Исследование вольтамперных характеристик диодов и транзисторов

Понятие полупроводниковых приборов, их вольтамперные характеристики. Описание транзисторов, стабилитронов, светодиодов. Рассмотрение типологии предприятий. Изучение техники безопасности работы с электронной техникой, мероприятий по защите от шума.

Рубрика Физика и энергетика
Вид дипломная работа
Язык русский
Дата добавления 29.12.2014
Размер файла 3,5 M

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.

Этими ГОСТами возможная частота пожаров и взрывов допускается такой, чтобы вероятность их возникновения в течение года не превышала 106 или чтобы вероятность воздействия опасных факторов на людей в течение года не превышала 106 на человека.

Мероприятия по пожарной профилактике разделяются на организационные, технические, режимные, строительно-планировочные и эксплуатационные.

Организационные мероприятия: предусматривают правильную эксплуатацию машин и внутризаводского транспорта, правильное содержание зданий, территории, противопожарный инструктаж и тому подобное.

Режимные мероприятия запрещение курения в неустановленных местах, запрещение сварочных и других огневых работ в пожароопасных помещениях и тому подобное.

Эксплуатационные мероприятия своевременная профилактика, осмотры, ремонты и испытание технологического оборудования.

Строительно-планировочные определяются огнестойкостью зданий и сооружений (выбор материалов конструкций: сгораемые, несгораемые, трудносгораемые) и предел огнестойкости -- это количество времени, в течение которого под воздействием огня не нарушается несущая способность строительных конструкций вплоть до появления первой трещины.

Все строительные конструкции по пределу огнестойкости подразделяются на 8 степеней от 1/7 ч до 2ч.

В зависимости от степени огнестойкости наибольшие дополнительные расстояния от выходов для эвакуации при пожарах

Технические мероприятия -- это соблюдение противопожарных норм при эвакуации систем вентиляции, отопления, освещения, электрообеспечения.

-- использование разнообразных защитных систем;

-- соблюдение параметров технологических процессов и режимов работы оборудования.

Анализируемое оборудование может стать источником пожара при неисправностях токоведущих частей.

Наиболее частые причины пожаров в электронной аппаратуре:

перегрев проводов;

короткое замыкание;

большие переходные сопротивления в электрических сетях;

электрическая дуга или искрение.

Для обеспечения современных мер по обнаружению и локализации пожара, эвакуации рабочего персонала, а также для уменьшения материальных потерь необходимо выполнять следующие условия:

наличие системы автоматической пожарной сигнализации;

наличие эвакуационных путей и выходов;

наличие первичных средств тушения пожаров: пожарные стволы, внутренние пожарные водопроводы, сухой песок, огнетушители порошковые и углекислотные.

Заключение

В настоящее время полупроводниковые приборы получили широкое распространение и почти полностью вытеснили электровакуумные приборы. Однако выпуск установок и приборов по измерению параметров полупроводниковых приборов очень ограничен. Выпускавшиеся ведущими производителями приборы для исследований характеристик полупроводниковых приборов (характериографы) имеют высокую цену, и могут выходить из строя при выполнении лабораторных работ.

Был разработан стенд, позволяющий исследовать вольтамперные характеристики диодов, стабилитронов и транзисторов, а при совместном использовании стенда и программ для схемотехнического моделирования электронных устройств позволит обучающимся глубже уяснить принципы работы схем.

В условиях рыночной системы хозяйствования в отличие от плановой, предприятие стремится производить те товары и оказывать те услуги, которые приносят ему наибольшую прибыль. Последнее зависит, с одной стороны, от правильности установления спроса на товары, которые может производить предприятие, а с другой - от его производительности в целом, НТП, уровня организации производства и труда, степени конкуренции. На практике это означает, что каждое предприятие в силу объективных и субъективных причин должно искать свой путь развития, свою организацию и свои формы хозяйствования.

Мероприятия по охране труда и пожарной безопасности очень важны при работе с компьютерами. Были изучены условия труда, производственная санитария и гигиена труда освещение производственных помещений, защиты от шума, защита от электромагнитных полей и статического электричества, пожарная безопасность, электробезопасность, организация рабочего места. Не соблюдая все эти требования, можно нанести себе вред.

Список используемой литературы

1. Физика полупроводниковых приборов - Зи С. М. Мир, 1984.

2. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники Издательство: Лаборатория базовых знаний 2001 год.

3. Шалимова К.В. "Физика полупроводников" Изд. "Энергия" 1976.

4. Степаненко И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. Москва, Энергия, 1973.

5. Муравский Б.С. Черный В.Н. Яманов И.Л. Потапов А.Н. Жужа М.А. Неравновесные электронные процессы в транзисторных структурах с туннельно-прозрачным окислом // Микроэлектроника. 1989. т. 18 №4. с. 304-309.

6. TR-4802. Характериограф для испытания полупроводников. Техническое описание и инструкция по эксплуатации.

7. Бессарабов Б.Ф., Федюк В.Д., Федюк Д.В., Диоды, тиристоры, транзисторы и микросхемы широкого применения. Справочник. / Воронеж. ИПФ "Воронеж" 1994.

8. Булатов А.С. Экономика: Учебник. - 3-е изд., перераб. и доп. - М.: Юристъ, 2002. - 896 с.

