Исследование цилиндрического резонатора с коаксиальной апертурой

, (2.6)

, (2.7)

, (2.8)

где - относительная диэлектрическая проницаемость среды; - относительная магнитная проницаемость среды; - магнитная постоянная; - проводимость.

Граничные условия на границе свободное пространство-проводник []:

, (2.9)

, (2.10)

где - тангенциальная составляющая вектора напряжённости электрического поля; - толщина скин-слоя проводника; - вектор нормали границы раздела, направленный вглубь проводника; - вектор поверхностной плотности тока.

Граничные условия на границе свободное пространство-диэлектрик []:

, (2.11)

, (2.12)

где - относительная диэлектрическая проницаемость диэлектрика; - вектор напряжённости электрического поля в свободном пространстве; - вектор напряжённости электрического поля в диэлектрике.

Рассмотрим основные пункты методики численного моделирования.

При расчёте в режиме вынужденных колебаний, модель содержит волновые порты, через которые производится ввод и вывод высокочастотной энергии. В этом случае производится численный расчёт волновых уравнений методом конечных элементов [19]:

, (2.13)

, (2.14)

где , - комплексные вектора напряжённости электрического и магнитного полей, соответственно; - волновое число; - комплексный вектор плотности тока волнового порта; - полное сопротивление волнового порта.

Волновое число находится из заданной частоты электромагнитного колебания волнового порта - и электрофизических параметров модели:

. (2.15)

В ходе численного расчёта, пространство модели разбивается на тетраэдры , решаются волновые уравнения (2.13), (2.14), учитывая заданные граничные условия (2.9) - (2.12).

Граничное условие излучения в среду с электрофизическими параметрами , интерпретируется как бесконечный слой среды. Полное сопротивление такой структуры, определяется выражением [12]:

.

Следовательно, граничное условие границы излучения имеет вид:

, (2.16)

где - комплексная компонента вектора напряжённости электрического поля, тангенциальная к границе; - комплексная компонента вектора напряжённости магнитного поля, нормальная к границе.

На основании значений электрического и магнитного поля в вершинах каждого тетраэдра модели, строятся распределения полей в модели. Из характеристик полей вычисляется матрица S-параметров, элементы которой описывают физические параметры рассеяния многополюсника. Так, для модели с двумя волновыми портами, матрица S-параметров имеет вид [12]:

,

где - нормированная мощность, отражённая в первый волновой порт; - нормированная мощность, прошедшая из первого волнового порта во второй; - нормированная мощность, прошедшая из второго волнового порта в первый; - нормированная мощность, отражённая во второй волновой порт.

При каждой следующей итерации увеличивается число элементов разбиения модели и описанным выше образом производится расчёт [12]. В каждой итерации, находится значение погрешности, как относительное изменение между соответствующими значениями S-параметров предыдущей и текущей итераций [12]. Процесс расчёта считается завершённым, если максимальная погрешность среди всех S-параметров менее 0,1 %. Это позволяет получать достоверные результаты численного моделирования.

Из частотной характеристики S-параметров производится расчёт резонансной частоты модели и добротности резонатора. Резонансная частота соответствует частоте, при которой выбранный S-параметр максимален (либо минимален). Значение добротности определяется полосой частот на половине значения параметра S12 [12]:

. (2.17)

При расчёте в режиме собственных колебаний волновые порты отсутствуют. Данный режим позволяет исключить потери мощности в элементы возбуждения. В этом режиме производится анализ возможных типов резонансных колебаний заданной модели. В этом случае волновые уравнения (2.13), (2.14) преобразуется к виду [19]:

.

При этом, как и в первом случае, пространство модели разбивается на тетраэдры [19], вычисляются собственные значения волнового числа , при учёте заданных граничных условий (2.9) - (2.12), (2.17). На основании значений электрического и магнитного поля в вершинах каждого тетраэдра модели, находятся распределения полей.

При каждой следующей итерации увеличивается число элементов разбиения модели и описанным выше образом производится расчёт [19]. В каждой итерации, находится значение погрешности, как относительное изменение между действительной и мнимой компонентой волнового числа предыдущей и текущей итерации [19]. Процесс расчёта считается завершённым, если наибольшая погрешность определения действительной и мнимой части волнового числа становится менее 0,1 %. Это позволяет получать достоверные результаты численного моделирования.

Резонансная частота в режиме собственных колебаний определяется по формуле (2.15). Значение добротности резонатора вычисляется по следующей формуле [12]:

.

