Малошумящий интегральный усилитель

Проектирование малошумящего полевого транзистора с затвором Шоттки. Расчет геометрических размеров конденсаторов и резисторов. Разработка технологии изготовления кристалла. Создание защитного слоя диэлектрика, проводящих дорожек и контактных площадок.

Рубрика Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника
Предмет Интегральные устройства радиоэлектроники
Вид курсовая работа
Язык русский
Прислал(а) Сергей
Дата добавления 19.01.2016
Размер файла 5,8 M

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.


Подобные документы

  • Особенности проектирования малошумящего полевого транзистора с затвором Шоттки, определение толщины его обедненной области, значения порогового напряжения перекрытия канала и геометрических размеров. Разработка конструкции и топологии кристалла.

    курсовая работа [748,2 K], добавлен 22.08.2013

  • Разработка конструкции, топологии и технологического процесса интегральной микросхемы по заданной электрической схеме. Топологический расчет транзистора и полупроводникового кристалла. Расчет геометрических размеров резисторов и конденсаторов.

    курсовая работа [1,3 M], добавлен 18.02.2010

  • Разработка усилителя в однокристальном исполнении. Использование полевых транзисторов в качестве активных элементов. Обеспечение минимизации дифференциального коэффициента шума в полосе рабочих частот. Влияние входного сопротивления на коэффициент шума.

    контрольная работа [472,7 K], добавлен 24.05.2015

  • Шумовые характеристики СВЧ-устройств. Малошумящий усилитель, применяемый для уменьшения шума и повышения чувствительности конвертора. Основные требования к малошумящему усилителю. Работа усилителей, собранных на арсенид-галиевых полевых транзисторах.

    реферат [25,0 K], добавлен 01.04.2011

  • Определение удельной емкости между затвором и подложкой. Равновесный удельный поверхностный заряд. Напряжение спрямления энергетических зон. Потенциал уровня Ферми. Крутизна МДП-транзистора в области насыщения. Расчет максимальной рабочей частоты.

    контрольная работа [716,5 K], добавлен 13.08.2013

  • Конструкция интегральной микросхемы на транзисторах. Преобразование и обработка входного сигнала. Технические условия для интегральных микросхем р-канального полевого транзистора с изолированным затвором. Нанесение пленки алюминия и фотолитография.

    контрольная работа [1,8 M], добавлен 07.05.2013

  • Разработка усилителя слабых сигналов в виде интегральной микросхемы (ИМС) в корпусе. Выбор технологии изготовления. Расчет геометрических размеров и топологии элементов интегральной микросхемы. Выбор навесных компонентов, типоразмера платы и корпуса.

    курсовая работа [381,0 K], добавлен 29.10.2013

  • Расчет коллекторного сопротивления транзистора. Расчет выходного, входного и промежуточного каскада усилителя. Входные и выходные характеристики транзистора. Расчет разделительных конденсаторов, тока потребления и мощности, рассеиваемой на резисторах.

    курсовая работа [181,8 K], добавлен 17.04.2010

  • Топология и элементы МОП-транзистора с диодом Шоттки. Последовательность технологических операций его производства. Разработка технологического процесса изготовления полупроводниковых интегральных схем. Характеристика используемых материалов и реактивов.

    курсовая работа [666,0 K], добавлен 06.12.2012

  • Работа радиолокационных станций в условиях помех и действия малоразмерных целей. Расчет параметров входного устройства транзисторного усилителя. Расчет функции передачи и элементов согласующей цепи. Синтез схемы входного устройств малошумящего усилителя.

    дипломная работа [8,6 M], добавлен 04.12.2013

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.