Применение ионизирующего излучения для ускоренных испытаний на надежность МОП интегральных микросхем
Описание структуры и алгоритмов работы интегральных микросхем. Исследование образования поверхностных дефектов при воздействии низкоинтенсивного гамма-излучения. Методика прогнозирования отказов тестовых генераторов. Сопоставление результатов испытаний.
| Рубрика | Физика и энергетика |
| Вид | диссертация |
| Язык | русский |
| Дата добавления | 15.01.2015 |
| Размер файла | 3,1 M |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
11. Total- dose radiation annealing studies: implications for hardness assurance testing./ Winokur P.S. at al.// IEEE Trans. on Nuclear Sci. 1986. Vol.NS-33. No 6. P.1343-1351.
12. McWhorter P.J., Winokur P.S. Simple technique for separating the effects of interface traps and charge metal-oxide-semiconductor transistors. // J.Appl.Phys.Lett. 1986. Vol.48. No1. P.133-135.
13. Лебедев А.А., Орлова А.Ю., Попов В.Д. Роль эмиссии электронов в образовании поверхностных состояний в МОП-структуре при облучении гамма-лучами.-Вопросы атомной науки и техники. Сер.: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. Вып.1 - Лыткарино: ФГУП "НИИП", 2011. С.19-22.
14. Implementing OML for radiation hardness assurance./ P.S. Winokur, F.W. Sexton, D.M/Fleetwood, M.D. Terry, M.R. Shaneyfelt, P.V. Dressendorfer, J.R. Schwank.//IEEE Trans.on Nucl.Sci 1990. V.NS-37. No 3. P.1794-1798.
15. Ионизирующие излучения космического пространства и их воздействие на бортовую аппаратуру космических аппаратов./ Под научн. ред.д.т.н., проф. Г.Г. Райкунова.- М.: ФИЗМАТЛИТ, 2013.
16. Grunthaner F.J., Grunthaner F.J. Mat.Sci.Rep. 1986. Vol.1. P.65.
17. Конверсионная модель эффекта низкой интенсивности в биполярных микроэлектронных структурах при воздействии ионизирующего излучения./ В.С. Першенков, Д.В. Савченков, А.С. Бакеренков, В.Н. Улимов.//Микроэлектроника. 2006. Том 35. № 2. С.102-112.
18. Расчетный метод оценки стойкости биполярных приборов к воздействию ионизирующих излучений низкой интенсивности и использование конверсионной модели./В.С.Першенков, А.С.Бакеренков, С.А.Варламов, В.В.Беляков, В.АюЛапшинский.// Вопросы атомной науки и техники. Сер.Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. 2011.Вып.4. С.5-12.
19. McLean F.B. A framework for understanding radiation-induced interface states in SiO2 MOS structures.//IEEE Trans. on Nuclear Sci. 1980. Vol.NS-27. No 6. P.1651-1657.
20. Saks N.S., Klein R.B., Griscom D.L. Formation of interface traps in MOS FETs during annealing following low temperature irradiation.// IEEE Trans.on Nucl.Sci.1988. Vol.NS-35. No6. P.1234-1240.
21. Annealing of total dose damage: redistribution of interface states density on <100>, <110> and <111> orientation silicon./ R.E.Stahlbush, R.K.Lawrence, H.L.Hughes, N.S.Saks.//IEEE Trans.on Nucl.Sci. 1988. Vol.NS-35. No 6. P.1192-1196.
22. Nature of interface defect buildup in gated bipolar devices under low dose rate irradiation./X.J. Chen, H.J. Barnaby, R.D. Schrimpf, D.M. Fleetwood, R.L. Pease, D.J.Platteter, G.W. Dunham.// IEEE Trans.on Nucl.Sci. 2006. Vol.NS-53. No 6. P.3649-54.
23. Electronic structure theory and mechanisms of the oxide trapped hole annealing process./ Sh.P. Karna, A.C. Pineda, R.D. Pugh, W.M. Shedd, T.R. Oldham.// IEEE Trans.on Nucl.Sci. 2000. Vol.NS-47. No 6. P.2316-2321.
24. Mishima T.D., Lenahan P.M. A spin-dependent recombination study of radiation-induced pb centres at the (001) Si/SiO2 interface.// IEEE Trans.on Nucl.Sci. 2000. Vol.NS-47. No 6. P.2249-2255.
25. Hydrogen-related defects in irradiated SiO2./P.E. Bunson, M.Di. Ventura, S.T. Pantelides, D.M. Fleetwood, R.D.Schrimpf. // IEEE Trans.on Nucl.Sci. 2000. Vol.NS-47. No 6. P.2289-2296.
26. Proton-induced defect generation at the Si-SiO2 interface./ S.N.Rashkeev, , D.M. Fleetwood, R.D. Schrimpf, S.T.Pantelides.// // IEEE Trans.on Nucl.Sci. 2001. Vol.NS-48. No 6. P.2086-2092.
27. Fleetwood D.M. Border traps in MOS devices.// IEEE Trans.on Nucl.Sci. 1992. Vol.NS-39. No 6. P.269.
28. Physical model for enchanced interface-trap formation at low dose rates./ S.N. Rashkeev, C.R.Cirba, D.M. Fleetwood, R.D. Schrimpf, S.C. Witzak, A. Mishez, S.T. Pantelides.// IEEE Trans.on Nucl.Sci. 2002. Vol.NS-49. No 6. P.2650-2655.
29. Mechanisms of enhanced radiation-induced degradation due to excess molecular hydrogen in bipolar oxides./X.J. Chen, H.J. Barnaby, B. Vermeiere, K. Holbert, D. Wright, R.L. Pease, G. dunham, D.G. Platteter, J. Seiler, S. McClure, P. Adell.// IEEE Trans.on Nucl.Sci. 2007. Vol.NS-54. No 6. P.1913-1919.
30. The effects of aging on MOS irradiation and annealing response./ M.P. Rodgers, D.M. Fleetwood, R.D. Schrimpf, I.G. Batyrev, S Wang, S.T. Pantelides.// IEEE Trans.on Nucl.Sci. 2005. Vol.NS-52. No 6. P.2642-2648.
