [18,0 K], добавлен 12.01.2010 18. Поглощение света свободными носителями заряда. Электрография и фотопроводимость полупроводников. Влияние сильных электрических попей на электропроводность полупроводников. Подвижность носителей в ионных кристаллах и полупроводниках с атомной решеткой. реферат [1,6 M], добавлен 28.03.2012 19. Понятия теории линейных операторов. Дискретный (точечный), непрерывный и остаточный спектр. Основные свойства резольвенты. Связь резольвенты с остаточным, точечным и непрерывными частями спектра оператора. Применение спектральной теории в электронике. реферат [133,5 K], добавлен 18.05.2010 20. Основные свойства полупроводников. Строение кристаллов. Представления электронной теории кристаллов. Статистика электронов в полупроводниках. Теория явлений переноса. Гальваномагнитные и термомагнитные явления. Оптический свойства полупроводников. книга [3,8 M], добавлен 21.02.2009 Другие подобные документы Рекомендуем!
|
||||||||||||||||||||||||
© ООО "Олбест" 2009 – 2012 Все права на базы данных защищены. |
база знаний |