Дальнейшее численное исследование будет проводится на основании вышеприведённых положений.

2.4 Оптимизация параметров РИП ЦР КИА для увеличения чувствительности к изменению тангенса угла диэлектрических потерь образца

Руководствуясь физическими соображениями, можно утверждать, что согласование коаксиального микрозонда II (рис. 2.2) c объемным резонатором I осуществляется путем изменения его длины . При этом режим функционирования РИП в ближнеполевой области образца будет оказывать вторичное влияние.

На рис. 2.4, а, б приведены результаты вычислений зависимостей добротности РИП и ее изменения от длины . При этом, параметры РИП выбраны следующими (рис. 2.2), согласно (3.1), (3.2): ; ; ; ; толщина образца , при мм.

Вычисления и проводились в режиме вынужденных колебаний из численного анализа частотной характеристики параметра в области резонанса системы. Чувствительность определялась исходя из изменения добротности:

,

где и - добротности РИП при нагрузке на образец с электрофизическими параметрами: и , соответственно. Для аналогичных образцов вычислялась величина .



а)

б)

в)

Рис. 2.4. Зависимость а) ; б) ; в) от величины (для параметров модели на рис.2.3: ; ; ; ; , при мм)

Параметры конструкции возбуждающей системы РИП обеспечивали значение порядка 0,1 на резонансной частоте, что позволяет утверждать о малой степени связи РИП с измерительной системой, при [12]. Потери в стенках не учитывались для более четкого выделения влияния образца и условий согласования.

Зависимости и от (рис. 2.4, б, в, соответственно) свидетельствуют о достоверности вычислений и хорошей сходимости решения.

Ввиду высокого значения волнового сопротивления коаксиального вывода микрозонда, полное согласование его с объёмным резонатором I (рис. 2.2) невозможно. Поэтому для улучшения возбуждения микрозонда электромагнитным полем резонатора I использован элемент, являющийся продолжением центрального проводника коаксиала длиной . Как видно из рис. 2.4, а, усиление связи резонатора с образцом, путём увеличения длины , снижает общую добротность системы.

На зависимостях (рис. 2.4) прослеживается резонансный характер согласования микрозонда с объёмным резонатором при изменении длины для и постепенное согласование избирательности по при увеличении . Рост чувствительности РИП с повышением явно свидетельствует о предполагаемом повышении эффективности возбуждения коаксиальной вставки. Максимум в зависимости чувствительности от подводит к выводу о необходимости дополнительного согласования коаксиального микрозонда с объёмным резонатором.

Результаты численного исследования зависимости чувствительности РИП ЦР КИА от длины коаксиальной вставки, вблизи , при различных значениях и , приведены на рис. 2.5. На рис. 2.5 заметно увеличение чувствительности с ростом величины . Немаловажно отметить, что максимум чувствительности достигается при для всех значений .

На рис. 2.6 приведены результаты численного исследования зависимости чувствительности РИП ЦР КИА от длины коаксиальной вставки, при изменении и , для .

Рис. 2.5. Зависимость от , при различных (для параметров модели на рис. 2.3: ; ;; ; , при мм)



Рис. 2.6. Зависимость от , при различных (для параметров модели на рис. 2.3: ; ;;; , при мм)

Коаксиальный микрозонд является необходимым условием повышенной локализации СВЧ электрического поля в нормальной, по отношению к образцу, компоненте [12, 19]. Рост отношения в подзондовой части измерительной апертуры, увеличивает пространственное разрешение зонда.

Превалирование -вой компоненты в отношении визуально прослеживается на картине распределения модулей напряжённости электрического поля компонент вблизи торца коаксиальной измерительной апертуры (рис. 2.7) с геометрией модели, описанной выше, при нагрузке на образец с электрофизическими параметрами ; . Из рис. 2.7 также видно значительное провисание высокочастотного поля из апертуры, что подтверждает трёхмерный характер исследования образца методом МСМС.

Логическим продолжением семейства кривых на рис. 2.5, являются зависимости на рис. 2.8. Графики представляют результаты численного исследования зависимостей добротности и чувствительности РИП при выбранном оптимальном значении и от радиуса центрального проводника микрозонда. Расчёт проводился в режиме собственных колебаний. На графиках (рис. 2.8) прослеживается рост чувствительности при увеличении . Это обусловлено ростом ёмкости, одной из обкладок которой является торец микрозонда.

Как видно из графиков на рис. 2.8, ёмкость, образованная между торцом зонда и образцом, в большей степени влияет на чувствительность, чем увеличение модуля напряжённости электрического поля на торце центральной жилы измерительной апертуры, при уменьшении .



