Оптоэлектронная техника
Идея создания и применения оптронов. Физические основы оптронной техники. Измерения оптоэлектронными многоканальными системами. Изготовление подложек из монокристаллов Bi12GeO20 и подготовка поверхности подложек к эпитаксии. Структура германата висмута.
| Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
| Предмет | Оптоэлектроника |
| Вид | дипломная работа |
| Язык | русский |
| Прислал(а) | Lovely |
| Дата добавления | 25.10.2012 |
| Размер файла | 1,1 M |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Подобные документы
Стадии производства микросхем. Электрический ток в полупроводнике. Структура элемента микросхемы ЭВМ. Изготовление кремниевых пластин. Контроль загрязнений и дефектности подложек. Контроль поверхности и слоев. Процессы травления в газовой среде.
презентация [1,2 M], добавлен 24.05.2014Основы метода и оборудование для его осуществления. Создание наноструктур с помощью молекулярно-лучевой эпитаксии. Выращивание методом молекулярно-лучевой эпитаксии плёнок из соединений AIIIBV. Поверхностная подвижность атомов Al и Ga, их нанослои.
курсовая работа [3,9 M], добавлен 14.05.2016Концентрация основных носителей заряда. Сравнение рассчитанных величин со справочными. Вольт-амперные характеристики МДП-транзистора с индуцированным каналом. Главные преимущества полевых транзисторов. Проверка на кристаллографическую ориентацию.
курсовая работа [3,1 M], добавлен 22.05.2015Производство полупроводникового кремния. Действие кремниевой пыли на организм. Защита органов дыхания. Литография как формирование в активночувствительном слое, нанесенном на поверхность подложек, рельефного рисунка. Параметры и свойства фоторезистов.
курсовая работа [23,8 K], добавлен 09.03.2009Упрощенная модель кремниевого биполярного транзистора. Частичная схема для расчета тока при комбинации заданных входных сигналов "1110". Максимальные мощности резисторов. Разработка топологии интегральной микросхемы, рекомендуемые размеры подложек.
контрольная работа [1,5 M], добавлен 15.01.2015Полупроводниковая пластина поступающая на операцию разделения и аккумулирующая значительные трудовые и материальные' затраты, обладает большой стоимостью. Требования к операции разделения пластин формируются в соответствии с требованиями к кристаллу.
реферат [448,4 K], добавлен 09.01.2009Значение оценки профиля подстилающей поверхности при неподвижном носителе. Анализ структурной схемы оптимального измерителя профиля отражающей поверхности. Структура алгоритма измерения профиля применительно к условиям получения оценки отклонения.
реферат [239,5 K], добавлен 06.04.2011Пористая матрица арсенида галлия и ее структурные свойства. Формирование низкоразмерной среды в арсениде галлия. Определение кристаллографической ориентации подложек. Определение концентрации носителей заряда. Оптическая и электронная микроскопия.
дипломная работа [2,9 M], добавлен 02.06.2011Измерительная техника на сетях современных телекоммуникаций. Состояние развития рынка измерительной техники. Системное и эксплуатационное измерительное оборудование. Типовые каналы и тракты первичной сети. Современные оптические системы передачи.
дипломная работа [5,4 M], добавлен 01.06.2012Проблемы и области применения беспроводных локальных сетей. Физические уровни и топологии локальных сетей стандарта 802.11. Улучшенное кодирование OFDM и сдвоенные частотные каналы. Преимущества применения техники MIMO (множественные входы и выходы).
контрольная работа [369,9 K], добавлен 19.01.2014
