Облучение, изменяя энергетический спектр носителей заряда, способно существенно повлиять на электрические, фотоэлектрические, оптические, магнитные и другие свойства полупроводника 116]. Влияние на электропроводность обусловлено главным образом изменением концентраций свободных электронов и дырок, изменение подвижности имеет меньшее значение. Абсолютные изменения электропроводности могут достигать нескольких порядков, в ряде случаев происходит инверсия типа проводимости. С ростом дозы облучения электропроводность, как правило, стремится к вполне определенному для данного полупроводника значению. Например, германий как п-, так и р-типа при длительном облучении переходит в р-тип с высокой концентрацией дырок. Подобным образом ведет себя и сурьмянистый индий при электронном и гамма-облучении. Проводимость кремния и арсенида галлия, подвергнутых облучению, стремится к собственной [16]. Рис. 2.6 и 2.7, взятые из [17], показывают изменение проводимости германия (рис. 2.6) и кремния (рис. 2.7) как n -, так и р-типа в результате облучения быстрыми нейтронами. Интерпретация данных об изменении проводимости основана на представлении о донор-вых и акцепторных энергетических уровнях, возникаю щих в запрещенной зоне полупроводника при появлении в решетке простейших радиационных дефектов. В кремнии и арсениде галлия эти состояния компенсируют друг друга, в германии и сурьмянистом индии акцепторные уровни оказываются более эффективными.

Рис. 2.6 Изменение проводимости германия

Рис. 2.7 Изменение проводимости кремния

Интерпретация значительно усложняется в ряде случаев, в частности, при облучении нейтронами, в связи с образованием в образце макродефектов типа разупорядоченных областей, окруженных пространственным зарядом. Степень влияния таких дефектов на электрические свойства полупроводника зависит от их концентрации, размеров, высоты и толщины потенциального барьера, окружающего их [11]. При малой концентрации они уменьшают эффективную площадь сечения образца при протекании тока, а также могут непосредственно повлиять на подвижность [10]. При большой концентрации в образце возникает сложный потенциальный рельеф, и проводимость следует описывать методами «теории протекания», как это делается в теории сильно легированных компенсированных, а также неупорядоченных полупроводников [10]. Согласно этой теории энергия активации проводимости при наличии неоднородного потенциального рельефа определяется расстоянием от уровня Ферми до «уровня протекания». Последний представляет собой, как это уже отмечалось в § 24, минимальную энергию, обладая которой, электрон (дырка) может пройти от одного контакта до другого «классическим образом», т. е. огибая, обходя потенциальные барьеры, а не туннелируя через них.

Весьма сильным изменениям в результате облучения подвергаются фотоэлектрические свойства полупроводников. Здесь нужно отметить два типа эффектов -- влияние на спектральную характеристику фотопроводимости и изменение времени жизни неравновесных электронов и дырок. Влияние на спектр фотопроводимости связано с появлением локализованных электронных состояний, обусловленных радиационными дефектами. Спектральная характеристика облученных образцов приобретает длинноволновые «хвосты», структура которых позволяет в ряде случаев определить положение новых энергетических уровней. Такие «хвосты» наблюдались в германии, кремнии т.д.. В других случаях наблюдались бесструктурные «хвосты» спектральной характеристики, которые могут быть связаны как с перекрытием уровней различных дефектов (например, уровней дефектов Френкеля с различным расстоянием между вакансией и атомом внедрения [16, 11 ]), так и с «хвостами» плотности состояний, обусловленными флуктуациями потенциального рельефа в сильно облученном образце. На рис. 2.8 приведена спектральная характеристика фотопроводимости кремния при 100 °С [16]. Кривая 1 соответствует необлученному образцу р-типа с содержанием кислорода, не превышающим 1011 см-3, и удельным сопротивлением 9500 ом-см при комнатной температуре. Кривая 2 получена после облучения этого образца электронами (энергия 1 Мэв, интегральный поток 2-1015 смг'2). Отчетливо видна бесструктурная область спектра, простирающаяся до 4 мкм. Кривая 3 относится к облученному таким же потоком электронов образцу кремния, содержащему ~1016 &и_3 атомов кислорода и акцепторную примесь бора.