Рис. 2.7. Распределение модуля напряжённости электрического поля в апертуре КИА (для параметров модели на рис. 2.3:; ; ; ; ; , при мм)



а)

б)

Рис. 2.8. Зависимость а) ; б) от величины (для параметров модели на рис. 2.3: ; ; ; ; , при мм)

Уменьшение ухудшает согласование коаксиальной линии с объемным резонатором I (рис. 2.2), ввиду того, что полное сопротивление объёмного резонатора много меньше полного сопротивления коаксиального микрозонда: . Об этом свидетельствует снижение чувствительности и повышение добротности РИП ЦР КИА при вариации (рис. 2.6).

а)

б)

Рис. 2.9. Зависимость а) ; б) от величины (для параметров модели на рис. 2.3: ; ; ; ; , при мм)

Данные результаты позволяют осуществлять осознанный выбор геометрии резонаторного измерительного преобразователя с коаксиальной апертурой.

2.5 Характеристики преобразования для РИП ЦР КИА

Целесообразно, на основании полученных выше оптимизированных геометрических размеров РИП ЦР КИА, вычислить характеристики преобразования (информационные характеристики для дальнейшей компьютерной обработки) рассмотренного выше типа РИП при изменении параметров исследуемого образца от 2,5 до 12 и от 0,001 до 0,1.

Геометрические размеры модели были выбраны следующими (рис. 2.2): ; ; ; ; и , при мм. Проводимость стенок резонатора принята равной См/м. Расчёт производился в режиме собственных колебаний.

Графики зависимости добротности, частоты и их изменения (градуировочные характеристики), относительно добротности и частоты РИП ЦР КИА, нагруженного на свободное пространство, от электрофизических параметров образца, приведены на рис. 2.10, 2.11, соответственно.

Как видно из рис. 2.10, графики РИП ЦР КИА линейны во всём диапазоне своего изменения.

Немонотонный характер кривых (рис. 2.10) во всём диапазоне изменения обусловливается сложным апертурным характером взаимодействия исследуемого образца с резонаторным преобразователем. При малых изменениях относительной диэлектрической проницаемости, зависимости могут быть аппроксимированы линейной функцией.

Из графиков (рис. 2.10) видно, что апертурный характер взаимодействия образца с РИП нельзя интерпретировать только изменением сосредоточенной ёмкостью на торце коаксиального волновода.



а)

б)

Рис. 2.10. а) Зависимость от электрофизических параметров образца; б) характеристики преобразования РИП ЦР КИА (для параметров модели на рис. 2.3: ; ; ; ; ; , при мм)



а)

б)

Рис. 2.11. а) Зависимость от электрофизических параметров образца; б) характеристики преобразования РИП ЦР КИА (для параметров модели на рис. 2.3: ; ; ; ; ; , при мм)

Графики (рис. 2.10, 2.11) позволяют сопоставить информационные сигналы РИП ЦР КИА параметрам исследуемого образца. При необходимости, градуировочные кривые могут быть построены для определённого полупроводникового материала с конкретной степенью легирования, подвижностью носителей заряда и пр.

Вместе с тем, зависимости на рис. 2.10, 2.11 не отражают влияние неоднородностей в объёме образца на информационные сигналы РИП.

2.6 Микродиагностические аспекты применения РИП ЦР КИА

Для исследования микродиагностических особенностей РИП предложенной конструкции, требуется провести дополнительное численной исследование зависимости информационных сигналов от величины неоднородности в образце. Влияние неоднородности также позволит судить о степени локализации СВЧ поля на торце щупа измерительной апертуры.

Схема расположения неоднородности в образце приведена на рис. 2.12.

Рис. 2.12. Структура неоднородного образца

На рис. 2.12 представлен образец с электрофизическими параметрами: ; и неоднородностью (электрофизические параметры: ; ). Неоднородность в образце имеет вид цилиндра, радиусом и высотой, равной высоте образца. Ось цилиндра совпадает с осью центрального проводника коаксиального волновода КИА. Электрофизические параметры образца: ; ; неоднородности: ; . Геометрические размеры модели идентичны приведённым выше.

Чувствительность определялась по формуле:

,

где и - добротности РИП при нагрузке на однородный и неоднородный образец, соответственно.

Зависимость от радиуса неоднородности, при и приведена на рис. 2.13.