31. Effects of water on the aging and radiation response of MOS devices./ I.G. Batyrev, M.P. Rodgers, D.M. Fleetwood, R.D. Schrimpf, S.T. Pantelides.// IEEE Trans.on Nucl.Sci. 2006. Vol.NS-53. No 6. P.3629-3635.
32. Baze M.P., Plaag R.E., Johnston A.H. Dose dependence of interface traps in gate oxides at high levels of total dose.//IEEE Trans/on Nucl.Sci. 1989. Vol.NS-36. No 6. P.1858-1864.
33. Катеринич И.И., Попов В.Д., Чжо Ко Вин. Анализ изменения плотности поверхностных состояний состояний в МОП-приборах при воздействии гамма-излучения в широком диапазоне мощностей дозы.//Вопросы атомной науки и техники. Сер.Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. 2012. Вып.1. С.43-45.
34. Моделирование радиационных эффектов в КМОП ИС при воздействии электронного облучения различной интенсивности. / В.В. Емельянов, О.В. Мещуров, В.Ш. Насибуллин, Р.Г. Усеинов.// Вопросы атомной науки и техники. Сер.Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. Вып. 1 - 2. - М.: ЦНИИатоминформ, 1995. С.51 - 58.
35. Чжо Ко Вин. Применение ионизирующего излучения для ускоренных испытаний МОП интегральных схем.// Электронная техника. Сер.Полупроводниковые приборы. 2012. Вып.1(228). С.54-56.
36. Попов В.Д., Чжо Ко Вин. Радиационно-стимулированное старение интегральных микросхем.//Вопросы атомной науки и техники. Сер.Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. 2012. Вып.3. С.17-19.
37. Исследование процесса старения КМОП ИМС при длительном низкоинтенсивном воздействии гамма-излучения./А.В.Власов, Р.В.Власов, В.Д.Попов, Чжо Ко Вин.//Тезисы докладов 16 Всероссийской научно-технической конфекенции по радиационной стойкости электронных систем «Стойкость-2013» Научно-технический сборник.- Лыткарино: НИИП, 2013. С.116.
38. Дирнли Дж., Нортроп Д. Полупроводниковые счетчики ядерных излучений.- М.: Издательство «Мир», 1996.
39. Вавилов В.С., Ухин Н.А. Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборов.- Атомиздат, 1969.
40. Вавилов В.С., Кив Л.Е., Ниязова О.Р. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках.- М.: «Наука». Главная редакция физико-математической литературы. 1981.
41. Попов В.Д., Чжо Ко Вин. Исследование процесса старения КМОП микросхем при длительном низкоинтенсивном воздействии гамма-излучения.//Вопросы атомной науки и техники. Сер.:Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. 2013. Вып.. С.. В печати.
42. Андреев А.И., Катеринич И.И., Попов В.Д. Надежность и контроль качества интегральных микросхем (конспект лекций). Часть 2. Контроль качества.- М.: МИФИ, 2004.
43. Попов В.Д., Чжо Ко Вин, Чубунов П.А. Определение параметров надежности КМОП ИМС после низкоинтенсивного облучения.// Вопросы атомной науки и техники. Сер.:Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. 2012. Вып.4. С.46-47.
44. РД 11 1003-2000. Изделия полупроводниковой электроники. Метод прогнозирования надежности в условиях низкоинтенсивного ионизирующего облучения. - Санкт-Петербург: РНИИ «Электронстандарт», 2000.
45. Надежность изделий электронной техники для устройств народнохозайственного назначения. Справочник. Издание ?-е.- Санкт-Петербург: ВНИИ «Электронстандарт», 1991.
46. Анашин В.С., Попов В.Д. Неразрушающий экспериментально-аналитический метод определения индивидуальной дозовой радиационной стойкости КМОП БИС. // Системные проблемы надежности, качества, информационных и электронных технологий. М-лы Х международной конф. и Российской научной школы. Часть 1. - М.: Радио и связь, 2005. С.41 - 42.
47. Определение индивидуальных характеристик дозовой стойкости микроконтроллера ATmega-128 экстраполяцией изменения критериальных параметров при низкоинтенсивном облучении в пределах малых доз. /В.С.Анашин, А.В.Лебедев, В.Д.Попов, А.В.Скородумова, П.А.Чубунов, И.И.Шагурин.//Вопросы атомной науки и техники. Сер.Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. Научно-техн.сб. 2009.Вып.1. С. 59-61.
48. Чжо Ко Вин. Использование тестовых кольцевых генераторов для прогнозирования дозы отказа КМОП ИМС при воздействии низкоинтенсивного излучения.// Вопросы атомной науки и техники. Сер.Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. Научно-техн.сб. 2013.Вып.1. С. 67-69.
49. Белова Г.Ф., Попов В.Д., Селуянова Т.А. Анализ изменения параметров МОП транзисторов при длительном хранении КМОП ИМС. Научная сессия МИФИ - 2004. Том 1. - М.: МИФИ, 2004. С.91-92.
50. Белова Г.Ф., Попов В.Д., Чжо Ко Вин. Сравнение радиационного и термического старения МОП интегральных схем.// Вопросы атомной науки и техники. Сер.Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. Научно-техн.сб. 2012.Вып.2. С. 29-32.
51. Попов В.Д., Чжо Ко Вин. Сравнение роста плотности поверхностных состояний в МОП структуре при воздействии температуры и низкоинтенсивного ионизирующего излучения.-Флуктуационные и деградационные процессы в полупроводниковых приборах. М-лы докладов Международного научно-методического семинара. - М.:НИУ «МЭИ», 2013. С.88-91.