Рис. 2.8 Спектральная характеристика фотопроводимости кремния

Исключительно чувствительными к облучению являются рекомбинационные свойства полупроводников. Уже при малых дозах облучения время жизни неравновесных носителей заряда заметно падает, что немедленно сказывается на работе полупроводниковых приборов [16]. Этот эффект был использован, в частпости, для нахождения пороговой энергии образования решеточных дефектов в кремнии и германии [102].

Исследования показали, что радиационные изменения времени жизни существенно зависят от содержания и типа примесей (например, кислорода в кремнии). В частности, эффективными центрами рекомбинации в кремнии в зависимости от условий получения исследованных кристаллов могут быть либо А-центры, либо Е-центры, причем в последнем случае сечения захвата зависят от характера донорной примеси, входящей в состав рекомбинационного центра [18].

Анализ экспериментальных результатов, касающихся влияния облучения на время жизни, обычно опирается на теорию рекомбинации Шокли--Рида [13], рассматривавшую рекомбинационный центр с одним локальным энергетическим уровнем. С другой стороны, имеются данные о том, что в полупроводниках, облученных нейтронами и заряженными частицами высоких энергий, теория Шокли--Рида нуждается в обобщении с учетом появления сложных многоуровневых дефектов и особенно разупорядоченных областей [11]. Обобщепия такого рода делались в ряде работ [15].

Особенно интересны фотоэлектрические свойства облученных полупроводников при большой концентрации разупорядоченных областей, когда становится справедливой «модель изогнутых зон». Теория фотопроводимости в этой модели развита в [24]. Один из главных результатов теории состоит в том, что вследствие разделения неравновесных электронов7и" дырок во внутренних ПОЛЯХ их рекомбинация затруднена, время жизни резко возрастает, и после снятия освещения повышенная проводимость может сохраняться достаточно долго. Экспериментально такие эффекты наблюдались на германии, облученном быстрыми нейтронами [13]. Увеличение фоточувствительности облученного нейтронами кремния, связанное с наличием разупорядоченных областей, отмечено в [18].

Оптические и магнитные свойства облученных кристаллов, так же как электрические и фотоэлектрические, несут в себе информацию о радиационных дефектах, их строении, свойствах, энергетическом спектре. Изолированные радиационные дефекты ведут к появлению новых полос оптического поглощения и люминесценции. Интенсивность этих полос возрастает с увеличением дозы облучения вплоть до насыщения. Например, в спектре инфракрасного поглощения облученного кремния возникает большое количество новых полос в области 1 -- 15мкм [15]. Было установлено, что часть из них обусловлена появлением радиационных А-центров, дивакансий, Е-центров и т. д. При этом новые полосы связаны как с электронными переходами, так и с локализованными колебательными модами радиационных дефектов. В частности, колебательпая полоса вблизи 12 мкм обусловлена Л-центром. Подобные колебательные моды были наблюдены и в облученном германии [19].

Наряду с этим при облучении нейтронами и быстрыми заряженными частицами, как правило, наблюдается размытие и сдвиг края основного поглощения в длинноволновую область, а также появление бесструктурных хвостов в широком энергетическом интервале. Такие данные имеются для Ge, Si, GaAs, CdS, CdTe и других полупроводников и связываются с появлением в объеме облученных образцов разупорядоченных областей [11]. Как и при интерпретации других свойств, в этом случае полезным может оказаться привлечение представлений о флуктуирующем потенциальном рельефе, образовании квазиметаллических капель и т. д.

Изменение магнитных свойств при облучении связано прежде всего с появлением в полупроводнике парамагнитных радиационных дефектов -- центров локализации неспаренных электронов [11]. Это приводит, с одной стороны, к изменению парамагнитной восприимчивости [11, 12] в облученных образцах, а с другой -- к наблюдению в них сигналов электронного парамагнитного резонанса нри совпадений частоты электромагнитного поля с расстоянием между зеемановскими уровнями парамагнитного дефекта. Исследование электронного парамагнитного резонанса в облученных кристаллах, особенно в кремнии, оказалось исключительно плодотворным и позволило в сочетании с другими методами надежно установить детальную структуру ряда важнейших радиационных дефектов, в частности А- и /.'-центров, дивакансий и других дефектов в Б1 [85] и других полупроводниках. Кроме того, с помощью парамагнитного резонанса удалось исследовать характер движения вакансий в Бц в частности было установлено, что энергия активации этого движения зависит от положения уровня Ферми и составляет в кристаллах р-типа 0,3 эв, а в кристаллах /г-типа не более 0,1 - 0,2 эв [15].