Как видно из графика на рис. 2.13, большее влияние на информационный сигнал, оказывает неоднородность большего размера. Причём чувствительность тем больше, чем больше радиус центральной жилы коаксиального волновода измерительной апертуры. Зависимость на рис. 2.13 отражает тот факт, что влияние объёма образца, находящегося непосредственно под щупом измерительной апертуры, оказывается доминирующим на параметры РИП. Это позволяет сделать вывод о достаточной степени концентрации электрического поля на торце центральной жилы коаксиального зонда.



Рис. 2.13. Зависимость от радиуса неоднородности в образце (для параметров модели на рис. 2.3: ; ; ; ; , при мм)

2.7 Выводы по содержательной части работы

В главе предложена конструкция РИП ЦР КИА, обоснована необходимость её применения и обозначены направления оптимизации чувствительности РИП ЦР КИА.

В результате проведения комплекса численных исследований осуществлена оптимизация геометрии микрозонда и выявлены оптимальные соотношения , , коаксиальной апертуры. Установлено, что величина чувствительности РИП в большей степени определяется значением сосредоточенной ёмкости, образованной торцом щупа зонда, чем степенью локализации нормальной компоненты электрического поля.

На основании представленной модели получены характеристики преобразования РИП ЦР КИА, необходимые для их дальнейшей компьютерной обработки, и оценено влияние неоднородности в исследуемом образце на информационные сигналы резонаторного преобразователя.

3. ВОПРОСЫ ОХРАНЫ ТРУДА И ТЕХНИКИ БЕЗОПАСНОСТИ

Охрана труда - система правовых, социально-экономических, организационно-технических, санитарно-гигиенических и лечебно профилактических мероприятий и средств, направленных на сохранение здоровья и работоспособности человека в процессе труда.

Охрана здоровья трудящихся, обеспечение безопасности условий труда, ликвидация профессиональных заболеваний и производственного травматизма составляет одну из главных забот человеческого общества. Обращается внимание на необходимость широкого применения прогрессивных форм научной организации труда, сведения к минимуму ручного, малоквалифицированного труда, создания обстановки, исключающей профессиональные заболевания и производственный травматизм.

Данный раздел дипломной работы посвящен рассмотрению следующих вопросу защиты от электромагнитного излучения.

Излучения СВЧ диапазона.

Активность влияния электромагнитных полей (ЭМП) различных диапазонов частот различная: она значительно растет с ростом частоты и очень сильно влияет в СВЧ диапазоне. В данный диапазон входят дециметровые (100--10 см), сантиметровые (10--1 см) и миллиметровые (10--1 мм) волны. Как и УВЧ, СВЧ излучение сильно поглощается почвой и не отражается ионосферой. Поэтому распространение СВЧ происходит в пределах прямой видимости.

Влияние СВЧ излучения на живые ткани дало основание для разработки терапевтической медицинской аппаратуры. Благодаря особенностям распространения СВЧ именно этот диапазон используется для передачи энергии лучом на большие расстояния.

Под влиянием ЭМП и излучений наблюдаются: общая слабость, повышенная усталость, потливость, сонливость, а также расстройство сна, головная боль, боль сердца. Появляется раздражение, потеря внимания, растет длительность речедвигательной и зрительной моторных реакций, повышается граница обонятельной чувствительности. Возникает ряд симптомов, которые являются свидетельством нарушения работы отдельных органов -- желудка, печени, селезенки, поджелудочной и других желез. Угнетаются пищевой и половой рефлексы.

Регистрируются изменения артериального давления, частота сердечного ритма, форма электрокардиограммы. Это свидетельствует о нарушении деятельности сердечно-сосудистой системы.

Одним из серьезных эффектов, обусловленных СВЧ - облучением, есть повреждение органов зрения. На низких частотах такие эффекты не наблюдаются и поэтому их нужно считать специфическими для СВЧ диапазона.

Степень поражения зависит в основном от интенсивности и длительности облучения. С ростом частоты, напряженности ЭМП, которая вызывает повреждение зрения, степень поражения уменьшается.

Острое СВЧ облучение вызывает слезотечение, раздражение, сужение зрачков. Потом после короткого (1-2 суток) периода наблюдается ухудшение зрения, которое растет во время повторного облучения, что свидетельствует о кумулятивном характере поражения.

При влиянии излучения наблюдается повреждение роговицы глаз. Но среди всех тканей глаза наибольшей чувствительностью в диапазоне 1-10 ГГц обладает хрусталик.

