Полупроводники и транзисторы

Определение относительной концентрации атомов донорной примеси полупроводника, уменьшение концентрации избыточных электронов на расстоянии; удельные сопротивления областей полупроводника. Режим работы и схема включения транзистора, полярность напряжений.

Рубрика Физика и энергетика
Предмет Теоретические основы электротехники
Вид контрольная работа
Язык русский
Прислал(а) арбуз
Дата добавления 12.01.2012
Размер файла 982,1 K

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.


Подобные документы

  • Строение полупроводников - материалов, которые по своей удельной проводимости занимает промежуточное место между проводниками и диэлектриками. Электронная проводимость, обусловливаемая наличием у полупроводника свободных электронов. Донорные примеси.

    дипломная работа [676,6 K], добавлен 24.09.2015

  • Деление твердых тел на диэлектрики, проводники и полупроводники. Собственная и примесная проводимость полупроводниковых материалов. Исследование изменений сопротивления кристаллов германия и кремния при нагревании, определение энергии их активации.

    лабораторная работа [120,4 K], добавлен 10.05.2016

  • Объединение изолированных атомов в кристалл. Схема локальных энергетических уровней электронов. Основные элементы зонной теории. Особенность состояний электронов в кристаллах. Уменьшение сопротивления металлов. Физические основы квантовой электроники.

    контрольная работа [1,9 M], добавлен 09.01.2012

  • Общее представление о мощных БИП-транзисторах Зависимость эффективности эмиттера от концентрации примеси в нем. Характеристика падения коэффициента усиления по току при больших плотностях тока. Сущность монолитного мощного транзистора Дарлингтона.

    курсовая работа [676,6 K], добавлен 04.04.2015

  • Энергетическая зонная структура и абсолютный минимум зоны проводимости у кремния. Измерение спектра собственного поглощения образца кремния с помощью электронно-вычислительного комплекса СДЛ-2. Оценка ширины запрещенной зоны исследуемого полупроводника.

    курсовая работа [376,2 K], добавлен 08.06.2011

  • Расчет температурной зависимости концентрации электронов в полупроводнике акцепторного типа. Определение и графическое построение зависимости энергии уровня Ферми от температуры: расчет температур перехода к собственной проводимости и истощения примеси.

    курсовая работа [3,1 M], добавлен 15.02.2013

  • Нахождение параметров нагрузки и количества каскадов усилителя. Статический режим работы выходного и входного множества. Выбор рабочей точки транзистора. Уменьшение сопротивления коллекторного и эмиттерного переходов при использовании ЭВМ-моделирования.

    курсовая работа [3,1 M], добавлен 29.01.2011

  • Определение понятия концентрации как отношения числа частиц компонента системы, его количества или массы к объему системы. Характеристика методов измерения концентрации: хроматографических, электрохимических, селективных, спектроскопии и кондуктометрии.

    курсовая работа [1,2 M], добавлен 22.01.2012

  • Главные приближения, лежащие в основе зонной теории. Кристаллическая решетка полупроводника, его энергетические уровни. Наличие электронов в зоне проводимости или наличие вакантных мест в валентной зоне, необходимое для возникновения электропроводности.

    реферат [306,5 K], добавлен 30.06.2015

  • Зависимость оптической плотности от концентрации вещества в растворе и толщины поглощающего слоя. Ознакомление с устройством и принципом работы спектрального прибора, его назначение; определение плотности и концентрации вещества на спектрофотометре.

    лабораторная работа [34,1 K], добавлен 05.05.2011

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.