Многообразные радиационные центры дефектов, образующиеся в результате облучения электронами, создают в запрещенной зоне SiC широкий спектр энергетических уровней, параметры которых наиболее информативно определяются емкостной и токовой релаксационной спектроскопией (C-DLTS, 7-DLTS).

Результаты исследований глубоких центров (ГЦ), которые появлялись в кристаллах n-6H-SiC, эпитаксиальных слоях и р+ -- n-переходах на их основе, с концентрациями нескомпенсированных доноров 5 * 1014 --8 * 1017см-3 при облучении их электронами в широком интервале доз (5 * 1013--1018 см-2) с энергиями 1.5-5 МэВ, представлены в работах [16]. Температурное поведение ГЦ исследовалось при проведении отжигов облученных образцов до 1600--1700°C. Согласно полученным данным, независимо от концентрации примесей в исследуемых образцах и режимов облучения электронами было обнаружено более 10 радиационно-индуцированных уровней в энергетическом интервале 0.15--1.65 эВ от дна зоны проводимости 6H-SiC. Наиболее характерными являлись уровни с энергиями ионизации 0.18, 0.38/0.44, 0.51, 0.68/0.70, 1.15/1.25 и 1.5эВ (отсчет от уровня зоны проводимости Ec), которые рассматривались как ловушки дырок (рис. 2.9)[16]. Центр Ec--0.38/0.4эВ (ED3 на рис. 2.6), известный как центр E1/E2 [12], был термически стойким и отжигался при температуре 1600°C [16]. Природа этого центра предполагалась как дивакансия (VC--VSi) или комплекс, содержащий вакансии VSi [9].Подругой версии центр Ec -- 0.38/0.4эВ объясняется как система из двух отрицательно заряженных U-центров, каждый из которых формирует два уровня в запрещенной зоне -- акцепторый и донорный [15]. В соответствии с этой концепцией уровень с энергией ионизации Ec -- 0. 38 эВ считается центром акцепторного типа, а уровень с Ec--0.44 -- донорного. Центр Ec--0.5эВ с независимым от температуры сечением захвата носителей заряда 2 * 10-15 см2 -- термически нестабилен, исчезает при прогреве до 250°C и ассоциируется с вакансией VС+ или комплексом вакансия--примесь [16]. ГЦ с энергией Ec --(0.68--0.71) эВ идентифицируется какизвестныйцентр Z1/Z2 [102,103]. Выявленные при повышенных температурах измерения ГЦ с энергиями ионизации Ec--(1 .15--1 .25) и Ec--1 .5 эВ предположительно связываются со структурными дефектами в виде ассоциатов с вакансиями [11].

Рис. 2.9 Нормализованный спектр DLTS образца и-бЯ-SiC, облученного электронами с энергией 1.7 МэВ и величиной дозы D,1014см-2: 1 -- 90.4, 2 -- 45.2, 3 -- 33.8, 4 -- 11.3, 5 -- 2.26

