Полупроводники и их применение

Строение, электрические свойства полупроводников и их отличия от металлов. Собственная и примесная проводимость. Полупроводниковые приборы: диод, фотодиод, транзистор, термистор. Коэффициент тепловой связи. Статические вольт-амперные характеристики.

Рубрика Физика и энергетика
Вид курсовая работа
Язык русский
Дата добавления 15.02.2014
Размер файла 2,1 M

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.

Для каждой точки статической вольт?амперной характеристики термистора справедливо уравнение теплового баланса между мощностью, выделяющейся в термисторе из-за проходящего тока, и мощностью, которую он рассеивает в окружающую среду:

,

где -- температура термистора; -- температура окружающей среды.

Из уравнения с учетом можно получить уравнения статической вольт?амперной характеристики термистора в параметрическом виде:

Вид статической вольт?амперной характеристики термистора определяется коэффициентом рассеяния H, коэффициентом температурной чувствительности В, номинальным сопротивлением термистора и температурой окружающей среды. Так, при уменьшении коэффициента рассеяния Н (например, при уменьшении давления воздуха, окружающего термистор) происходит более интенсивный разогрев термистора и, следовательно, те же температуры достигаются при меньших мощностях, выделяемых в термисторе при прохождении тока, т. е. статическая вольт?амперная характеристика смещается вниз (в область меньших напряжений).

При увеличении температуры окружающей среды уменьшается сопротивление термистора, снижается максимум статической вольт?амперной характеристики и уменьшается ее крутизна. Такую зависимость используют в системах автоматического контроля и регулирования температуры.

Увеличение коэффициента температурной чувствительности B приводит к смещению максимума статической вольт?амперной характеристики в сторону меньших мощностей, а крутизна падающего участка возрастает.

Исследуем уравнение на максимум функции, полагая коэффициент температурной чувствительности и коэффициент рассеяния постоянными. Для этого первую производную от напряжения по току приравняем нулю. В связи с параметрическим видом вольт?амперной характеристики в данном случае производную от напряжения по вспомогательной переменной, т. е. по параметру Т, умножим на производную температуры по току и приравняем полученное произведение нулю:

.

В результате получим

;

Отсюда

.

Из последнего уравнения следует:

1. Статическая вольт?амперная характеристика термистора будет иметь экстремальные значения напряжения (кривая 3 на рис. 24) только при условии

.

2. Существует два решения, соответствующие максимуму и минимуму напряжения на термисторе. Однако при минимуме напряжения на термисторе температура его оказывается выше допустимой, т. е. практически минимум напряжения находится за пределами рабочего диапазона температур термистора.

3. Температура, а значит, и сопротивление термистора при экстремальных значениях напряжения определяются только значениями и . Температура термистора при экстремальных значениях напряжения не зависит, например, от коэффициента рассеяния. Поэтому максимумы (и минимумы) статических вольт?амперных характеристик термистора, помещенного в различные среды, должны наблюдаться при одних и тех же сопротивлениях термистора. Коэффициент рассеяния сказывается только на значениях напряжения и тока в точке максимума (и минимума) статической вольт?амперной характеристики, что следует из уравнений

и .

Максимально допустимая температура термистора -- это температура, при которой еще не происходит необратимых изменений параметров и характеристик термистора. Максимально допустимая температура определяется не только свойствами исходных материалов термистора, но и его конструктивными особенностями.

Максимально допустимая мощность рассеяния термистора -- это мощность, при которой термистор, находящийся в спокойном воздухе при температуре 20°C, разогревается при прохождении тока до максимально допустимой температуры. При уменьшении температуры окружающего воздуха, а также при работе термистора в средах, обеспечивающих лучший теплоотвод, мощность рассеяния может превышать максимально допустимое значение.

Коэффициент энергетической чувствительности термистора G численно равен мощности, которую необходимо подвести к термистору для уменьшения его сопротивления на 1%. Коэффициент энергетической чувствительности связан с коэффициентом рассеяния и температурным коэффициентом сопротивления соотношением

.

Значение коэффициента энергетической чувствительности зависит от режима работы термистора, т. е. оно различно в каждой точке статической вольт?амперной характеристики.

Постоянная времени термистора -- это время, в течение которого температура термистора уменьшится на 63% (в е раз) по отношению к разности температур термистора и окружающей среды (например, при переносе термистора из воздушной среды с температурой 120°C в воздушную среду с температурой 20°С).

Тепловая инерционность термистора, характеризуемая его постоянной времени, определяется конструкцией и размерами термистора и зависит от теплопроводности среды, в которой находится термистор. Для разных типов термисторов постоянная времени лежит в пределах от 0,5 до 140 с. Теперь рассмотри термистор косвенного подогрева.

Термистор косвенного подогрева -- это термистор, имеющий дополнительный источник теплоты -- подогреватель.

Конструктивное исполнение термисторов косвенного подогрева может быть различным. Часто подогреватель делают в виде обмотки на изоляционной трубке, внутри которой расположен термистор. В других, случаях сам термистор сделан в виде трубки, внутри которой проходит нить подогрева. Общим для всех конструкций термисторов косвенного подогрева является наличие у них двух электрически изолированных друг от друга цепей: управляющей и управляемой.

Кроме таких параметров, как номинальное сопротивление и коэффициент температурной чувствительности, термисторы косвенного подогрева имеют свои специфические характеристики и параметры.

Статические вольт?амперные характеристики термистора косвенного подогрева приводят для различных токов через подогреватель (рис. 25).

(рис. 25) (рис. 26)

Подогревная характеристика -- это зависимость сопротивления термистора косвенного подогрева от мощности, выделяемой в спирали подогревной обмотки (рис. 26).

