Анализ механизмов протекания темновых токов в фотодиодах из InGaAs

Направления совершенствования оптико-электронной аппаратуры. Фотодиоды, изготовленные из гетероэпитаксиальных слоев InGaAs. Определение доминирующего механизма токообразования. Ток межзонного туннелирования и туннелирования через уровни ловушек.

Рубрика Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника
Предмет Электродинамика сплошных сред
Вид курсовая работа
Язык русский
Прислал(а) Incognito
Дата добавления 17.01.2015
Размер файла 148,7 K

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.


Подобные документы

  • Сокращение времени переноса носителей через базу. Баллистические и аналоговые транзисторы. Горбообразные барьеры эмиттера и коллектора. Транзисторы с металлической базой. Приборы на квантово-размерных эффектах. Инерционность процесса туннелирования.

    реферат [865,2 K], добавлен 21.08.2015

  • Отношение сигнал-шум на выходе сканирующей оптико-электронной системы обнаружения с максимальной дальностью действия. "Точечный" излучатель - объект пеленгации. Распространение оптического сигнала от объекта в атмосфере. Модулятор-анализатор изображения.

    курсовая работа [1,9 M], добавлен 24.11.2010

  • Анализ и моделирование процессов формирования конструктивно технологических характеристик монтажных соединений электронной аппаратуры, методов и средств технологического мониторинга свойств МОС. Методы выявления и оценивания информационных признаков.

    дипломная работа [4,2 M], добавлен 06.06.2010

  • Расчёт производительности узла доступа с учётом структуры нагрузки поступающей от абонентов, пользующихся различными видами услуг телефонии. Факторы, влияющие на качество речи и выбор кодека. Расчет математической модели эффекта туннелирования в MPLS.

    курсовая работа [776,9 K], добавлен 20.02.2011

  • Производительность мультисервисного узла доступа с учётом структуры нагрузки, поступающей от абонентов: расчёт числа пакетов: телефония, интернет, triple play. Требования к качеству речи; выбор кодека. Математическая модель эффекта туннелирования в MPLS.

    курсовая работа [4,2 M], добавлен 20.02.2011

  • Условия эксплуатации электронной аппаратуры, их связь с внешними воздействующими факторами, имеющими различную физико-химическую природу и изменяющимися в широких пределах. Особенности воздействия климатических, механических и радиационных факторов.

    контрольная работа [23,2 K], добавлен 01.09.2010

  • Технические характеристики и структура модуляционно-легированных полевых транзисторов и биполярных транзисторов на гетеропереходах. Технологии создания приборов, их преимущества и применение. Понятие явления резонансного туннелирования электронов.

    реферат [522,2 K], добавлен 28.12.2013

  • Расчёт производительности узла доступа с учётом структуры нагрузки от абонентов, пользующихся различными видами услуг. Расчёт числа пакетов абонентов. Расчет математической модели эффекта туннелирования в MPLS. Гафики зависимостей различных величин.

    курсовая работа [214,2 K], добавлен 20.02.2011

  • Лазеры на полупроводниковых гетероструктурах, на полупроводниковых квантовых ямах. Поверхностные лазеры с вертикальным резонатором. Фотодиоды на подзонах квантовых ям и сверхрешетках. Лавинные фотодиоды на сверхрешетках. Модуляторы на квантовых ямах.

    контрольная работа [1,8 M], добавлен 24.08.2015

  • История создания охранной сигнализации. Принципы работы оптико-электронного извещателя Астра-515. Описание основных режимов. Расчет источника питания. Назначение изделия, его особенности. Определение коэффициента потребляемой энергии от аккумулятора.

    курсовая работа [1,3 M], добавлен 25.01.2015

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.