Особенности радиационного дефектообразования при облучении электронами в зависимости от политипа SiC рассматривались в некоторых работах [17], где экспериментальные данные, полученные для политипа n-4H-SiC, сравнивались с известными результатами для политипа n-6H-SiC. Электронами с энергиями 0.2--15МэВ и дозами 5 * 1013 --1017 см-2 облучались эпитаксиальные слои n-4H-SiC с концентрациями Nd -- Na = 2 * 1014--2 * 1016 см-3 и p+ -- n-переходы на их основе. В некоторых работах после облучения образцы отжигались до температур 900--2000°C [17]. С использованием DLTS-спектрометрии был получен широкий спектр центров акцепторного типа, аналогичных наблюдаемым в n-6H-SiC, с энергетическими уровнями 0.39, 0.45, 0.5, 0.68/0.7, 1.13 эВ (рис. 2.10) (отсчет от дна зоны проводимости). Центр с энергией Ec--0.39 эВ (E1 /E2) был в отличие от n-6H-SiC термически нестабильным в n-4H -SiC и отжигался при температурах 360--400 K. В n-4H-SiC он ассоциировался с дефектом замещения C, который аннигилировал при температуре 400K [14].Центр Ec--0.68/0.7эВ (Z1/Z2) имел большие значения сечений захвата электронов 1.3 * 10--14 --1.3 * 10-13см2 и был термически стойким. Он отжигался частично при температуре 1300°C, однако и при отжиге в 2000°C было отмечено присутствие этого дефекта с концентрацией 25% от исходной. Был сделан вывод, что он образуется за счет диффузии простых дефектов, в частности вакансий VSi, атомов замещения SiC или комплексов с ними. Однако отмечалась низкая термостойкость центра Z1 /Z2. Он отжигался при аномально низких температурах 400-- 470 K и рассматривался как собственный дефект или как комплекс с собственным дефектом и атомами N или H [14]. Эти данные подтверждают ранее отмеченную активность атомов H в образовании радиационных дефектов. По другой версии центр Ec -- 0.68/0.7эВ (Z1/Z2) рассматривался как система из двух отрицательно заряженных U-центров [18] по аналогии с центром Ec -- 0.38/0.4эВ в n-6H-SiC [15]. Был сделан вывод, что эти отрицательные U-центры в n-4H и 6H-SiC имели идентичные структуры, поскольку имели много общих свойств, в частности они отжигались при температурах > 1400° C. Новыми в n-4H-SiC были обнаруженные дефекты с энергией ионизации Ev + 0. 35 эВ, которые рассматривались как ловушки для дырок и появлялись после отжига при температуре 350--400° C, а также акцепторный центр Ec --1.65эВ EH6/EH7 на рис. 2.7)[107,116].Центр EH6/EH7 с большим сечением захвата электронов ~ 10-13 см2, независимым от температуры, был термически стойким с отжигом при температурах ~ 2000° C и объяснялся присутствием вакансий VC или структурных дефектов комплексного типа.

Зависимость радиационного дефектообразования от типа проводимости исследовалась в эпитаксиальных слоях p-6H-SiC с Na --Nd = 6.6 * 1018 см-3, облученных электронами с энергией 1.7 МэВ дозами 2.26 * 1014 см-2 и 1. 13 * 1015 см- 2 [17]. Были выявлены два новых ГЦ, расположенных выше валентной зоны с энергиями ионизации Ev + 0.55эВ (H2) и Ev + 0.78 эВ (H2), которые отжигались при температурах 500 и 200°C соответственно. Сечения захвата дырок составляли 1 . 23 * 10-11 см2 и 1.35 * 10-13см2 для центров H 1и H2. Эти центры были донорного типа. Учитывая их различное температурное поведение, было сделано заключение, что эти центры обусловлены двумя различными дефектами неизвестной природы. Согласно измерениям EPR и ESR, проведенным на образцах p-6H и4H-SiC, эти центры могут быть идентифицированы как вакансии VС+ и комплексы с ними [2].

Рис. 2.10 Спектр DLTS для образца 4H-SiC, облученного электронами с энергией 2.5 МэВ дозой 2.5 * 1014см-2

ВЫВОДЫ

В настоящее время имеется обширный экспериментальный материал (о влиянии облучения быстрыми частицами и жесткими фотонами па адсорбционные и каталитические свойства неметаллических кристаллов. Радиационные эффекты возникали как при облучении образцов от внешнего источника (реакторное облучение, облучение па ускорителях заряженных частиц и т. д.), так и при «собственном» радиоактивном самооблучепии при введении в образцы радиоактивных примесей. Во многих случаях облучение изменяло адсорбционную способность и каталитическую активность па несколько порядков. Столь сильные радиационные эффекты вызывают серьезный практический интерес, требуют понимания общих механизмов наблюдаемых явлений, их количественной интерпретации.

Взаимодействие быстрых частиц и жестких квантов с веществом представляет собой слояшый каскадный процесс, сопровождающийся, как правило, ионизационными эффектами и структурными изменениями в кристаллической решетке твердого тела. Наиболее существенными из возникающих при этом многочисленных нарушений являются следующие: а) неравновесные свободные и локализованные носители заряда (электроны и дырки), б) дефекты решетки типа «вакансия -- внедрение» и их комплексы, в) химические примеси, возникшие в результате ядерных реакций в твердом теле или при ионном легировании. Наблюдаемые радиационные эффекты обычно являются следствием прежде всего этих нарушений.

