Основы фотолитографического процесса
Фоторезисты и их свойства. Травление подложки с защитным рельефом и удаление защитного рельефа. Формирование слоя фоторезиста и защитного рельефа. Организация производства фотолитографического процесса. Изготовление высококачественных фотошаблонов.
| Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
| Предмет | Технология микроэлектронных устройств |
| Вид | реферат |
| Язык | русский |
| Прислал(а) | Богданов Андрей |
| Дата добавления | 27.03.2010 |
| Размер файла | 127,9 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Подобные документы
Разработка транзистора большой мощности, высоковольтного. Напряжение пробоя перехода коллектор-база. Планарно-эпитаксиальная технология изготовления транзистора. Подготовка подложки к технологической операции. Технология фотолитографического процесса.
курсовая работа [310,4 K], добавлен 21.10.2012Литографические процессы. Классификация методов литографии. Формирование рельефа изображения элементов. Контактная фотолитография. Последовательность выполнения операций при фотолитографии. Позитивные, негативные фоторезисты и режимы их обработки.
реферат [932,8 K], добавлен 10.01.2009Расчет числа элементов аккумуляторной батареи и ее емкости. Определение параметров вводной сети переменного тока и дизель-генератора. Схема токораспределительной цепи. Расчет защитного контура заземления. Размещение оборудования и защитного контура.
курсовая работа [246,2 K], добавлен 12.02.2013Анализ электрической принципиальной схемы блока выравнивания порядков и сдвига мантисс. Выбор защитного покрытия проводников и контактных площадок. Выбор материала защитного покрытия печатной платы. Расчёт монтажных отверстий и контактных площадок.
курсовая работа [638,6 K], добавлен 19.12.2014Проектирование малошумящего полевого транзистора с затвором Шоттки. Расчет геометрических размеров конденсаторов и резисторов. Разработка технологии изготовления кристалла. Создание защитного слоя диэлектрика, проводящих дорожек и контактных площадок.
курсовая работа [5,8 M], добавлен 19.01.2016Технология полупроводникового производства. Сущность процесса фотолитографии. Светочувствительность, разрешающая способность и кислотостойкость фоторезистов. Адгезия фоторезиста к подложке. Фотошаблоны и способы их получения. Требования к фоторезистам.
курсовая работа [1,3 M], добавлен 22.02.2012Этапы создания беспроводной компьютерной сети в условиях отсутствия развитой инфраструктуры связи и сложного рельефа. Объединение компьютеров в локальную беспроводную сеть для обмена данными. Методы безопасности работы в сети, методика шифрования данных.
дипломная работа [5,3 M], добавлен 18.07.2012Разработка топологии ИМС параметрического стабилизатора напряжения и технологического маршрута производства в соответствии с данным техническим заданием. Создание внутрисхемных соединений и формированием защитного покрытия. Кремниевый стабилитрон.
курсовая работа [5,7 M], добавлен 21.02.2016Разработка конструкций и технологического процесса изготовления печатной платы устройства, расчетное обоснование выбора элементной базы и разработка структуры технологического процесса. Схемотехническое решение и конструктивное исполнение устройства.
курсовая работа [117,3 K], добавлен 11.05.2009Описание конструкции и типового технологического процесса. Анализ технологичности по технологическому коду. Планирование производства. Разработка технического процесса. Расчет ритма конвейера. Выбор оборудования и оснастки. Разработка приспособления.
курсовая работа [1,1 M], добавлен 30.09.2022
