Исследование спектральных свойств кристалла Tm:CaF2
Определение возможности генерации на кристалле Tm:CaF2 в области 2 мкм в схемах лазеров с продольной диодной накачкой. Физические свойства кристалла. Спектры пропускания образцов кристалла CaF2. Расчет квантового генератора на лазерном кристалле.
| Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
| Предмет | Электротехника и электроника |
| Вид | курсовая работа |
| Язык | русский |
| Прислал(а) | Евгений |
| Дата добавления | 14.07.2012 |
| Размер файла | 4,9 M |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Подобные документы
Схема накачки редкоземельных элементов Tm3+, находящегося в диэлектрическом кристалле, сравнительные характеристики матриц. Характеристики кристалла. Спектры пропускания и люминесценции. Экспериментальное исследование генерационных характеристик лазера.
контрольная работа [750,7 K], добавлен 13.06.2012Этапы разработки компонентов инфраструктуры сервисного обслуживания кристалла памяти ГАС. Общие представления системы на кристалле. Характеристика номенклатуры выпускаемой памяти на кристалле. Принципы создания сервисного обслуживания систем на кристалле.
дипломная работа [2,3 M], добавлен 06.06.2010Cпособы точного решения уравнения Шредингера. Любое твердое тело представляет собой систему, состоящую из огромного числа ядер и ещё большего числа электронов. Обобществление электронов в кристалле. Электронные облака внутренних оболочек атома.
реферат [81,7 K], добавлен 10.12.2008Расчет полупроводниковой лазерной структуры на основе соединений третей и пятой групп для волоконно-оптических линий связи III поколения. Выбор структуры кристалла. Расчет параметров, РОС-резонатора, внутреннего квантового выхода, оптического ограничения.
курсовая работа [803,5 K], добавлен 05.11.2015Пластическая релаксация напряжений несоответствия. Исследование механизмов зарождения и распространения дислокаций несоответствия в полупроводниковых гетеросистемах. Влияние ориентации подложки на морфологию и дефектообразование в плёнках СaF2 и GeSi.
дипломная работа [5,2 M], добавлен 07.06.2011Физическая сущность и области практического использования физического эффекта электростатической эмиссии. Модель структуры кристалла, статические характеристики и условное графическое обозначение дрейфового транзистора. Расчет резисторного каскада УНЧ.
контрольная работа [631,7 K], добавлен 30.05.2015Особенности проектирования малошумящего полевого транзистора с затвором Шоттки, определение толщины его обедненной области, значения порогового напряжения перекрытия канала и геометрических размеров. Разработка конструкции и топологии кристалла.
курсовая работа [748,2 K], добавлен 22.08.2013Основные свойства материалов. Обзор современного состояния производства полупроводниковых соединений. Расчет легирования кристалла. Технологический процесс выращивания монокристаллического фосфида галлия марки ФГДЦЧ-5-17. Допущения Пфанна и Боомгардта.
курсовая работа [1,2 M], добавлен 02.04.2014Описание конструкции оптического квантового генератора типа ЛГ-75. Методы юстировки, их характеристика. Оценка критического угла разъюстировки для одного из гелий-неоновых лазеров. Юстировка с помощью диоптрийной трубки, особенности данного процесса.
лабораторная работа [61,1 K], добавлен 05.06.2014Расчет потерь в инверторе. Максимальное значение среднего выпрямленного тока. Расчет потерь в выпрямителе для установившегося режима электропривода. Максимальное допустимое переходное сопротивление охладитель – окружающая среда, температура кристалла.
курсовая работа [74,2 K], добавлен 17.02.2015