Как правило, те или иные типы нарушений связаны с различным характером взаимодействия радиации с веществом. Быстрые частицы взаимодействуют с регулярными атомами упруго или неупруго. При упругих взаимодействиях суммарная кинетическая энергия сталкивающихся частиц сохраняется. Такие столкновения ответственны главным образом за смещения атомов или ионов в решетке. При неупругих взаимодействиях часть кинетической энергии идет на образование одночастичных и коллективных возбуждений твердого тела (электроны, дырки, экситопы, плазмопы, фононы и т. д.). Неупругими являются также процессы, приводящие к ядерным превращениям.

Общими результатами указанных выше работ можно считать, что независимо от политипа и типа проводимости появление в Si всех дефектов не требует дополнительного нагрева образцов при облучении электронами. При этом увеличение дозы электронов при облучении приводит к увеличению концентрации радиационных дефектов в Si вплоть до ее насыщения, а также к уменьшению скорости накопления центров дефектов, что характерно и для других полупроводников, облученных высокоэнергетичными частицами [15]. Увеличение концентрации радиационных дефектов сопровождается уширением спектров DLTS, что позволяет предположить образование энергетических зон дефектов в запрещенной зоне SiС. Центры, расположенные вблизи дна зоны проводимости, не оказывают заметного влияния на степень компенсации легирующей примеси, что проявляется в вольт-фарадных характеристиках (ВФХ). Установлено, что наиболее термостойкими являются центры дефектов E1/E2 (Ec--0.4эВ) в 6H-SiC, а также Z1/Z2 (Ec--0.6/0.7эВ) и EH6/7 (Ec --1.5/16эВ) в 4H-SiC с большими сечениями захвата носителей заряда, не зависящими от температуры.

Многообразные радиационные центры дефектов, образующиеся в результате облучения электронами, создают в запрещенной зоне SiC широкий спектр энергетических уровней, параметры которых наиболее информативно определяются емкостной и токовой релаксационной спектроскопией (C-DLTS, 7-DLTS).

Результаты исследований глубоких центров (ГЦ), которые появлялись в кристаллах n-6H-SiC, эпитаксиальных слоях и р+ -- n-переходах на их основе, с концентрациями нескомпенсированных доноров 5 * 1014 --8 * 1017см-3 при облучении их электронами в широком интервале доз (5 * 1013--1018 см-2) с энергиями 1.5-5 МэВ, представлены в работах [16]. Температурное поведение ГЦ исследовалось при проведении отжигов облученных образцов до 1600--1700°C. Согласно полученным данным, независимо от концентрации примесей в исследуемых образцах и режимов облучения электронами было обнаружено более 10 радиационно-индуцированных уровней в энергетическом интервале 0.15--1.65 эВ от дна зоны проводимости 6H-SiC. Наиболее характерными являлись уровни с энергиями ионизации 0.18, 0.38/0.44, 0.51, 0.68/0.70, 1.15/1.25 и 1.5эВ (отсчет от уровня зоны проводимости Ec), которые рассматривались как ловушки дырок (рис. 2.9)[16]. Центр Ec--0.38/0.4эВ, известный как центр E1/E2 [12], был термически стойким и отжигался при температуре 1600°C [16]. Природа этого центра предполагалась как дивакансия (VC--VSi) или комплекс, содержащий вакансии VSi [9].Подругой версии центр Ec -- 0.38/0.4эВ объясняется как система из двух отрицательно заряженных U-центров, каждый из которых формирует два уровня в запрещенной зоне -- акцепторый и донорный [15]. В соответствии с этой концепцией уровень с энергией ионизации Ec -- 0. 38 эВ считается центром акцепторного типа, а уровень с Ec--0.44 -- донорного. Центр Ec--0.5эВ с независимым от температуры сечением захвата носителей заряда 2 * 10-15 см2 -- термически нестабилен, исчезает при прогреве до 250°C и ассоциируется с вакансией VС+ или комплексом вакансия--примесь [16]. ГЦ с энергией Ec --(0.68--0.71) эВ идентифицируется какизвестныйцентр Z1/Z2 [102,103]. Выявленные при повышенных температурах измерения ГЦ с энергиями ионизации Ec--(1 .15--1 .25) и Ec--1 .5 эВ предположительно связываются со структурными дефектами в виде ассоциатов с вакансиями [11].

