курсовая работа Фізико-технологічні основи металізації інтегральних схем
Розгляд елементів (резистор, конденсатор) та технології виробництва (методи масковий, фотолітографія, комбінований) інтегральних схем. Вивчення особливостей термічного, катодного, іоно-плазмового напилення, анодування та електрохімічного осадження.
Нажав на кнопку "Скачать архив", вы скачаете нужный вам файл совершенно бесплатно.
Перед скачиванием данного файла вспомните о тех хороших рефератах, контрольных, курсовых, дипломных работах, статьях и других документах, которые лежат невостребованными в вашем компьютере. Это ваш труд, он должен участвовать в развитии общества и приносить пользу людям. Найдите эти работы и отправьте в базу знаний.
Мы и все студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будем вам очень благодарны.
Чтобы скачать архив с документом, в поле, расположенное ниже, впишите пятизначное число и нажмите кнопку "Скачать архив"
| Рубрика | Физика и энергетика |
| Вид | курсовая работа |
| Язык | украинский |
| Дата добавления | 09.05.2010 |
| Размер файла | 484,7 K |
Подобные документы
Вивчення фізичних властивостей галогеносрібних та несрібних фотоматеріалів. Розгляд будови діазоплівки. Характеристика методів ("подвійний", "вибуховий" та негативно-позитивний, з підшаром), причин та способів усунення порушень якості фотолітографії.
курсовая работа [941,7 K], добавлен 12.04.2010Характеристика основних вимог, накладених на різні методи одержання тонких діелектричних плівок (термовакуумне напилення, реактивне іонно-плазмове розпилення, термічне та анодне окислення, хімічне осадження) та визначення їхніх переваг та недоліків.
курсовая работа [2,4 M], добавлен 12.04.2010Загальні відомості про способи детекції газів. Поверхневі напівпровідникові датчики газів, принцип їх дії, основи їх побудови. Нові матеріали та наноструктури – перспективна база елементів для датчиків і технології, що використовуються при їх побудові.
курсовая работа [711,7 K], добавлен 12.04.2010Загальні відомості про методи детекції газів. Поверхневі напівпровідникові датчики газів, принцип їх дії, основи їх побудови. Сучасні датчики газів, та методи їх отримання. Нові матеріали та наноструктури – перспективна база елементів для датчиків газів.
курсовая работа [2,3 M], добавлен 09.05.2010Фоторезисти і фотошаблони в фотолітографії. Методи виготовлення і характеристики фотошаблонів. Технологія фотолітографії. Забезпечення якості фотолітографії. Порушення якості фотолітографії. Методи боротьби з причинами порушення якості фотолітографії.
курсовая работа [471,2 K], добавлен 15.12.2008Переваги надпровідникової цифрової схеми. Принцип дії SFQ цифрових схем. Основні проблеми HTS SFQ ланцюгів. Параметри ланцюга, джозефсонівські переходи. Фактори, що обмежують HTS SFQ ланцюгових операцій. Затримка лінії пам’яті, колектор, дільники напруги.
курсовая работа [1,1 M], добавлен 16.05.2010Характеристика матеріалів, які використовуються для одержання оптичних волокон: властивості кварцу, очищення силікатного скла, полімерні волокна. Дослідження методів та технології виробництва оптичних волокон. Особливості волоконно-оптичних ліній зв'язку.
курсовая работа [123,3 K], добавлен 09.05.2010Сучасний етап розвитку техніки керування електроприводами постійного струму. Уніфікація схем і конструкцій елементів, реалізація високих динамічних характеристик електроприводів, простота їх налагодження і експлуатації. Імітаційне моделювання схем.
контрольная работа [1,5 M], добавлен 15.09.2014Правила додавання та множення векторів. Визначення понять дивергенції та циркуляції векторного поля. Випадки застосування оператора Гамільтона. Розгляд основних диференційних операцій другого порядку. Приведення інтегральних формул векторного аналізу.
конспект урока [336,5 K], добавлен 24.01.2012Характеристика методів отримання плівкових матеріалів, заснованих на фізичному випаровуванні: від історично перших методів термічного випаровування до сучасних іонно-плазмових, молекулярно-променевих та лазерних методів осадження. Рідкофазна епітаксія.
курсовая работа [865,1 K], добавлен 17.05.2012