Источниками электромагнитных излучений в радиотехнических устройствах являются генератор, тракты передачи энергии от генератора к антенне, антенные устройства, электромагниты в установках для термической обработки материалов, конденсаторы, высокочастотные трансформаторы, фидерные линии. При их работе в окружающую среду распространяются ЭМП. Электромагнитное поле ВЧ и СВЧ, которое несет с собой энергию, может самостоятельно распространяться в пространстве без проводника электротока со скоростью, близкой к скорости света. Оно меняется с этой же частотой, что и ток, который его создал.

Однако для уменьшения влияния ЭМП на персонал, который находится в зоне действия используемых источников СВЧ, мною предусматривается применение ряда защитных мероприятий. В их число могут входить организационные, инженерно-технические и врачебно-профилактические мероприятия.

Поскольку полностью избежать облучения невозможно, т. к. мощность источников излучения минимально необходимая, исключительно важное значение имеют инженерно-технические методы и средства защиты: коллективный, локальный и индивидуальный.

Локальная защита в данном случае более эффективна. Она базируется на использовании радиозащитных материалов, которые обеспечивают высокое поглощение энергии излучения в материале и отражение от его поверхности. Для экранирования путем отражения используем металлические листы или сетки с хорошей проводимостью. Облучение в таком помещении сводится к минимуму, а отраженное от экранов излучение перераспределяется в пространстве.

Персонал, находящийся на небольшом расстоянии, надежно защищается путем экранирования аппаратуры.

Для этого используют радиопоглощающие материалы как однородного состава, так и композиционные, которые состоят из разнообразных диэлектрических и магнитных веществ. С целью повышения эффективности поглощения поверхность экрана изготавливается шершавой, ребристой или в виде шипов.

Радиопоглощающие материалы могут использоваться для защиты окружающей среды от ЭМП, генерируемых источником, находящимся в экранированном объекте.

При длительной работе в данной лаборатории и с большими мощностями для защиты тела работающих экспериментаторов мною рекомендовано использование одежда из металлизированных тканей и радиопоглощающих материалов, обеспечивающих ослабление излучений не менее чем на 20-30 дБ.

Для защиты глаз - применять специальные очки со стеклами, с нанесенной на внутреннюю сторону проводящей пленки двуокиси олова., обеспечивающих ослабление СВЧ на 20-30 дБ.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Проведенный обзор показал, что в настоящее время при моделировании РИП в недостаточной мере учитывается влияние излучательных потерь, зазора между зондом и объектом, конструкции апертуры, их совокупности на информационные сигналы РИП. Кроме того, вопросы оптимизации параметров резонаторных измерительных преобразователей также недостаточно проработаны. Проведение данных исследований актуально для практических и научных приложений.

В главе предложена конструкция РИП ЦР КИА, обоснована необходимость её применения и обозначены направления оптимизации чувствительности РИП ЦР КИА.

В содержательной части дипломной работы проведен комплекс численных исследований, осуществлена оптимизация геометрии микрозонда и выявлены оптимальные соотношения , , коаксиальной апертуры. Установлено, что величина чувствительности РИП в большей степени определяется значением сосредоточенной ёмкости, образованной торцом щупа зонда, чем степенью локализации нормальной компоненты электрического поля.

На основании представленной модели получены характеристики преобразования РИП ЦР КИА, необходимые для их дальнейшей компьютерной обработки, и оценено влияние неоднородности в исследуемом образце на информационные сигналы резонаторного преобразователя.

СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ

1. Лисовский В.В. Теория и практика сверхвысокочастотного контроля влажности сельскохозяйственных материалов / В.В. Лисовский. - Мн.: УОБГАТУ, 2005. - 292 с.

2. Егоров В.Н. Резонансные методы исследования диэлектриков на СВЧ / В.Н. Егоров // Приборы и техника эксперимента. - 2007. - № 2. - С. 5 - 38.

3. Chen L. Microwave Electronics Measurement and Materials Characterization / [L. Chen, С. Ong, С. Neo and other]. - New York: John Wiley & Sons, 2004. - 537 p.

4. Детинко М.В. Физические основы неразрушающего СВЧ-резонаторного метода локального контроля электрофизических параметров полупроводников / М.В. Детинко, Ю.В. Медведев, А.С. Петров. - Томск: Изд-во Томского ун-та, 1988. - 30 с.

5. Завьялов А.С. Измерение параметров материалов на сверхвысоких частотах / А.С. Завьялов, Г.Е. Дунаевский. - Томск: Изд-во ТГУ, 1985. - 213 с.