Приложение 1
Результаты определения средних значений и СКО при испытании микросхем 1526 ЛЕ5 в пассивном режиме при мощности дозы P= 0,1 рад /с.
|
Результаты измерения Ic , A |
|||||||||
|
0крад |
70крад |
90крад |
190крад |
||||||
|
Uз , B |
Ср.зн |
СКО |
Ср.зн |
СКО |
Ср.зн |
СКО |
|||
|
0 |
2.74E-10 |
3.33E-10 |
3.08378E-11 |
2.25E-10 |
2.31289E-11 |
2.92E-10 |
2.92133E-11 |
||
|
0.5 |
2.11E-10 |
2.89E-10 |
3.78511E-11 |
1.95E-10 |
2.15867E-11 |
2.75E-10 |
2.78467E-11 |
||
|
1 |
5.78E-10 |
2.31E-09 |
2.36191E-10 |
1.68E-09 |
2.1254E-10 |
2.76E-09 |
1.93273E-10 |
||
|
1.5 |
2.85E-07 |
9.72E-07 |
7.15762E-08 |
8.11E-07 |
7.57438E-08 |
1.11E-06 |
6.51756E-08 |
Ith= 2.47E-07 |
|
|
2 |
3.25E-05 |
4.69E-05 |
1.43798E-06 |
4.46E-05 |
1.61293E-06 |
4.85E-05 |
1.27478E-06 |
||
|
2.5 |
2.06E-04 |
2.36E-04 |
4.17778E-06 |
2.33E-04 |
4.38933E-06 |
2.38E-04 |
3.92489E-06 |
||
|
3 |
4.08E-04 |
3.78E-04 |
5.93302E-05 |
3.74E-04 |
6.01351E-05 |
3.48E-04 |
5.95402E-05 |
Img= 1.41E-13 |
|
Результаты измерения Ic , A |
||||||||
|
294крад |
594крад |
894крад |
||||||
|
Uз , B |
Ср.зн |
СКО |
Ср.зн |
СКО |
Ср.зн |
СКО |
||
|
0 |
3.73E-10 |
2.19956E-11 |
5.54E-10 |
3.53933E-11 |
7.21E-10 |
4.58422E-11 |
||
|
0.5 |
3.77E-10 |
1.84244E-11 |
5.60E-10 |
4.42089E-11 |
8.52E-10 |
6.38733E-11 |
||
|
1 |
5.28E-09 |
2.15689E-10 |
1.22E-08 |
9.79889E-10 |
2.96E-08 |
3.30691E-09 |
||
|
1.5 |
1.63E-06 |
8.10489E-08 |
2.35E-06 |
1.54331E-07 |
3.52E-06 |
4.0434E-07 |
Ith=2.47E-07 |
|
|
2 |
5.35E-05 |
1.78753E-06 |
5.54E-05 |
2.71956E-06 |
5.91E-05 |
3.66193E-06 |
||
|
2.5 |
2.44E-04 |
5.68644E-06 |
2.37E-04 |
8.40422E-06 |
2.35E-04 |
9.68178E-06 |
||
|
3 |
3.21E-04 |
5.75227E-05 |
2.51E-04 |
5.59182E-05 |
1.78E-04 |
4.37902E-05 |
Img= 1.41E-13 |
|
Результаты измерения Ic , A |
||||||||
|
1114крад |
1444крад |
1734крад |
||||||
|
Uз , B |
Ср.зн |
СКО |
Ср.зн |
СКО |
Ср.зн |
СКО |
||
|
0 |
9.73E-10 |
5.92533E-11 |
1.15E-09 |
6.68467E-11 |
1.80E-09 |
9.21911E-11 |
||
|
0.5 |
1.14E-09 |
1.07918E-10 |
1.39E-09 |
9.66444E-11 |
2.31E-09 |
1.30962E-10 |
||
|
1 |
4.18E-08 |
1.90936E-09 |
4.74E-08 |
7.23382E-09 |
7.12E-08 |
8.52956E-09 |
||
|
1.5 |
3.83E-06 |
2.11276E-07 |
3.86E-06 |
5.95656E-07 |
4.41E-06 |
6.53136E-07 |
Ith=2.47E-07 |
|
|
2 |
5.82E-05 |
2.64789E-06 |
5.56E-05 |
4.87689E-06 |
5.50E-05 |
5.45613E-06 |
||
|
2.5 |
2.28E-04 |
8.01244E-06 |
2.17E-04 |
1.23591E-05 |
2.09E-04 |
1.41129E-05 |
||
|
3 |
1.50E-04 |
3.89998E-05 |
1.34E-04 |
3.75851E-05 |
1.12E-04 |
3.46151E-05 |
Img= 1.41E-13 |
Приложение 2
Результаты определения средних значений токов стака МОП транзисторв и СКО при испытаниях 1526 ЛЕ5 в режиме переключения
|
Результаты измерения Ic , A |
|||||||||
|
0крад |
20крад |
120крад |
420крад |
||||||
|
Uз , B |
Ср.зн |
СКО |
Ср.зн |
СКО |
Ср.зн |
СКО |
|||
|
0 |
2.74E-10 |
2.91E-10 |
4.08622E-11 |
3.12E-10 |
3.55022E-11 |
5.23E-10 |
6.36E-11 |
||
|
0.5 |
2.11E-10 |
2.64E-10 |
5.00089E-11 |
3.01E-10 |
5.45489E-11 |
4.99E-10 |
6.96E-11 |
||
|
1 |
5.78E-10 |
1.41E-09 |
3.88829E-10 |
1.52E-09 |
3.87402E-10 |
2.28E-09 |
8.06E-10 |
||
|
1.5 |
2.85E-07 |
5.79E-07 |
1.45502E-07 |
5.33E-07 |
1.35392E-07 |
4.10E-07 |
1.67E-07 |
Ith=2.47E-07 |
|
|
2 |
3.25E-05 |
3.76E-05 |
3.87284E-06 |
3.44E-05 |
3.75169E-06 |
2.53E-05 |
4.68E-06 |
||
|
2.5 |
2.06E-04 |
2.13E-04 |
1.02793E-05 |
2.00E-04 |
9.68956E-06 |
1.62E-04 |
1.38E-05 |
||
|
3 |
4.08E-04 |
