Эффект люминесценции
Идеальный и реальный гетеропереход. Светодиоды: понятие, материалы, конструкция. Фотодиоды, фототранзисторы, квантовые ящики и сверхрешетки. Вольтамперная характеристика диода. Квантовые наноструктуры кремния. Спектры электролюминесценции структуры.
| Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
| Предмет | Радиоэлектроника |
| Вид | презентация |
| Язык | русский |
| Прислал(а) | Горелов |
| Дата добавления | 24.05.2014 |
| Размер файла | 425,8 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Подобные документы
Понятие гетеропереходов как поверхностей раздела между двумя полупроводниками с различными запрещенными зонами. Физическая особенность гетеропереходов, примеры гетероструктур. Формирование квантовой ямы для электронов. Электронные зоны в сверхрешетках.
контрольная работа [1,9 M], добавлен 24.08.2015Классификация и конструкция светодиодов. Светодиоды на основе карбида кремния, на основе структур AIIIBV. Перспективы применения полупроводниковых светодиодов в качестве источников света для сигнализации, отображения и передачи информации, освещения.
реферат [1,6 M], добавлен 20.10.2014Существующие технологии производства электролюминофоров. Спектры электролюминесценции ЭЛФ ZnS:Cu,Mn при возбуждении 350 В, 400 Гц, в твердом диэлектрике. Спектры излучения большинства кристаллофосфоров.
статья [106,2 K], добавлен 28.03.2007Вольтамперная характеристика выпрямительного диода на постоянном токе для прямой ветви. Схема диода Шоттки с осциллографом на переменном токе. Изучение диодных ограничителей с нулевыми пороговым значением. Схема диодных ограничителей со стабилитронами.
лабораторная работа [902,0 K], добавлен 08.06.2023Два подхода к процессу фотопотемнения. Световод легированный Yb2O3. Спектры люминесценции, полученные при возбуждении лазера. Обработка данных с синхротрона Desy. Функция Гаусса. Зависимость интегральной люминесценции от длины волны накачки образца.
контрольная работа [2,5 M], добавлен 06.01.2016Принципы и условия наблюдения квантово-размерного квантования. Квантово-размерные структуры в приборах микро- и наноэлектроники. Структуры с двумерным и одномерным (квантовые нити) электронным газом. Применение квантово-размерных структур в приборах.
курсовая работа [900,9 K], добавлен 01.05.2015Классификация типов, основные характеристики, параметры, история создания, принцип работы, устройство и применение светодиодов, материалы для их изготовления. Светодиоды оранжевого свечения на базе AlInGaP, GaAsP и GaP. Расчет конструкции светодиода.
курсовая работа [1,3 M], добавлен 26.10.2014Понятие искусственного интеллекта. История развития систем искусственного интеллекта. Самообучение искусственного интеллекта. Квантовые компьютеры и нейрокомпьютеры. Основы нейроподобных сетей. Некоторые сведения о мозге. Реально ли компьютерное мышление.
курсовая работа [220,1 K], добавлен 06.10.2008Комплексный электрический расчет усилителя, оценка его надежности и разработка конструктивного чертежа устройства. Вольтамперная характеристика диода КД-514А. Определение искажения в предоканечном каскаде. Расчет коэффициента линейных искажений.
курсовая работа [923,2 K], добавлен 10.01.2015Расчет характеристик параметров кремниевого диода. Составление и характеристика элементов схемной модели для малых переменных сигналов. Структура диода и краткое описание его получения, особенности исследования зависимости барьерной ёмкости от Uобр.
курсовая работа [80,1 K], добавлен 24.01.2012
