Изучение свойств P-N-перехода различными методами
Физика полупроводников. Примесная проводимость. Устройство и принцип действия полупроводниковых приборов. Способы экспериментального определения основных характеристик полупроводниковых приборов. Выпрямление тока. Стабилизация тока.
| Рубрика | Физика и энергетика |
| Вид | реферат |
| Язык | русский |
| Дата добавления | 09.03.2007 |
| Размер файла | 703,1 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
.
Поэтому, как следует из выше сказанного, показания вольтметра при измерении сглаженного напряжения окажутся в больше показаний прибора при измерении соответствующего пульсирующего напряжения.
СТАБИЛИЗАЦИЯ ТОКА
Суть эксперимента по изучению стабилизирующих свойств полупроводникового стабилитрона состоит в измерении напряжения, действующего на электродах стабилитрона при принудительном изменении величины питающего схему напряжения. Схема соответствующей установки показана на рисунке 9. Исследуемый стабилитрон VD2 и резисторы и здесь выполняют те же функции, что и в схеме, показанной на рисунке 5. Полупроводниковый диод VD1 является разделительным элементом между источником питающего (нестабилизированного, измеряемого вольтметром V1) напряжения и напряжением на нагрузке (стабилизированного, измеряемого вольтметром V2). Реостат R предназначен для плавной регулировки питающего напряжения.
Выполнение задания сводится к снятию зависимости
,
где - величина питающего схему напряжения, - величина стабилизированного напряжения (на электродах стабилитрона).
Результаты измерений целесообразно представлять графически как зависимость относительного изменения напряжения на электродах стабилитрона от напряжения . Величина , очевидно, определяется выражением:
.
Подобные документы
Электрофизические свойства полупроводников. Структура полупроводниковых кристаллов. Элементы зонной теории твердого тела. Микроструктурные исследования влияния электронного облучения на электрофизические характеристики полупроводниковых приборов.
курсовая работа [1,0 M], добавлен 18.09.2015Особая точность электродинамических приборов, их разновидности и применение для определения тока и напряжения в цепях переменного и постоянного тока. Принцип действия ваттметра, устройство магнитоэлектрического логометра, их распространение и применение.
реферат [511,9 K], добавлен 25.11.2010Определение тока утечки, мощности потери, удельных диэлектрических потерь при включении образца на переменное напряжение. Классификация и основные свойства полупроводниковых материалов. Физический смысл и область использования магнитных материалов.
контрольная работа [93,7 K], добавлен 28.10.2014Системы условных обозначений при использовании полупроводниковых приборов в электронных устройствах для унификации их обозначения и стандартизации параметров. Графические обозначения и стандарты. Биполярные транзисторы, принципы и правила их обозначения.
презентация [338,7 K], добавлен 09.11.2014Классификация полупроводников по различным признакам, их разновидности и характеристика, отличительные черты. Порядок и схемы включения и применения фотоэлектронных приборов. Динамические свойства аналоговых интегральных микросхем, порядок составления.
реферат [108,9 K], добавлен 03.04.2009Теоретические сведения о свойствах полупроводников. Предоставление энергетических диаграмм p-n перехода в условиях равновесия. Получение вольтамперной и вольтфарадной характеристик по заданным значениям напряжения и тока. Расчет концентрации примеси.
лабораторная работа [141,4 K], добавлен 21.01.2011Разработка системы стабилизации скорости электропривода на основе двигателя постоянного тока. Расчёт силового согласующего трансформатора, полупроводниковых приборов, фильтров, регуляторов скорости и тока. Рассмотрена методика наладки электрооборудования.
курсовая работа [614,7 K], добавлен 27.02.2012Составление и обоснование электрической схемы измерения вольт-амперных характеристик полупроводниковых приборов. Определение перечня необходимых измерительных приборов и оборудования, сборка экспериментальной установки. Построение графиков зависимостей.
курсовая работа [1,3 M], добавлен 19.11.2015Основные принципы действия электронных, ионных и полупроводниковых приборов. Движение свободных частиц. Четыре группы частиц, используемых в полупроводниковых приборах: электроны, ионы, нейтральные атомы, или молекулы, кванты электромагнитного излучения.
реферат [619,2 K], добавлен 28.11.2008Физические основы и практические результаты использования проникающих излучений в технологии ядерного легирования полупроводниковых материалов. Их применение в производстве полупроводниковых приборов, мощных кремниевых диодов, тиристоров и транзисторов.
курсовая работа [1,9 M], добавлен 08.06.2015