Анализируя отраженные в обзоре результаты исследований по облучению SiC и приборов на его основе высокоэнергетичными частицами, можно выделить основные положения.

-- Все виды воздействия высокоэнергетичными частицами создают в SiC широкий спектр первичных и вторичных дефектов в различных зарядовых состояниях, определяющих их подвижности, а также положения энергетических уровней дефектов в запрещенной зоне. Более подвижные вакансии VC и комплексы с ними отжигаются при более низких температурах, нежели дефекты на основе вакансий VSi.

-- С увеличением массы облучающих частиц увеличивается число типов дефектов, их концентраций и особенно их размеров, что приводит к росту температуры как появления сложных дефектов, так и их отжига. Увеличение массы облучающих частиц уменьшает пороговую дозу перехода в аморфное состояние с одновременным увеличением температуры отжига дефектов.

-- Наиболее высокотемпературными глубокими радиационными дефектами при облучении SiC всеми исследованными видами частиц являются центры с уровнями E1/E2 (Ec -- 0.35/0.43эВ), Z1/Z2 (Ec -- 0.6/0.74эВ), R (Ec -- 1.0/1.2эВ) и EH6/7 (Ec -- 1.5/1.6эВ).

-- Нагрев SiC в процессе облучения приводит к уменьшению скорости генерации радиационных дефектов и увеличению критической дозы облучения, приводящей к аморфизации, с наибольшим эффектом при температуре 400°C.

-- Оптимальной рабочей температурой SiC-приборов можно считать 400--500° C, когда происходит активный отжиг простых дефектов и мала скорость образования высокотемпературных сложных комплексов дефектов.

-- Показана возможность увеличения радиационного и временно го ресурсов SiC-приборов в условиях радиации при повышенных температурах.

СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ

1. Аваев Н.А., Наумов Ю.Е., Фролкин В.Т. Основы микроэлектроники. - М.: Радио и связь, 1991.

2. Аствацатурьян Е.Р., Громов Д.В., Елесин В.В.и др. Радиационные процессы в GaAs полупроводниковых приборах и интегральных схемах.. //Зарубежная радиоэлектроника. 1988, №1,с48-83.

3. Балашов Ю.С., Горлов М.И. Физические основы функционирования интегральных устройств микроэлектроники. Учебное пособие. - Воронеж: ВГТУ, 2002.-160с.

4. Богородицкий Н.П., Пасынков В.В., Тареев В.М.. Электротехнические материалы. - М.: Энергоатомиздат, 1985.

5. Бойко С.И., Осинский В.И., Синищук И.К. и др Исследование влияния радиационных дефектов на динамические параметры транзисторов с барьером Шоттки методом тока, индуцированного электронным зондом..//Физические основы надежности и деградации полупроводниковых приборов. Кишинев.: Штиинца. 1991, с. 75-76.

6. Босый В.И., Иващук А.В., Ильин И.Ю.и др. Малошумящие транзисторы миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов длин волн. Материалы и технология. //Материалы конференции «Крымико-96» 6ой Международной Крымской конференции «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии». Крым, Украина, 16-19 сентября 1996. Севастополь: Вебер,1996, с.3-9.

7. Брудный В.Н. Исследование радиационных дефектов в полупроводниках в условиях всестороннего сжатия. // Физика и Техника Полупроводников.- 1999.-Т.33, вып. 11.- С. 1290-1294.

8. Брудный В.Н. Радиационная модификация и дефекты некоторых алмазоподобных полупроводников сложного состава // Дисс. на соискание ученой степени доктора физико-математич. наук. Томск. ТомГУ, 1993.-383 с.

9. Брудный В.Н., Каменская И.В. Исследование радиационных дефектов в полупроводниках в условиях всестороннего сжатия // Физика и Техника Полупроводников.- 1999.-Т.33, в. 11.- С.1290-1294.