4.04E-04 |
7.08556E-06 |
3.86E-04 |
6.42E-06 |
3.27E-04 |
2.94E-05 |
Img= 1.41E-13 |
|
Результаты измерения Ic , A |
|||||||||
|
720крад |
970крад |
1270крад |
1560крад |
||||||
|
Uз , B |
Ср.зн |
СКО |
Ср.зн |
СКО |
Ср.зн |
СКО |
Ср.зн |
СКО |
|
|
0 |
5.14E-10 |
1.35316E-10 |
7.82E-10 |
1.20018E-10 |
8.96E-10 |
1.17E-10 |
1.47E-09 |
2.37184E-10 |
|
|
0.5 |
5.05E-10 |
1.40709E-10 |
7.66E-10 |
1.36456E-10 |
8.82E-10 |
1.43E-10 |
1.49E-09 |
2.67576E-10 |
|
|
1 |
1.66E-09 |
8.18818E-10 |
2.35E-09 |
8.1822E-10 |
2.63E-09 |
8.6E-10 |
3.98E-09 |
1.31662E-09 |
|
|
1.5 |
1.36E-07 |
6.39402E-08 |
1.47E-07 |
5.63667E-08 |
1.33E-07 |
3.91E-08 |
1.43E-07 |
3.94724E-08 |
|
|
2 |
1.05E-05 |
2.4424E-06 |
1.00E-05 |
2.09447E-06 |
8.33E-06 |
1.6E-06 |
7.57E-06 |
1.43742E-06 |
|
|
2.5 |
9.95E-05 |
1.27014E-05 |
9.34E-05 |
1.09855E-05 |
8.25E-05 |
8.92E-06 |
7.48E-05 |
8.13438E-06 |
|
|
3 |
2.11E-04 |
4.60262E-05 |
2.25E-04 |
3.43364E-05 |
2.23E-04 |
3.12E-05 |
2.21E-04 |
2.67409E-05 |
Приложение 3
Результаты определения средних значений и СКО при испытаниях тестовых МОП транзисторов с КНИ структурой при облучении с мощностью дозы Р=0,1 рад/с.
|
Результаты измерения Ic , A |
||||||||
|
0 крад |
103 крад |
206 крад |
||||||
|
Uз , B |
Ср.зн |
СКО |
Ср.зн |
СКО |
Ср.зн |
СКО |
||
|
-2 |
5.35E-12 |
1.12E-11 |
1.15E-10 |
1.97E-10 |
9.18E-10 |
1.43E-09 |
||
|
-1.9 |
6.24E-12 |
2.70E-11 |
6.11E-09 |
9.94E-09 |
9.86E-09 |
1.44E-08 |
||
|
-1.8 |
1.11E-10 |
2.08E-10 |
1.85E-08 |
2.85E-08 |
3.35E-08 |
5.06E-08 |
||
|
-1.7 |
5.63E-10 |
1.05E-09 |
4.77E-08 |
7.01E-08 |
6.89E-08 |
1.04E-07 |
||
|
-1.6 |
2.39E-09 |
4.48E-09 |
8.01E-08 |
1.17E-07 |
9.52E-08 |
1.42E-07 |
||
|
-1.5 |
6.46E-09 |
1.21E-08 |
1.09E-07 |
1.60E-07 |
1.10E-07 |
1.63E-07 |
||
|
-1.4 |
1.49E-08 |
2.80E-08 |
1.26E-07 |
1.85E-07 |
1.19E-07 |
1.74E-07 |
||
|
-1.3 |
2.93E-08 |
5.49E-08 |
1.35E-07 |
1.97E-07 |
1.24E-07 |
1.80E-07 |
||
|
-1.2 |
4.89E-08 |
9.17E-08 |
1.40E-07 |
2.05E-07 |
1.28E-07 |
1.89E-07 |
||
|
-1.1 |
7.12E-08 |
1.34E-07 |
1.41E-07 |
2.07E-07 |
1.39E-07 |
2.03E-07 |
||
|
-1 |
1.01E-07 |
1.89E-07 |
1.47E-07 |
2.15E-07 |
1.41E-07 |
2.07E-07 |
||
|
-0.9 |
1.29E-07 |
2.43E-07 |
1.56E-07 |
2.28E-07 |
1.47E-07 |
2.16E-07 |
||
|
-0.8 |
1.56E-07 |
2.93E-07 |
1.67E-07 |
2.45E-07 |
1.53E-07 |
2.26E-07 |
||
|
-0.7 |
1.69E-07 |
3.17E-07 |
1.73E-07 |
2.53E-07 |
1.58E-07 |
2.31E-07 |
||
|
-0.6 |
1.78E-07 |
3.34E-07 |
1.76E-07 |
2.57E-07 |
1.64E-07 |
2.38E-07 |
||
|
-0.5 |
1.81E-07 |
3.39E-07 |
1.85E-07 |
2.71E-07 |
1.72E-07 |
2.49E-07 |
||
|
-0.4 |
1.84E-07 |
3.44E-07 |
1.97E-07 |
2.88E-07 |
1.82E-07 |
2.62E-07 |
||
|
-0.3 |
1.82E-07 |
3.41E-07 |
2.06E-07 |
3.02E-07 |
1.92E-07 |
2.75E-07 |
||
|
-0.2 |
1.83E-07 |
3.44E-07 |
2.16E-07 |
3.15E-07 |
2.03E-07 |
2.92E-07 |
||
|
-0.1 |
1.82E-07 |
3.42E-07 |
2.27E-07 |
3.31E-07 |
2.10E-07 |
2.99E-07 |
||
|
0 |
1.87E-07 |
3.51E-07 |
2.40E-07 |
3.46E-07 |
2.24E-07 |
3.16E-07 |
||
|
0.1 |
1.92E-07 |
3.59E-07 |
2.87E-07 |
3.86E-07 |
2.64E-07 |
3.61E-07 |
||
|
0.2 |
1.97E-07 |
3.67E-07 |
5.40E-07 |
5.51E-07 |
4.85E-07 |
5.62E-07 |
Ith=7.03E-07 |
|
|
0.3 |
2.17E-07 |
3.76E-07 |
1.64E-06 |
1.53E-06 |
1.49E-06 |
1.45E-06 |
||
|
0.4 |
4.93E-07 |
4.97E-07 |
4.73E-06 |
4.40E-06 |
4.42E-06 |
3.94E-06 |
||
|
0.5 |
3.15E-06 |
3.04E-06 |
1.16E-05 |
1.07E-05 |
1.11E-05 |
9.44E-06 |
||
|
0.6 |
1.67E-05 |
1.61E-05 |
2.85E-05 |
2.61E-05 |
2.81E-05 |
