Субмикронные полевые транзисторы с барьером Шоттки
Механизм электронного транспорта в полупроводниках. Методы математического моделирования кинетических процессов. Реализация численной модели расчета субмикронного полевого транзистора с барьером Шоттки. Анализ распределения электрофизических параметров.
| Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
| Вид | отчет по практике |
| Язык | русский |
| Дата добавления | 07.01.2013 |
| Размер файла | 2,2 M |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Была реализована численная модель расчета субмикронного полевого транзистора с барьером Шоттки.
Получены пространственные распределения основных электрофизических параметров (потенциала, поля, скорости, концентрации).
Получены электрические характеристики транзистора, которые находятся в согласии с теорией рассматриваемых транзисторов.
Реализованная модель открывает перспективы исследования более сложных транзисторных структур, сходных по физическим принципам работы с рассмотренными.
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
1. Шур М. Современные приборы на основе арсенида галлия: Пер. с англ.-М.: Мир, 1991 -632 c.
2. Хокни Р., Иствуд Дж. Численное моделирование методом частиц.- М.: Мир 1987.- 640 с.
3. G. Klimeck, S.S. Ahmed, Atomistic simulation of realistically sized nanodevices using NEMO 3- D- Part I. Models and Benchmarks//Electron devices. - 54, 9.- 2007. -C. 2072.
4. K. R. Mok etc. Predictive of advanced Nano - CMOS Device Based on kMC process simulation//Electron devices. - 54, 9.- 2007. -C. 2155.
5. Иващенко В. М., Митин В. В. Моделирование кинетических явлений в полупроводниках. Метод Монте-Карло. - К.: Наукова думка, 1990.- 192 с.
Размещено на Allbest.ru
Подобные документы
Виды и обозначение диодов. Основные параметры выпрямительных диодов. Диоды Шоттки в системных блоках питания, характеристики, особенности применения и методы проверки. Проявление неисправностей диодов Шоттки, их достоинства. Оценка возможности отказа.
курсовая работа [52,6 K], добавлен 14.05.2012Устройство и принцип действия полевого транзистора. Статические характеристики. Полевые транзисторы с изолированным затвором. Схемы включения полевых транзисторов. Простейший усилительный каскад. Расчет электрических цепей с полевыми транзисторами.
лекция [682,2 K], добавлен 19.11.2008Устройство полевого транзистора: схемы включения и параметры. Эквивалентная схема, частотные и шумовые свойства. Устойчивость полевого транзистора при работе в диапазоне температур (тепловые параметры). Вольт-амперные характеристики транзистора.
реферат [174,3 K], добавлен 27.05.2012Общие сведения об усилителях мощности на полевых транзисторах. Расчет статических вольтамперных характеристик транзистора в программе Microwave Office. Модель полевого транзистора с барьером Шотки. Аналитический расчет выходной согласующей цепи.
курсовая работа [440,5 K], добавлен 24.03.2011Создание полупроводниковых приборов для силовой электроники. Транзисторы с изолированным затвором. Схемы включения полевых транзисторов. Силовые запираемые тиристоры. Устройство полевого транзистора с управляющим p-n переходом. Назначение защитной цепи.
реферат [280,5 K], добавлен 03.02.2011Особенности проектирования малошумящего полевого транзистора с затвором Шоттки, определение толщины его обедненной области, значения порогового напряжения перекрытия канала и геометрических размеров. Разработка конструкции и топологии кристалла.
курсовая работа [748,2 K], добавлен 22.08.2013Проектирование малошумящего полевого транзистора с затвором Шоттки. Расчет геометрических размеров конденсаторов и резисторов. Разработка технологии изготовления кристалла. Создание защитного слоя диэлектрика, проводящих дорожек и контактных площадок.
курсовая работа [5,8 M], добавлен 19.01.2016Биполярные транзисторы, режимы работы, схемы включения. Инверсный активный режим, режим отсечки. Расчет h-параметров биполярного транзистора. Расчет стоко-затворных характеристик полевого транзистора. Определение параметров электронно-лучевой трубки.
курсовая работа [274,4 K], добавлен 17.03.2015Преимущества диодов Шоттки по сравнению с обычными p-n-переходами. Основные стадии формирования структуры кремниевого диода. Классификация типов обработки поверхности полупроводниковых пластин. Особенности жидкостного травления функциональных слоев.
реферат [237,4 K], добавлен 20.12.2013История создания полевых транзисторов. Устройство полевого транзистора с управляющим p-n переходом. Принцип действия МДП-структур специального назначения. Схемы включения полевых транзисторов, их применение в радиоэлектронике, перспективы развития.
реферат [1,3 M], добавлен 30.05.2014