10. Вавилов В.С., Горин Б.М., Данилкин Н.С.и др. /Радиационные методы в твердотельной электронике.М.: «Радио и связь». 1990, 184 с.

11. Венгер Е.Ф., Грендел М., Данишка В.и др. Структурная релаксация в полупроводниковых кристаллах и приборных структурах. //Под. ред. Ю.А.Тхорика. Киев: «Феникс». 1994, 248 с.

12. Горелик С.С., Дашевский М. Я. Материаловедение полупроводников и диэлектриков. - М.: Металлургия, 1988.

13. Горлов М.И., Ануфриев Л.И. Обеспечение и повышение надежности полупроводниковых изделий в процессе серийного производства. - М.: Бесптринт, 2003.-202с.

14. Готра З.Ю. Технология микропроцессорных устройств: Справочник - М.: Радио и связь, 1991.-528с.

15. Действие проникающей радиации на изделия электронной техники. Под ред. Е.А. Ладыгина. М.: ЦНИИ Электроника, 1980, 224с.

16. Ефимов И.Е., Козырь Л.Я., Горбунов Ю.М. Микроэлектроника. - М.: Высш. шк., 1986.

17. Журавлева Л.В. Электроматериаловедение. - М.: ACADEMIA, 2004 г.

18. Игумнов Д.В., Королев Г.В., Громов И.С. Основы микроэлектроники. - М.: Высш. шк., 1991.

19. Казанцев А.П. Радиотехнические материалы: Метод. пособие. - Мн.: БГУИР, 1993.

20. Казанцев А.П. Электротехнические материалы. - Мн.: Дизайн ПРО, 1998, 2001.

21. Калинина Е.В. Влияние облучения на свойства SiC и приборы на его основе. Обзор.// Физика и техника полупроводников, 2007, том 41, вып. 7.

22. Конакова Р.В., Миленин В.В., Соловьев Е.А. и др. лияние g-радиации на электрофизические свойства арсенидгаллиевых ПТШ .//Радиоэлектроника. 2000, №6, с.45-51.

23. Конакова Р.В., Миленин В.В., Соловьев Е.А.и др. Влияние радиации на вольтамперные характеристики арсенидгаллиевых полевых транзисторов с затвором Шоттки..//Радиоэлектроника. 1999, №4, с.73-75.

24. Конакова Р.В., Тхорик Ю.А., Хазан Л.С.. Возможности радиационной технологии при изготовлении диодов //Электронная техника. Сер.2. Полупроводниковые приборы. 1988, вып. 2, с.47-56.

25. Конакова Р.ВТхорик., Ю.А., Хазан Л.С.. Особенности радиационной технологии при изготовлении GaAs диодов для СВЧ-электроники //Арсенид галлия. Под ред. Гамана В.И. Томск: ТГУ, 1982, с.183-185.

26. Оболенский С.В., Павлов Г.П..Влияние нейтронного и космического облучения на характеристики полевого транзистора с затвором Шоттки //ФТП. 1995, т. 29, вып. 3, с.413-420.

27. Пасынков В.В., Сорокин В.С. Материалы электронной техники. - М.: Высш.шк.,1986, 1980.

28. Петров К.С. Радиоматериалы, радиокомпоненты и электроника. - СПб.: Питер, 2004 г.

29. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники. - М.: Сов. радио, 2000.

30. Таиров Ю.М., Цветков В.Ф. Технология полупроводниковых и диэлектрических материалов. - М.: Высш. шк., 1983, 1990.

31. Технология СБИС/ Под ред. Ю.Д. Чистякова. - М.: Мир, 1986.

32. Физика и материаловедение полупроводников с глубокими уровнями. Под ред. В.И. Фистуля. М.: Металлургия, 1987, 232с.

33. фимов И.Е., Козырь И.Я., Горбунов Ю.И. Микроэлектроника. Физические и технологические основы, надежность: Учебное пособие - М.: Высшая школа, 1986.-464с.

34. Харрисон У. Электронная структура и свойства твердых тел (физика химической связи).- М.: Мир, 1983.-Т.1.-381С.

35. Эварестов Р.А. Квантовохимические методы в теории твердого тела.- Л.: ЛГУ, 1982.- 279 с.

Размещено на Allbest.ru