2.37E-05 |
||
|
0.7 |
5.07E-05 |
4.89E-05 |
6.37E-05 |
5.80E-05 |
6.51E-05 |
5.45E-05 |
||
|
0.8 |
9.90E-05 |
9.51E-05 |
1.14E-04 |
0.000103 |
1.18E-04 |
9.84E-05 |
||
|
0.9 |
1.49E-04 |
0.000143 |
1.67E-04 |
0.00015 |
1.74E-04 |
0.000144 |
||
|
1 |
1.96E-04 |
0.000187 |
2.16E-04 |
0.000194 |
2.26E-04 |
0.000186 |
||
|
1.1 |
2.39E-04 |
0.000227 |
2.61E-04 |
0.000233 |
2.73E-04 |
0.000225 |
||
|
1.2 |
2.77E-04 |
0.000262 |
3.02E-04 |
0.000268 |
3.16E-04 |
0.000259 |
||
|
1.3 |
3.11E-04 |
0.000293 |
3.38E-04 |
0.000299 |
3.54E-04 |
0.000288 |
||
|
1.4 |
3.41E-04 |
0.00032 |
3.71E-04 |
0.000327 |
3.88E-04 |
0.000315 |
||
|
1.5 |
3.69E-04 |
0.000345 |
4.00E-04 |
0.000352 |
4.19E-04 |
0.000339 |
||
|
1.6 |
3.94E-04 |
0.000367 |
4.28E-04 |
0.000375 |
4.47E-04 |
0.000361 |
||
|
1.7 |
4.17E-04 |
0.000387 |
4.52E-04 |
0.000395 |
4.73E-04 |
0.00038 |
||
|
1.8 |
4.38E-04 |
0.000406 |
4.74E-04 |
0.000413 |
4.96E-04 |
0.000398 |
||
|
1.9 |
4.57E-04 |
0.000422 |
4.95E-04 |
0.00043 |
5.18E-04 |
0.000414 |
||
|
2 |
4.75E-04 |
0.000437 |
5.13E-04 |
0.000445 |
5.37E-04 |
0.000429 |
||
|
2.1 |
4.91E-04 |
0.000451 |
5.31E-04 |
0.000459 |
5.55E-04 |
0.000442 |
||
|
2.2 |
5.06E-04 |
0.000464 |
5.47E-04 |
0.000472 |
5.72E-04 |
0.000455 |
||
|
2.3 |
5.19E-04 |
0.000475 |
5.61E-04 |
0.000484 |
5.87E-04 |
0.000466 |
||
|
2.4 |
5.32E-04 |
0.000486 |
5.75E-04 |
0.000495 |
6.01E-04 |
0.000477 |
||
|
2.5 |
5.44E-04 |
0.000496 |
5.88E-04 |
0.000505 |
6.14E-04 |
0.000486 |
||
|
2.6 |
5.55E-04 |
0.000505 |
5.99E-04 |
0.000514 |
6.27E-04 |
0.000495 |
||
|
2.7 |
5.65E-04 |
0.000514 |
6.10E-04 |
0.000523 |
6.38E-04 |
0.000504 |
||
|
2.8 |
5.75E-04 |
0.000522 |
6.20E-04 |
0.000531 |
6.49E-04 |
0.000511 |
||
|
2.9 |
5.83E-04 |
0.000529 |
6.30E-04 |
0.000538 |
6.59E-04 |
0.000519 |
||
|
3 |
5.92E-04 |
0.000536 |
6.39E-04 |
0.000545 |
6.68E-04 |
0.000525 |
||
|
3.1 |
5.99E-04 |
0.000543 |
6.47E-04 |
0.000552 |
6.76E-04 |
0.000531 |
||
|
3.2 |
6.06E-04 |
0.000549 |
6.54E-04 |
0.000558 |
6.84E-04 |
0.000537 |
||
|
3.3 |
6.13E-04 |
0.000554 |
6.61E-04 |
0.000563 |
6.91E-04 |
0.000543 |
||
|
3.4 |
6.19E-04 |
0.00056 |
6.68E-04 |
0.000569 |
6.98E-04 |
0.000548 |
||
|
3.5 |
6.25E-04 |
0.000565 |
6.74E-04 |
0.000573 |
7.04E-04 |
0.000553 |
||
|
3.6 |
6.30E-04 |
0.000569 |
6.80E-04 |
0.000578 |
7.10E-04 |
0.000557 |
Img=9.79E-15 |
|
Результаты измерения Ic , A |
||||||||
|
309крад |
423 крад |
526 крад |
||||||
|
Uз , B |
Ср.зн |
СКО |
Ср.зн |
СКО |
Ср.зн |
СКО |
||
|
-2 |
1.99E-09 |
3.09E-09 |
9.33E-09 |
1.22E-08 |
3.69E-08 |
5.74E-08 |
||
|
-1.9 |
2.97E-08 |
4.01E-08 |
9.44E-08 |
1.34E-07 |
1.64E-07 |
2.40E-07 |
||
|
-1.8 |
7.66E-08 |
1.05E-07 |
1.66E-07 |
2.36E-07 |
2.13E-07 |
3.02E-07 |
||
|
-1.7 |
1.16E-07 |
1.59E-07 |
1.98E-07 |
2.82E-07 |
2.45E-07 |
3.47E-07 |
||
|
-1.6 |
1.36E-07 |
1.86E-07 |
2.17E-07 |
3.09E-07 |
2.57E-07 |
3.64E-07 |
||
|
-1.5 |
1.45E-07 |
2.00E-07 |
2.19E-07 |
3.11E-07 |
2.69E-07 |
3.80E-07 |
||
|
-1.4 |
1.51E-07 |
2.08E-07 |
2.29E-07 |
3.26E-07 |
2.75E-07 |
3.88E-07 |
||
|
-1.3 |
1.58E-07 |
2.17E-07 |
2.42E-07 |
3.45E-07 |
2.86E-07 |
4.05E-07 |
||
|
-1.2 |
1.64E-07 |
2.26E-07 |
2.48E-07 |
3.53E-07 |
2.92E-07 |
4.13E-07 |
||
|
-1.1 |
1.73E-07 |
2.39E-07 |
2.57E-07 |
3.66E-07 |
3.03E-07 |
4.29E-07 |
||
|
-1 |
1.78E-07 |
2.46E-07 |
2.68E-07 |
3.81E-07 |
3.16E-07 |
4.46E-07 |
||
|
-0.9 |
1.85E-07 |
2.55E-07 |
2.76E-07 |
3.92E-07 |