9. Горфинкель В.Я. Экономика предприятия: Учебник для вузов. - 3-е изд., перераб. и доп. - М.: ЮНИТИ-ДАНА, 2002. - 718 с.

10. Грузинова В.П. Экономика предприятия: Учебник для вузов. - М.: Банки и биржи, Юнити, 1998. - 535 с.

11. Зайцев Н.А. Экономика организации. - М.: "Экзамен", 2000. - 768 с.

12. Кейлер В.А. Экономика предприятия: Курс лекций. - М.: ИН-ФРА-М; Новосибирск; НГАЭиУ, "Сибирское соглашение", 2000. - 132 с.

13. Раицкий К.А. Экономика предприятия: Учебник для вузов. - 3-е изд., перераб. и доп. - М.: Издательско-торговая корпорация "Дашков и К", 2002. - 1012 с.

14. Раицкий К.А. Экономика организации (предприятия): Учебник. - 4-е изд., перераб. и доп. - М.: Издательско-торговая корпорация "Дашков и К", 2003. - 1012 с.

15. Семёнов В.М. Экономика предприятия: Учебник. - 2-е изд., перераб. и доп. - М.: Центр экономики и маркетинга, 1998. - 312 с.

16. Сергеев И.В. Экономика предприятия: Учеб. пособие. - 2-е изд., перераб. и доп. - М.: Финансы и статистика, 2000. - 304 с.

17. Охрана труда. Учебник. - К: Высшая школа, 2000 г.

18. Закон ПМР (Об охране и безопасности труда)

19. ГОСТ 12..1.005 88 (Общие санитарно гигиенические требования к воздуху рабочей зоны)

20. ГОСТ 12.012-90 (Вибрационная безопасность)

21. ГОСТ 12.003 83 (Шум. Общие требования безопасность)

22. Н.А. Белова. Безопасность жизнедеятельности. - М: Знание, 2000 г.

23. СанПин 2.2.2/2.4.1340-03 "Требования к освещению"

24. Самгин Э.Б. Освещение рабочих мест. - М.: НИРЭА, 1989 г.

25. Сборник нормативно-правовых документов по охране труда Тирасполь ГУП "НЭТЦ"

26. Гост 12.1.019-79 изменение 01-86 "Элетробезопасность. Общие требования"

27. Правила пожарной безопасности в ПМР ППБ-01-06

Размещено на Allbest.ru


Подобные документы

  • Исследование вольтамперных характеристик диодов, снятие характеристик при различных значениях напряжения. Аппроксимация графиков вольтамперных характеристик диодов, функции первой и второй степени, экспоненты. Исходный код программы и полученные данные.

    лабораторная работа [1,6 M], добавлен 24.07.2012

  • Физические основы и практические результаты использования проникающих излучений в технологии ядерного легирования полупроводниковых материалов. Их применение в производстве полупроводниковых приборов, мощных кремниевых диодов, тиристоров и транзисторов.

    курсовая работа [1,9 M], добавлен 08.06.2015

  • Параметры, свойства, характеристики полупроводниковых диодов, тиристоров и транзисторов, выпрямительных диодов. Операционный усилитель, импульсные устройства. Реализация полной системы логических функций с помощью универсальных логических микросхем.

    контрольная работа [233,1 K], добавлен 25.07.2013

  • Построение схем с диодом из библиотеки SimElectronics и электрическим диодом из библиотеки Simscape и графиков зависимости тока от напряжения. Аппроксимация графиков вольтамперных характеристик диодов различными методами при 2-х разных температурах.

    контрольная работа [1,6 M], добавлен 08.07.2012

  • Понятие полупроводникового диода. Вольт-амперные характеристики диодов. Расчет схемы измерительного прибора. Параметры используемых диодов. Основные параметры, устройство и конструкция полупроводниковых диодов. Устройство сплавного и точечного диодов.

    курсовая работа [1,0 M], добавлен 04.05.2011

  • Понятие диодов как электровакуумных (полупроводниковых) приборов. Устройство диода, его основные свойства. Критерии классификации диодов и их характеристика. Соблюдение правильной полярности при подключении диода в электрическую цепь. Маркировка диодов.

    презентация [388,6 K], добавлен 05.10.2015

  • Физика полупроводников. Примесная проводимость. Устройство и принцип действия полупроводниковых приборов. Способы экспериментального определения основных характеристик полупроводниковых приборов. Выпрямление тока. Стабилизация тока.

    реферат [703,1 K], добавлен 09.03.2007

  • Исследование спектров электролюминесценции, вольт-амперных и люкс-амперных характеристик "фиолетовых" и "желтых" светодиодов в температурном диапазоне 300-90 К. Анализ процессов токопереноса, генерации и рекомбинации носителей заряда в гетероструктурах.

    контрольная работа [245,8 K], добавлен 11.08.2010

  • Устройство и принцип действия биполярного транзистора, униполярного транзистора. Силовые полупроводниковые приборы, основные требования, предъявляемые к ним. Характеристика динисторов и транзисторов. Параметры предельных режимов работы транзисторов.

    лекция [424,0 K], добавлен 14.11.2008

  • Электрофизические свойства полупроводников. Структура полупроводниковых кристаллов. Элементы зонной теории твердого тела. Микроструктурные исследования влияния электронного облучения на электрофизические характеристики полупроводниковых приборов.

    курсовая работа [1,0 M], добавлен 18.09.2015

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.