Фоторезисторы, их свойства и принцип работы
Физические основы работы фоторезисторов, их вольтамперные, световые и спектральные характеристики; инерционность. Структура фоторезистора, схема его включения и принцип действия. Характеристика примесной фотопроводимости, явление электропроводности.
| Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
| Предмет | Общая электротехника и электроника |
| Вид | контрольная работа |
| Язык | русский |
| Прислал(а) | Юрий |
| Дата добавления | 12.03.2015 |
| Размер файла | 4,0 M |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Подобные документы
Фотоэлектрические приемники лучистой энергии. Электрические, фотоэлектрические и оптические свойства материалов. Фоторезисторы, их свойства и принцип работы. Световые характеристики фоторезисторов. Энергетический спектр валентных электронов в материалах.
реферат [1,3 M], добавлен 15.01.2015Внешний вид ряда датчиков: света, давления, температуры, скорости, перемещения. Перечень разновидностей фоторезисторов и перечисление области их применения. Внешний вид и принципиальная схема работы лабораторного стенда "Исследование фоторезисторов".
презентация [3,2 M], добавлен 14.03.2011Устройство, эквивалентная схема биполярного транзистора. Назначение эмиттера и коллектора. Основные параметры, принцип действия и схемы включения n–p–n транзистора. Режимы его работы в зависимости от напряжения на переходах. Смещение эмиттерного перехода.
реферат [266,3 K], добавлен 18.01.2017Выбор диода, выполняющего заданную функцию, его маркировка и характеристики, схема включения и принцип работы. Схема включения полевого транзистора с общим истоком в динамическом режиме. Преимущества и недостатки некоторых устройств оптоэлектроники.
контрольная работа [34,7 K], добавлен 11.11.2010Свойства МДП-структуры (металл–диэлектрик–полупроводник). Типы и устройство полевых транзисторов, принцип их работы. Влияние типа канала на вольтамперные характеристики МДП-транзисторов. Эквивалентная схема, расчет и быстродействие МДП-транзистора.
курсовая работа [1,4 M], добавлен 18.12.2009Физические основы полупроводниковых приборов. Принцип действия биполярных транзисторов, их статические характеристики, малосигнальные параметры, схемы включения. Полевые транзисторы с управляющим электронно-дырочным переходом и изолированным затвором.
контрольная работа [637,3 K], добавлен 13.02.2015Компенсация напряжения сдвига операционных усилителей, их свойства и принцип работы. Исследование работы инвертирующего, неинвертирующего и дифференциального включения операционного усилителя. Измерение коэффициента ослабления синфазной составляющей.
лабораторная работа [4,0 M], добавлен 16.12.2015Назначение и принцип работы потенциометров. Зависимость напряжения на выходе от перемещения ползунка. Электрическая схема потенциометрического датчика. Статическая характеристика нагруженных потенциометров. Реверсивный и нереверсивный типы их включения.
презентация [2,3 M], добавлен 10.05.2016Принцип действия формирователя импульса тока для запуска лазером и требуемые параметры его работы. Принцип работы таймера в схеме одиночного запуска. Каскад Дарлингтона. Операционный усилитель и схема с транзистором VT1. Принципиальная схема устройства.
курсовая работа [119,3 K], добавлен 07.04.2008Технология изготовления полупроводниковых диодов, структура, основные элементы и принцип действия. Процесс образования p-n перехода, его односторонняя проводимость. Электрофизические параметры электро-дырочных переходов. Контактная разность потенциалов.
курсовая работа [1,0 M], добавлен 28.01.2015