3.23E-07 |
4.57E-07 |
||
|
-0.8 |
1.93E-07 |
2.66E-07 |
2.87E-07 |
4.08E-07 |
3.34E-07 |
4.71E-07 |
||
|
-0.7 |
2.01E-07 |
2.77E-07 |
2.95E-07 |
4.19E-07 |
3.42E-07 |
4.82E-07 |
||
|
-0.6 |
2.08E-07 |
2.87E-07 |
3.02E-07 |
4.30E-07 |
3.50E-07 |
4.92E-07 |
||
|
-0.5 |
2.10E-07 |
2.90E-07 |
3.14E-07 |
4.46E-07 |
3.62E-07 |
5.09E-07 |
||
|
-0.4 |
2.25E-07 |
3.10E-07 |
3.25E-07 |
4.61E-07 |
3.71E-07 |
5.22E-07 |
||
|
-0.3 |
2.36E-07 |
3.25E-07 |
3.38E-07 |
4.79E-07 |
3.84E-07 |
5.39E-07 |
||
|
-0.2 |
2.48E-07 |
3.42E-07 |
3.52E-07 |
4.99E-07 |
3.96E-07 |
5.56E-07 |
||
|
-0.1 |
2.58E-07 |
3.55E-07 |
3.64E-07 |
5.16E-07 |
4.13E-07 |
5.79E-07 |
||
|
0 |
2.70E-07 |
3.71E-07 |
3.86E-07 |
5.45E-07 |
4.32E-07 |
6.04E-07 |
||
|
0.1 |
3.08E-07 |
4.14E-07 |
4.25E-07 |
5.89E-07 |
4.73E-07 |
6.54E-07 |
||
|
0.2 |
4.52E-07 |
5.51E-07 |
5.44E-07 |
6.98E-07 |
5.68E-07 |
7.55E-07 |
Ith=7.03E-07 |
|
|
0.3 |
1.09E-06 |
1.09E-06 |
1.06E-06 |
1.10E-06 |
9.27E-07 |
1.12E-06 |
||
|
0.4 |
3.28E-06 |
3.07E-06 |
2.75E-06 |
2.36E-06 |
1.99E-06 |
2.12E-06 |
||
|
0.5 |
8.66E-06 |
7.94E-06 |
7.14E-06 |
6.08E-06 |
4.66E-06 |
4.61E-06 |
||
|
0.6 |
2.30E-05 |
2.09E-05 |
1.92E-05 |
1.62E-05 |
1.17E-05 |
1.10E-05 |
||
|
0.7 |
5.52E-05 |
4.96E-05 |
4.80E-05 |
4.01E-05 |
2.92E-05 |
2.57E-05 |
||
|
0.8 |
1.02E-04 |
9.13E-05 |
9.26E-05 |
7.69E-05 |
6.09E-05 |
5.07E-05 |
||
|
0.9 |
1.54E-04 |
0.000137 |
1.44E-04 |
0.000119 |
1.03E-04 |
8.49E-05 |
||
|
1 |
2.03E-04 |
0.000179 |
1.94E-04 |
0.00016 |
1.48E-04 |
0.000122 |
||
|
1.1 |
2.48E-04 |
0.000218 |
2.40E-04 |
0.000197 |
1.94E-04 |
0.000159 |
||
|
1.2 |
2.88E-04 |
0.000253 |
2.83E-04 |
0.000231 |
2.36E-04 |
0.000193 |
||
|
1.3 |
3.24E-04 |
0.000284 |
3.23E-04 |
0.000262 |
2.76E-04 |
0.000225 |
||
|
1.4 |
3.57E-04 |
0.000311 |
3.58E-04 |
0.00029 |
3.13E-04 |
0.000254 |
||
|
1.5 |
3.87E-04 |
0.000336 |
3.90E-04 |
0.000315 |
3.47E-04 |
0.00028 |
||
|
1.6 |
4.14E-04 |
0.000358 |
4.19E-04 |
0.000338 |
3.78E-04 |
0.000305 |
||
|
1.7 |
4.39E-04 |
0.000379 |
4.46E-04 |
0.000359 |
4.06E-04 |
0.000327 |
||
|
1.8 |
4.61E-04 |
0.000397 |
4.70E-04 |
0.000377 |
4.32E-04 |
0.000347 |
||
|
1.9 |
4.82E-04 |
0.000414 |
4.93E-04 |
0.000394 |
4.57E-04 |
0.000366 |
||
|
2 |
5.01E-04 |
0.000429 |
5.13E-04 |
0.00041 |
4.79E-04 |
0.000383 |
||
|
2.1 |
5.19E-04 |
0.000443 |
5.32E-04 |
0.000424 |
5.00E-04 |
0.000398 |
||
|
2.2 |
5.34E-04 |
0.000455 |
5.50E-04 |
0.000437 |
5.18E-04 |
0.000412 |
||
|
2.3 |
5.49E-04 |
0.000467 |
5.66E-04 |
0.000449 |
5.36E-04 |
0.000426 |
||
|
2.4 |
5.62E-04 |
0.000477 |
5.81E-04 |
0.000461 |
5.52E-04 |
0.000438 |
||
|
2.5 |
5.73E-04 |
0.000486 |
5.94E-04 |
0.00047 |
5.66E-04 |
0.000448 |
||
|
2.6 |
5.84E-04 |
0.000494 |
6.06E-04 |
0.000479 |
5.79E-04 |
0.000458 |
||
|
2.7 |
5.93E-04 |
0.000501 |
6.16E-04 |
0.000486 |
5.90E-04 |
0.000466 |
||
|
2.8 |
6.02E-04 |
0.000508 |
6.26E-04 |
0.000493 |
6.01E-04 |
0.000474 |
||
|
2.9 |
6.10E-04 |
0.000514 |
6.35E-04 |
0.0005 |
6.11E-04 |
0.000481 |
||
|
3 |
6.18E-04 |
0.00052 |
6.43E-04 |
0.000506 |
6.21E-04 |
0.000488 |
||
|
3.1 |
6.25E-04 |
0.000526 |
6.52E-04 |
0.000512 |
6.30E-04 |
0.000495 |
||
|
3.2 |
6.32E-04 |
0.000531 |
6.59E-04 |
0.000517 |
6.38E-04 |
0.000501 |
||
|
3.3 |
6.38E-04 |
0.000536 |
6.66E-04 |
0.000523 |
6.46E-04 |
0.000507 |
||
|
3.4 |
6.44E-04 |
0.00054 |
6.73E-04 |
0.000527 |
6.53E-04 |
0.000512 |
||
|
3.5 |
6.49E-04 |
0.000544 |
