Властивості сегнетоелектриків

У зсувних регістрах і лічильниках обчислювальних машин матрична селекція не вживається, тому тут можна використовувати імпульси напруги більшої амплітуди. Ця обставина зменшує зазначену вище межу часу спрацьовування. При малій ємності вихідного конденсатора напруга з виходу однієї комірки може бути безпосередньо докладено до іншої клітинки. Подібні регістри були побудовані з застосуванням монокристалів титанату барію і транзисторних керуючих ланцюгів. Були також створені регістри і накопичувачі на кераміках. Один з пристроїв, що допускають неруйнуюче зчитування інформації з комірки пам'яті, описано Кауфманом. Принцип його роботи полягає в тому, що при переполяризації осередки в результаті зміни знака спонтанної поляризації фаза вихідного сигналу змінюється так, що останній перебуває або в фазі, або в протифазі з опорним змінним п'єзоелектричним сигналом, вироблюваним при ультразвуковій вібрації осередка.

Сегнетоелектрична резонансна пара може служити основою бістабільних елементів обчислювальних машин. Якщо частота спрацьовування магнітних ферорезонансних пар складає приблизно 20 кГц, то з сегнетоелектриками можна отримати більшу швидкодію. В одному з типів таких пристроїв застосовуються два контури послідовного резонансу, підключених паралельно джерелу змінної напруги. У кожній такій ланцюга послідовно з'єднані нелінійний сегнетоелектричних конденсатор і лінійна індуктивність. Умова резонансу нелінійної ланцюга залежить від амплітуди. Якщо амплітуда напруги мала, то в обох плечах може мати місце лінійний резонанс, але є такий інтервал амплітуд, для якого здійснюється нелінійний резонанс, при якому заряд, що протікає в одному плечі, багато більше, ніж в іншому. Більший струм може протікати в будь-якому з плечей. Переключення з одного стану нелінійного резонансу на інше здійснюється за допомогою індуктивного зв'язку.

Висновок

Вивчивши даний клас матеріалів - сегнетоелектрики, ми знайшли, що їх найкраща властивість полягає в тому, що в них існують області однаковоспрямованої спонтанної поляризації - сегнетоелектричні домени. Під впливом зовнішніх впливів сегнетоелектрики можуть переходити з многодоменного стану в монодоменний. Ця властивість сегнетоелектриків використовується для створення на їх основі ЗУ ЕОМ. Багато сегнетоелектриків мають аномально високі значення діелектричної проникності і п'єзоелектричних констант,сильною залежністю фізичних властивостей від температури, що досягають екстремальних значень і максимальної нелінійності в околі точки фазового переходу сегнетоелектрика в сегнетоелектричну фазу.

1. Діелектричні властивості сегнетоелектриків характеризуються нелінійними залежностями між D і Е, гістерезисом, залежністю від напруженості поля, що пов'язано з наявністю електричних доменів.

2. Електропровідність сегнетоелектриків в певному відношенні також пов'язана з доменною структурою. Як і у деяких інших діелектриків, при включенні постійного поля в сегнетоелектриках спостерігається спад струму, пов'язаний зокрема, з сегнетоелектричної релаксаційної поляризацією.

3. Бар'єри у контактів, на межах зерен і електричних доменів визначають ряд фізичних явищ в сегнетоелектриках.

4. Антісегнетоелектрікі, тобто діелектрики, що мають домени, в яких результуюча спонтанна поляризація дорівнює нулю, в слабких полях мають лінійну залежність D як функцію Е, але в достатньо сильних полях можуть переходити в сегнетоелектричних стан. Антісегнетоелектрікі відрізняють від лінійних діелектриків і рядом інших властивостей.

5. Сегнетоелектрики знаходять широке практичне застосування. Найбільш широко застосовують сегнетоелектрики в малогабаритних конденсаторах великої ємності; причому зазвичай використовують у вигляді кераміки тверді розчини, які вибирають так, щоб виходив розмитий фазовий перехід для згладжування температурних залежностей.

Список використаної літератури

1. Дж. Барфут, Введение в физику сегнетоэлектрических явлений, изд-во "Мир", 352 стр., 1970.

2. Ф. Иона Д. Ширане, Сегнетоэлектрические кристаллы, изд-во "Мир",556 стр., 1965.

3. В.А. Овчинников, Общая физика электричества и магнетизма, М., 248 стр., 1975.

5. В.М. Гуревич, Электропроводность сегнетоэлектриков М., 359 стр., 1969. 6. Пасынков В.В., Сорокин В.С. Материалы электронной техники, 2-е изд. М.: ВШ., 1986.

7.Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики. Смоленский Т.А., Боков В.А., Крайник Н.Н., Пасынков Р.Е., Шур М.С. изд-во "Наука"., М, 1979.

8.Сегнетоэлектрики и ферромагнетики (Сборник статей. П.П. Пугачевич и др.) Калинин, 1973.

9.Электроника: Энциклопедический словарь. Гл. ред. В.Г. Колесников, М.: Сов. Энциклопедия, 1991.

10.Сегнетоэлектрики в технике СВЧ (О.Г. Вендик, И.В. Иванов, А.И. Соколов и др.); под ред. О.Т. Вендика. М.: Сов. Радио 1979

Размещено на Allbest.ru