курсовая работа  Особенности электронной литографии при низких ускоряющих напряжениях

Представление об основах литографии. Установки изготовления образцов. Параметры коррекции распределения дозы, чувствительность резиста. Основы электронной литографии при низком ускоряющем напряжении. Оценка эффективного диаметра электронного луча.

Нажав на кнопку "Скачать архив", вы скачаете нужный вам файл совершенно бесплатно.
Перед скачиванием данного файла вспомните о тех хороших рефератах, контрольных, курсовых, дипломных работах, статьях и других документах, которые лежат невостребованными в вашем компьютере. Это ваш труд, он должен участвовать в развитии общества и приносить пользу людям. Найдите эти работы и отправьте в базу знаний.
Мы и все студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будем вам очень благодарны.

Чтобы скачать архив с документом, в поле, расположенное ниже, впишите пятизначное число и нажмите кнопку "Скачать архив"

 #####   #####   #####     ##      ##   
     #       #       #     ##      ##   
     #       #       #    # #     # #   
    #       #       #     # #     # #   
    #       #       #    #####   #####  
   #       #       #        #       #   
   #       #       #       ###     ###  
                                        

Введите число, изображенное выше:

Рубрика Физика и энергетика
Вид курсовая работа
Язык русский
Дата добавления 18.11.2012
Размер файла 1,1 M

Подобные документы

  • Методы и средства изучения свойств наноструктур. Экспериментальное исследование электрофизических параметров полупроводниковых материалов. Проведение оценочных расчетов теоретического предела минимального размера изображения, получаемого при литографии.

    дипломная работа [810,6 K], добавлен 28.03.2016

  • Изучение строения и принципов работы светового и электронного микроскопов. Рассмотрение методов темного и светлого поля, фазово-контрастной микроскопии, интерференции и поляризации. Витальное фиксированное изучение клеток. Основы электронной микроскопии.

    лекция [409,4 K], добавлен 16.05.2014

  • Свойства объектов и методы измерения электронной плотности по упругому рассеянию. Экспериментальные методы исследования комптоновского рассеяния. Атомно-рассеивающий фактор, распределение радиальной электронной плотности в литии по комптоновским профилям.

    дипломная работа [1,3 M], добавлен 06.06.2011

  • Понятие радиоэлектроники, ее сущность и особенности, история возникновения и развития. Развитие электронной техники на современном этапе, характерные черты. Принципы работы и использование резисторов, их разновидности. Устройство и значение конденсаторов.

    курс лекций [373,1 K], добавлен 21.02.2009

  • Изучение структуры и особенностей дрейфового транзистора. Физические процессы, происходящие в его базе при низком уровне инжекции и при больших плотностях тока. Влияние неравномерного распределения примесей в базе на параметры дрейфового транзистора.

    курсовая работа [727,8 K], добавлен 25.09.2010

  • Лампы бегущей волны, основные принципы их работы. Параметры и особенности конструкции ЛБВ. Системы формирования магнитного поля в ЛБВ. Методы магнитной фокусировки электронного луча. Модуляция с помощью электрода "штырь-кольцо". Методы повышения КПД ЛБВ.

    лекция [297,8 K], добавлен 16.12.2010

  • Электронно-микроскопический метод исследования. Физические основы растровой электронной микроскопии. Схема растрового электронного микроскопа, назначение его узлов и их функционирование. Подготовка объектов для исследований и особые требования к ним.

    курсовая работа [1,9 M], добавлен 04.05.2011

  • Разработка методики количественного определения состава образцов рентгеноспектральным микроанализом. Физические основы растровой электронной микроскопии. Использование зависимости интенсивности линий от ускоряющего напряжения. Методы детектирования.

    курсовая работа [351,8 K], добавлен 16.10.2014

  • Понятие электронной микроскопии как совокупности методов исследования с помощью электронных микроскопов микроструктур тел, их локального состава. Содержание телевизионного принципа развертки тонкого пучка электронов или ионов по поверхности образца.

    презентация [3,1 M], добавлен 22.08.2015

  • Физические процессы, лежащие в основе электронной оже-спектроскопии (ЭОС). Механизмы ЭОС, область ее применения. Относительная вероятность проявления оже-эффекта. Глубина выхода оже-электронов. Анализ тонких пленок, преимущества ионного распыления.

    реферат [755,3 K], добавлен 17.12.2013

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.