6.78E-04 |
0.000531 |
6.59E-04 |
0.000517 |
||
|
3.6 |
6.54E-04 |
0.000548 |
6.84E-04 |
0.000536 |
6.66E-04 |
0.000521 |
Img=9.79E-15 |
Приложение 4
Результаты определения средних значений токов стака МОП транзисторв и СКО при испытаниях 1526 ЛЕ5 при температуре 150о С.
|
Результаты измерения Ic , A |
|||||||||
|
0ч |
1160ч |
1260ч |
1360ч |
||||||
|
Uз , B |
Ср.зн |
СКО |
Ср.зн |
СКО |
Ср.зн |
СКО |
|||
|
0 |
2.74E-10 |
1.73E-10 |
2.38E-11 |
1.48E-10 |
2.4575E-11 |
1.39E-10 |
2.46E-11 |
||
|
0.5 |
2.11E-10 |
1.47E-10 |
2.23E-11 |
1.49E-10 |
2.693E-11 |
1.41E-10 |
2.82E-11 |
||
|
1 |
5.78E-10 |
4.09E-10 |
1.13E-11 |
3.40E-10 |
1.298E-11 |
3.17E-10 |
1.55E-11 |
||
|
1.5 |
2.85E-07 |
2.34E-07 |
2.15E-08 |
2.05E-07 |
1.8513E-08 |
1.95E-07 |
1.73E-08 |
Ith=2.47E-07 |
|
|
2 |
3.25E-05 |
3.02E-05 |
1.55E-06 |
2.91E-05 |
1.4788E-06 |
2.86E-05 |
1.45E-06 |
||
|
2.5 |
2.06E-04 |
2.02E-04 |
6.2E-06 |
2.00E-04 |
0.00000615 |
1.99E-04 |
6.14E-06 |
||
|
3 |
4.08E-04 |
4.42E-04 |
1.34E-05 |
4.43E-04 |
0.0000134 |
4.43E-04 |
1.36E-05 |
Img= 1.41E-13 |
|
Результаты измерения Ic , A |
||||||||
|
1460ч |
1560ч |
1660ч |
||||||
|
Uз , B |
Ср.зн |
СКО |
Ср.зн |
СКО |
Ср.зн |
СКО |
||
|
0 |
1.58E-10 |
2.745E-11 |
1.57E-10 |
2.89E-11 |
1.63E-10 |
3.3225E-11 |
||
|
0.5 |
1.46E-10 |
2.595E-11 |
1.52E-10 |
2.93E-11 |
1.40E-10 |
2.525E-11 |
||
|
1 |
3.95E-10 |
2.076E-11 |
3.62E-10 |
1.43E-11 |
3.80E-10 |
1.1433E-11 |
||
|
1.5 |
2.23E-07 |
1.9063E-08 |
2.11E-07 |
1.75E-08 |
2.18E-07 |
1.802E-08 |
Ith=2.47E-07 |
|
|
2 |
2.98E-05 |
1.4775E-06 |
2.92E-05 |
1.43E-06 |
2.95E-05 |
1.4269E-06 |
||
|
2.5 |
2.01E-04 |
6.2E-06 |
2.01E-04 |
6.12E-06 |
2.01E-04 |
5.9993E-06 |
||
|
3 |
4.42E-04 |
1.3525E-05 |
4.43E-04 |
1.35E-05 |
4.43E-04 |
0.0000135 |
Img= 1.41E-13 |
|
Результаты измерения Ic , A |
||||||||
|
1750ч |
1850ч |
1970ч |
||||||
|
Uз , B |
Ср.зн |
СКО |
Ср.зн |
СКО |
Ср.зн |
СКО |
||
|
0 |
2.01E-10 |
3.57E-11 |
1.54E-10 |
2.5998E-11 |
2.31E-10 |
3.92E-11 |
||
|
0.5 |
1.82E-10 |
3.13E-11 |
1.41E-10 |
3.035E-11 |
2.20E-10 |
3.87E-11 |
||
|
1 |
4.94E-10 |
2.01E-11 |
3.73E-10 |
1.2942E-11 |
5.83E-10 |
2.06E-11 |
||
|
1.5 |
2.62E-07 |
2.34E-08 |
2.18E-07 |
1.9776E-08 |
2.98E-07 |
2.73E-08 |
Ith=2.47E-07 |
|
|
2 |
3.12E-05 |
1.57E-06 |
2.95E-05 |
1.5174E-06 |
3.24E-05 |
1.64E-06 |
||
|
2.5 |
2.04E-04 |
6.14E-06 |
2.01E-04 |
6.11E-06 |
2.06E-04 |
6.32E-06 |
||
|
3 |
4.41E-04 |
1.33E-05 |
4.42E-04 |
1.3444E-05 |
4.40E-04 |
1.31E-05 |
Img= 1.41E-13 |
|
Результаты измерения Ic , A |
||||||||
|
2210ч |
2410ч |
2610ч |
||||||
|
Uз , B |
Ср.зн |
СКО |
Ср.зн |
СКО |
Ср.зн |
СКО |
||
|
0 |
2.30E-10 |
3.8772E-11 |
2.94E-10 |
5.55E-11 |
9.56E-09 |
1.1488E-09 |
||
|
0.5 |
2.06E-10 |
3.8574E-11 |
2.67E-10 |
5.09E-11 |
8.98E-09 |
1.1133E-09 |
||
|
1 |
5.38E-10 |
1.435E-11 |
7.48E-10 |
2.34E-11 |
8.88E-09 |
1.0672E-09 |
||
|
1.5 |
2.79E-07 |
2.5189E-08 |
3.52E-07 |
2.79E-08 |
2.12E-07 |
1.6626E-08 |
Ith=2.47E-07 |
|
|
2 |
3.18E-05 |
1.6057E-06 |
3.40E-05 |
1.57E-06 |
2.89E-05 |
1.4446E-06 |
||
|
2.5 |
2.05E-04 |
6.2843E-06 |
2.08E-04 |
6.19E-06 |
2.00E-04 |
6.0578E-06 |
||
|
3 |
4.41E-04 |
1.3162E-05 |
1.34E-04 |
3.75851E-05 |
1.12E-04 |
3.46151E-05 |
Img= 1.41E-13 |
Приложение 5
Результаты измерения минимального напряжения тестовых кольцевых генераторов при воздействии ИИ с мощностью дозы и при температуре 150о С.
|
минимальное напряжние U , В |
|||||
|