6. Брандт А.А. Исследование диэлектриков на сверхвысоких частотах / А.А. Брандт. - М.: Физматиздат, 1963. - 404 с.

7. Гордиенко Ю.Е. Резонаторные измерительные преобразователи в диагностике микрослоистых структур / Ю.Е. Гордиенко // Радиотехника. Всеукр. межвед. науч.-техн. сб. - 1996. - Вып. 100. - С. 253 - 260.

8. Медведев Ю.В. Техника неразрушающего измерения удельного сопротивления, толщины и времени жизни неосновных носителей заряда по площади эпитаксиальных пленок / Ю.В. Медведев // Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ. - 1984. - № 10. - С. 50 - 54.

9. Степанов А.Е. Моделирование электромагнитных полей в электротехнических устройствах / [А.Е. Степанов, Ю.Г. Блавдзевич, З.Х. Борукаев и др.]. - К.: Техніка, 1990. - 188 с.

10. Памятных Е.А. Основы электродинамики материальных сред в переменных и неоднородных полях / Е.А. Памятных, Е.А. Туров. - М.: Наука, 2000. - 354 с.

11. Лебедев И.В. Техника и приборы СВЧ / И.В. Лебедев. - М.: Высш. школа, 1970. - 440 с.

12. Орлов С.И. Расчёт и конструирование коаксиальных резонаторов / С.И. Орлов. - М.: Радио, 1970. - 256 с.

13. Гордиенко Ю.Е. Ближнеполевая сканирующая сверхвысокочастотная микродиагностика объектов в технологии электроники / Ю.Е. Гордиенко // Нові технології. - 2002. - № 1. - С. 3 - 6.

14. Pippard A. The surface impedance of superconductors and normal metals at high frequencies: Resistance of superconducting tin and mercury at 1200 Mc/sec / A. Pippard // Proc. Roy. Soc. - 1947. - № 191. - P. 370 - 384.

15. Tabib-Azar M. Non-destructive characterization of materials by evanescent microwaves / M. Tabib-Azar, N. Shoemaker, S. Harris // Meas. Sci. Tech. - 1993. - Vol. 4, № 5. - P. 583 - 590.

16. Gao C. High spatial resolution quantitative microwave impedance microscopy by a scanning tip microwave near-field microscope / C. Gao, T. Wei, R. Duewer, Y. Lu, X. Xiang // Applied Physics Letters. - 1997. - Vol. 71, № 13. - P. 1872 - 1874.

17. Кураев А.А. Электродинамика и распространение радиоволн / А.А. Кураев, Т.Л. Попкова, А.К. Синицын. - Мн.: Бестпринт, 2004. - 358 с.

18. Гордиенко Ю.Е. Оценка направлений оптимизации СВЧ резонаторных датчиков контроля влагосодержания порошковых материалов электронной технологии / Ю.Е. Гордиенко, Ф.М. Хаммуд // Радиоэлектроника и информатика. - 2004. - № 2. - С. 34 - 38.

19. Резник А.Н. Ближнепольная СВЧ томография биологических сред / А.Н. Резник, Н.В. Юрасова // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, № 4. - С. 108 - 116.

20. Дробахин О.О. Датчики перемещений на основе круглых цилиндрических СВЧ-резонаторов / О.О. Дробахин, П.И. Заболотный, Е.Н. Привалов // Техника и приборы СВЧ. - 2008. - № 2. - С. 24 - 29.

21. Gao C. Quantitative microwave near-field microscopy of dielectric properties / C. Gao, X. Xiang // Review of scientific instruments. - 1998. - Vol. 69, 11. - P. 3846 - 3851.

22. Microwave measurements / [Edited by R. Collier, A. Skinner]. - London: The Institution of engineering and technology, 2007. - 506 p.

23. Полетаев Д.А. Модель микроволнового микроскопа с балансной схемой / Д.А. Полетаев, В.В. Старостенко, Е.П. Таран, А.А. Шадрин // Материалы 4-ой международной молодёжной научно-технической конференции “Современные проблемы радиотехники и телекоммуникаций” “РТ - 2008”. - Севастополь, 21 - 25 апреля 2008 г. - С. 192.

24. Полетаев Д.А. Численный расчет добротности резонатора микроволнового микроскопа в зависимости от величины связи / Д.А. Полетаев, Е.П. Таран, А.А. Шадрин // Материалы 11-го Международного молодежного форума “Радиоэлектроника и молодежь в XXI веке”. - Харьков: ХНУРЭ, 10 - 12 апреля 2007 г. - С. 185.

Размещено на Allbest.ru