Для получения наибольшей чувствительности термистора косвенного подогрева, т. е. наибольшего изменения сопротивления, его следует использовать в режимах, при которых мощностью, выделяемой в самом термочувствительном элементе проходящим через него током, можно было бы пренебречь.

Коэффициент тепловой связи -- это отношение мощности , необходимой для разогрева термочувствительного элемента до некоторой температуры при прямом нагреве, к мощности , необходимой для разогрева до той же температуры при косвенном подогреве, т. е. путем пропускания тока через подогреватель:

.

Обычно для определения коэффициента тепловой связи термистор косвенного подогрева разогревают до так называемого горячего сопротивления термистора при максимальной мощности, выделяемой в подогревателе. Коэффициент тепловой связи обычно составляет 0,5...0,97, т. е. меньше единицы, так как часть теплоты, выделяемая подогревателем, неизбежно теряется.

Постоянные времени. Тепловая инерционность термисторов косвенного подогрева характеризуется двумя постоянными времени. За первую постоянную времени принимают время, в течение которого температура термочувствительного элемента изменяется в е раз по отношению к установившемуся значению при мгновенном изменении мощности в цепи подогревателя. Вторая постоянная времени характеризует задержку в изменении температуры термочувствительного элемента по отношению к изменению температуры подогревателя. Таким образом, первая постоянная времени характеризует тепловую инерционность всей конструкции термистора косвенного подогрева; вторая постоянная времени-- тепловую инерционность термочувствительного элемента.

Заключение

полупроводник диод фотодиод транзистор

Данная курсовая работа посвящена полупроводникам и их применению. Исходя из результатов проведенной работы, можно утверждать о том, что полупроводники являются быстро развивающимся разделом физики твердого тела и об этом свидетельствует присужденная в 2000 г. Нобелевская премия академику Ж.И. Алферову за исследование гетеропереходов, разработку технологии их формирования и за организацию производства полупроводниковых приборов на основе гетеропереходов.

В проделанной работе я рассмотрел четыре типа полупроводниковых приборов: диод, фотодиод, транзистор и термистор, попытался описать их основные свойства и характеристики, однако существуют толстенные справочники, где указаны только названия приборов и указаны самые основные свойства, а их описание уже занимает несколько тысяч страниц.

Интенсивное развитие электроники связано с появлением новых разнообразных полупроводниковых приборов и интегральных микросхем которые находят широкое применение в вычислительной технике, космонавтике, автоматике, радиотехнике и телевидении, в установках измерительной техники, медицине, биологии и т. д.

Размещено на Allbest.ru


Подобные документы

  • Сведения о полупроводниках их классификация. Собственная и примесная проводимость полупроводников. Характеристика группы органических полупроводников. Электропроводность низкомолекулярных органических полупроводников. Электрические свойства полимерных.

    курсовая работа [779,2 K], добавлен 24.07.2010

  • Строение полупроводников - материалов, которые по своей удельной проводимости занимает промежуточное место между проводниками и диэлектриками. Электронная проводимость, обусловливаемая наличием у полупроводника свободных электронов. Донорные примеси.

    дипломная работа [676,6 K], добавлен 24.09.2015

  • Классификация и типы полупроводников, их характеристики и свойства. Контактные явления на границе раздела полупроводников различных типов. Изучение работы соответствующих устройств, резонанс токов и напряжений. Изучение вольтмперной характеристики диода.

    дипломная работа [608,0 K], добавлен 03.07.2015

  • Классификация диодов в зависимости от технологии изготовления: плоскостные, точечные, микросплавные, мезадиффузионные, эпитаксально-планарные. Виды диодов по функциональному назначению. Основные параметры, схемы включения и вольт-амперные характеристики.

    курсовая работа [909,2 K], добавлен 22.01.2015

  • Деление твердых тел на диэлектрики, проводники и полупроводники. Собственная и примесная проводимость полупроводниковых материалов. Исследование изменений сопротивления кристаллов германия и кремния при нагревании, определение энергии их активации.

    лабораторная работа [120,4 K], добавлен 10.05.2016

  • Полупроводники - вещества, обладающие электронной проводимостью, занимающие промежуточное положение между металлами и изоляторами. История открытия, распространенность полупроводников в природе и человеческой практике, их применение в наноэлектронике.

    реферат [51,6 K], добавлен 10.01.2012

  • Зонная теория твердого тела. Теорема Блоха. Методы приближения сильной и слабой связи. Образование зон. Собственная и примесная проводимость. Квазичастицы: електрон проводимости, дырка, экситон Френкеля и Ванье-Мотта, полярон. Экситонные уровни и зоны.

    презентация [538,5 K], добавлен 15.10.2013

  • Полупроводники n- и p-типа, методы получения и их зонные диаграммы. Основные и неосновные носители зарядов. Прохождение тока через полупроводники с разным типом проводимости. Виды транзисторных технологий, методика изготовления и область применения.

    реферат [756,9 K], добавлен 28.07.2010

  • История открытия одноэлектронного транзистора, его конструкция, принцип работы, вольт-амперные характеристики. Явление кулоновской блокады. Наноэлектромеханический одноэлектронный транзистор с "механической рукой". Прототип транзистора на основе графена.

    реферат [246,7 K], добавлен 12.12.2013

  • Понятие полупроводникового диода. Вольт-амперные характеристики диодов. Расчет схемы измерительного прибора. Параметры используемых диодов. Основные параметры, устройство и конструкция полупроводниковых диодов. Устройство сплавного и точечного диодов.

    курсовая работа [1,0 M], добавлен 04.05.2011

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.