время t , ч |
|||||
|
Тестовая схема |
Кольцевой генератор |
0ч |
31,76ч |
60ч |
|
|
K1R001 |
CG5 |
1,1 |
2 |
2,2 |
|
|
K1R004 |
CG1 |
0,8 |
0,9 |
1,4 |
|
минимальное напряжние U , В |
|||||||
|
Доза, крад |
|||||||
|
Тестовая схема |
Кольцевой генератор |
0 |
10 |
50 |
100 |
150 |
|
|
K1R001 |
CG5 |
0,7 |
0,9 |
1,1 |
1,7 |
4,8 |
|
|
K1R004 |
CG1 |
0,7 |
0,9 |
1,1 |
1,8 |
Размещено на Allbest.ru
Подобные документы
Знакомство с технологией получения равномерно-легированного кристалла с применением метода Чохральского. Этапы расчета массы хрома, загружаемого в установку. Характеристика требований к материалу подложки. Особенности работы интегральных микросхем.
контрольная работа [481,0 K], добавлен 30.06.2014Выбор делителя фотоэлектронного умножителя и сцинтилятора для блока детектирования дозиметра гамма-излучения. Преобразование тока анода ФЭУ в последовательность стандартных импульсов. Анализ параметров интегральных схем для построения преобразователя.
дипломная работа [179,6 K], добавлен 11.12.2015Физические основы метода гамма-гамма каротаж. Его виды, преимущество и применение. Взаимодействия квантов с веществом. Измерение характеристик рассеянного гамма-излучения, возникающего при облучении горных пород внешним источником гамма-излучения.
презентация [146,3 K], добавлен 23.03.2015Характеристика методик испытаний, используемых для целей сертификации. Принципы эллипсометрического измерения температуропроводности наноструктурированных материалов. Процессы температуропроводности в нанопокрытиях при воздействии лазерного излучения.
курсовая работа [642,1 K], добавлен 13.12.2014Порядок и главные правила измерения величин I0 и Iфон с заданной статистической погрешностью. Определение излучения исследуемого радиоактивного изотопа. Направления и перспективы устранения различных систематических погрешностей в данном эксперименте.
лабораторная работа [149,1 K], добавлен 01.12.2014Физические основы метода гамма-гамма каротажа, применение этого метода при решении геологических и геофизических задач. Методы рассеянного гамма-излучения. Изменение характеристик потока гамма-квантов. Глубинность исследования плотностного метода.
курсовая работа [786,8 K], добавлен 01.06.2015Изучение возникновения и применения гамма-излучения. Особенности использования в качестве детекторов в дозиметрических приборах газоразрядных счетчиков, работа которых основана на ионизирующем действии ядерного излучения; их достоинства и недостатки.
курсовая работа [696,4 K], добавлен 24.11.2013Ядерно-физические свойства и радиоактивность тяжелых элементов. Альфа- и бета-превращения. Сущность гамма-излучения. Радиоактивное превращение. Спектры рассеянного гамма-излучения сред с разным порядковым номером. Физика ядерного магнитного резонанса.
презентация [1,0 M], добавлен 15.10.2013Эффективность канальных реакторов типа РБМК. Внутреннее строение реактора. Конструкция защиты от ионизирующего излучения ректора, расчет и оценка качества монтажа защиты. Измерение мощности дозы нейтронов и гамма-излучения в центральном зале АЭС.
реферат [2,3 M], добавлен 19.07.2012Особенности работы детекторов на основе щелочно-галоидных кристаллов для регистрации рентгеновского и мягкого гамма-излучения, пути ее оптимизации. Анализ методик, позволяющих значительно улучшить сцинтилляционные характеристики регистраторов излучений.
дипломная работа [2,1 M], добавлен 16.12.2012
