Расчет основных формул по основам электроники
Температурная зависимость концентрации равновесных носителей заряда в полупроводнике. Температуры ионизации донорной примеси и основного вещества в полупроводнике тока методом последовательных приближений. Электропроводность и удельное сопротивление.
| Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
| Предмет | Физические основы электроники |
| Вид | курсовая работа |
| Язык | русский |
| Прислал(а) | Julya |
| Дата добавления | 26.11.2009 |
| Размер файла | 271,8 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Подобные документы
Контакт полупроводника с полупроводником. Понятие, структура и методы создания p-n-переходов. Особенности поведения электрона с учетом спина в электрическом поле. Распределение примеси и носителей заряда в полупроводнике. Время диэлектрической релаксации.
курсовая работа [1,4 M], добавлен 03.12.2010Диффузия - перенос атомов в результате теплового движения; распределение примеси. Объемные и диффузионные полупроводниковые резисторы. Определение концентрации донорной примеси в исходной пластине кремния; расчет коэффициентов диффузии для бора и фосфора.
курсовая работа [698,7 K], добавлен 17.05.2013Физико-химические основы процессов микроэлектроники. Распределение примесей после зонной плавки. Расчет распределения примеси в полупроводнике после диффузионного отжига при различных условиях диффузии. Нахождение положения электронно-дырочного перехода.
курсовая работа [839,1 K], добавлен 30.10.2011Напряжения между линейными проводами. Определение токов в катушках и обмотках трансформатора. Расчет показаний приборов, активной и реактивной мощности источника. Фазные напряжения для звезды нагрузки. Сопротивление фазы звезды, эквивалентной двигателю.
учебное пособие [1,4 M], добавлен 09.02.2014Физико-топологическая модель как модель расчета электрических параметров. Расчет распределения концентрации акцепторной и донорной примеси, скорости диффузии, расчет остальных параметров биполярного транзистора. Определение напряжения лавинного пробоя.
реферат [433,1 K], добавлен 12.06.2009Закономерности протекания тока в p–n переходе полупроводников. Построение вольтамперных характеристик стабилитрона, определение тока насыщения диода и напряжения пробоя (напряжения стабилизации). Расчет концентрации основных носителей в базе диода.
лабораторная работа [171,4 K], добавлен 27.07.2013Расчет заземляющих устройств с учетом естественных заземлителей. Расчетное удельное сопротивление грунта. Сопротивление искусственных заземлителей с учетом коэффициента экранирования. Молниезащита зданий и сооружений. Однолинейная схема электроснабжения.
методичка [180,4 K], добавлен 06.05.2009Классификация, температурные зависимости концентрации, подвижностей носителей заряда собственных и примесных полупроводников. Общая характеристика и основные сведения о кристаллическом строении полупроводниковых материалов Si и Ge, методика выращивания.
курсовая работа [1,5 M], добавлен 08.05.2009Изменение концентрации носителей и проводимости в приповерхностном слое полупроводника под действием электрического поля. Эффект поля в собственном и примесном полупроводниках. Механизмы рекомбинации носителей. Законы движения носителей в полупроводниках.
презентация [206,2 K], добавлен 27.11.2015Проектирование антенны "волновой канал" методом последовательных приближений. Координаты элементов антенны, ее электрические параметры и конструкция. Графики зависимости входного сопротивления от частоты. Оптимизация расстояния между вибраторами.
лабораторная работа [1,5 M], добавлен 04.12.2012
