реферат  Использование дефектов, возникающих при имплантации водорода или гелия, для формирования глубинных структур в кремнии

Возможность формирования различных структур в стандартных пластинах монокристаллического кремния с использованием дефектов, создаваемых имплантацией водорода или гелия. Поперечная проводимость сформированных структур. Системы нанотрубок в кремнии.

Нажав на кнопку "Скачать архив", вы скачаете нужный вам файл совершенно бесплатно.
Перед скачиванием данного файла вспомните о тех хороших рефератах, контрольных, курсовых, дипломных работах, статьях и других документах, которые лежат невостребованными в вашем компьютере. Это ваш труд, он должен участвовать в развитии общества и приносить пользу людям. Найдите эти работы и отправьте в базу знаний.
Мы и все студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будем вам очень благодарны.

Чтобы скачать архив с документом, в поле, расположенное ниже, впишите пятизначное число и нажмите кнопку "Скачать архив"

  ##      #     #   ##    ##  
 #  #    ##    ##  #  #  #  # 
    #    ##    ##  #  #  #  # 
  ##    # #   # #   ###  #  # 
    #   # #   # #     #  #  # 
 #  #  ####  ####     #  #  # 
  ##      #     #   ##    ##  
                              

Введите число, изображенное выше:

Рубрика Физика и энергетика
Вид реферат
Язык русский
Дата добавления 25.06.2010
Размер файла 6,4 M

Подобные документы

  • Значение и использование монокристаллического кремния при производстве солнечных элементов повышенной эффективности. Природа и механизм возникновения дефектов для пар железо-бор в составе элементов при различных условиях эксплуатации и освещения.

    реферат [104,0 K], добавлен 23.10.2012

  • Механизм анодного окисления кремния. Влияние толщины пленки, сформированной методом ионной имплантации и водородного переноса, на ее электрофизические свойства. Электрофизические свойства структур "кремний на изоляторе" в условиях анодного окисления.

    дипломная работа [327,8 K], добавлен 29.09.2013

  • Исследование особенностей технологических путей создания микрорельефа на фронтальной поверхности солнечных элементов на основе монокристаллического кремния. Основные фотоэлектрические параметры полученных структур, их анализ и направления изучения.

    статья [114,6 K], добавлен 22.06.2015

  • Применение полупроводникового кремния. Характерные значения и методы определения ширины запрещенной зоны в полупроводниках, ее зависимость от температуры в кремнии. Экспериментальные и теоретические методы исследования зонной структуры твердых тел.

    контрольная работа [301,6 K], добавлен 11.02.2014

  • Разработка и получение магниточувствительных спинтронных структур на основе протравленных ионных треков в оксидированном кремнии, внутри которых формируются однородные нанокомпозиции с чередующимися слоями из ферромагнитных и немагнитных наночастиц.

    реферат [1,3 M], добавлен 26.06.2010

  • Исследование возможностей плазменной визуализации различных типов дефектов для проводов и промышленных кабелей. Анализ методов дефектоскопии, основанных на электромагнитных явлениях. Адаптация комплекса оборудования для обнаружения механических дефектов.

    дипломная работа [2,4 M], добавлен 08.07.2014

  • История воздухоплавания - управляемых и неуправляемых полетов на летательных аппаратах легче воздуха. Первые воздушные полеты в Париже Пилатра де Розье. Создание подъемной силы воздушного шара с применением водорода, гелия или нагретого воздуха.

    презентация [697,6 K], добавлен 18.03.2013

  • Расчет профиля диффузии сурьмы в кремнии, определение основных параметров этого процесса. Использование феноменологической модели диффузии. Влияние параметров на глубину залегания примеси. Численное решение уравнения диффузии по неявной разностной схеме.

    курсовая работа [4,7 M], добавлен 28.08.2010

  • Схема топливного элемента. Различные типы топливных элементов. Влияние влажности на проводимость Нафиона. Структура каталитического слоя. Методы получения водорода. Термохимический цикл в гелиумном ядерном реакторе. Фотохимическая генерация водорода.

    презентация [1,7 M], добавлен 15.09.2014

  • Спектральный анализ, его достоинства и применение. Распределение энергии в спектре. Анализ общей структуры спектра атома гелия на основе принципа Паули. Определение собственных значений энергии системы из двух электронов, движущихся в поле атомного ядра.

    контрольная работа [39,9 K], добавлен 30.07.2011

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.