реферат  Ионная имплантация

Исследование направлений использования метода ионного легирования углеродных наноструктур. Характеристика ионной имплантации и её применения в технологии СБИС. Расчет профиля распределения примеси при ионной имплантации бора различных энергий в кремний.

Нажав на кнопку "Скачать архив", вы скачаете нужный вам файл совершенно бесплатно.
Перед скачиванием данного файла вспомните о тех хороших рефератах, контрольных, курсовых, дипломных работах, статьях и других документах, которые лежат невостребованными в вашем компьютере. Это ваш труд, он должен участвовать в развитии общества и приносить пользу людям. Найдите эти работы и отправьте в базу знаний.
Мы и все студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будем вам очень благодарны.

Чтобы скачать архив с документом, в поле, расположенное ниже, впишите пятизначное число и нажмите кнопку "Скачать архив"

                                                                     
        ,d8      ad8888ba,   ad888888b,          ,d8     ad88888ba   
      ,d888     8P'    "Y8  d8"     "88        ,d888    d8"     "88  
    ,d8" 88    d8                   a8P      ,d8" 88    8P       88  
  ,d8"   88    88,dd888bb,       ,d8P"     ,d8"   88    Y8,    ,d88  
,d8"     88    88P'    `8b     a8P"      ,d8"     88     "PPPPPP"88  
8888888888888  88       d8   a8P'        8888888888888           8P  
         88    88a     a8P  d8"                   88    8b,    a8P   
         88     "Y88888P"   88888888888           88    `"Y8888P'    
                                                                     
                                                                     

Введите число, изображенное выше:

Рубрика Физика и энергетика
Вид реферат
Язык русский
Дата добавления 18.05.2011
Размер файла 556,8 K

Подобные документы

  • Общее понятие и особенности ионной имплантации. Структура и свойства имплантированных слоев. Физические основы метода. Влияние энергии ионов на процессы энергообмена при их столкновении с атомами мишени. Преимущества процесса ионной имплантации.

    реферат [61,4 K], добавлен 19.01.2011

  • Механизм анодного окисления кремния. Влияние толщины пленки, сформированной методом ионной имплантации и водородного переноса, на ее электрофизические свойства. Электрофизические свойства структур "кремний на изоляторе" в условиях анодного окисления.

    дипломная работа [327,8 K], добавлен 29.09.2013

  • Особенности работы источника ионов. Распределение электростатических полей, состав ионов газа, металла. Экспериментальные данные по определению состава ионного пучка. Внедрение элементов в поверхностный слой обрабатываемого материала (ионная имплантация).

    статья [105,9 K], добавлен 30.09.2012

  • Расчет профиля диффузии сурьмы в кремнии, определение основных параметров этого процесса. Использование феноменологической модели диффузии. Влияние параметров на глубину залегания примеси. Численное решение уравнения диффузии по неявной разностной схеме.

    курсовая работа [4,7 M], добавлен 28.08.2010

  • Возможность формирования различных структур в стандартных пластинах монокристаллического кремния с использованием дефектов, создаваемых имплантацией водорода или гелия. Поперечная проводимость сформированных структур. Системы нанотрубок в кремнии.

    реферат [6,4 M], добавлен 25.06.2010

  • Обзор теории взаимодействия вещества с электромагнитными волнами; методы измерения диэлектрических свойств материалов, способов синтеза и углеродных наноструктур. Отработка известных методик измерения диэлектрических свойств для углеродных нанопорошков.

    курсовая работа [5,4 M], добавлен 29.02.2012

  • Сущность и назначение процесса легирования полупроводников редкоземельными элементами, основные этапы его проведения и оценка практической эффективности. Люминесценция активированного РзЭ кубического нитрида бора и анализ полученных результатов.

    реферат [17,8 K], добавлен 24.06.2010

  • Повышение стойкости металлических поверхностей к коррозионным процессам. Применение метода конденсации вещества в вакууме с ионной бомбардировкой. Конденсация веществ из плазмы в остаточной атмосфере азота при совмещении плазменных потоков металлов.

    реферат [2,0 M], добавлен 26.06.2010

  • Основы теории химической связи ковалентных кристаллов: теория МОЛКАO, приближение sp3-гибридизации. Элементарная теория комптон-эффекта. Приближение импульсной аппроксимации для связанных электронов. Расчет комптоновского профиля кубического нитрида бора.

    курсовая работа [338,1 K], добавлен 12.04.2012

  • Исследование кристаллической структуры поверхности с помощью рентгеновских и электронных пучков. Дифракция электронов низких и медленных энергий (ДЭНЭ, ДМЭ), параметры. Тепловые колебания решетки, фактор Дебая-Валлера. Реализация ДЭНЭ, применение метода.

    курсовая работа [3,2 M], добавлен 08.06.2012

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.