Блок интерфейсных адаптеров

Микросхема К1533 АГ3 содержит два ждущих мультивибратора с возможностью перезапуска. Электрические характеристики приведены в таблице 4.2.

Микросхема К1533 ИЕ7

Микросхема К1533 ИЕ7 содержит четырехразрядный реверсивный двоичный счетчик с предварительной записью. Электрические характеристики приведены в таблице 4.2.

Микросхема К1533 ИР33

Микросхема К1533 ИР33 представляет собой восьмиразрядный буферный регистр. Построен на D-триггерах, имеет восемь входов данных D0...D7 и восемь выходов Q0...Q7. Электрические характеристики приведены в таблице 4.2.

Микросхема К1533 ИР37

Микросхема К1533 ИР37 представляет собой восьмиразрядный буферный регистр с тремя состояниями на выходе (Z-состояние) и импульсным управлением (вход С прямой динамический, переключение положительным перепадом тактового импульса). Построен на D- триггерах и имеет восемь входов данных D0...D7 и восемь выходов данных Q0...Q7. Электрические характеристики приведены в таблице 4.2.

Микросхема К1533 ИД7

Микросхема К1533 ИД7 представляет собой двоично-десятичный дешифратор-демультиплексор, преобразующий трехразрядный код А0...А2 в напряжение низкого уровня, появляющееся на одном из восьми выходов 0...7. Электрические характеристики приведены в таблице 4.2.

Микросхема К1533 ИП7

Микросхема К1533 ИП7 содержит четыре двунаправленных шинных усилителя без инверсии. Усилители имеют входные пороги, аналогичные триггеру Шмитта. Электрические характеристики приведены в таблице 4.2.

Микросхема КР590 КН2

Микросхема КР590 КН2 представляет собой восьмиканальный коммутатор с дешифратором на МОП-транзисторах для коммутации напряжений от -5 до +5В. Напряжение источника питания +5В10%. Эксплуатационные характеристики приведены в таблице 4.1. Электрические характеристики приведены в таблице 4.2.

Микросхема КР1401 УД2

Микросхема КР1401 УД2 представляет собой операционный усилитель, работающий при напряжении питания +5В10%. Эксплуатационные характеристики приведены в таблице 4.1. Электрические характеристики приведены в таблице 4.2.

Таблица 4.1 - Эксплуатационные характеристики микросхем

тип микро-схем	интервал рабочих температур,С	относительная влажность воздуха 98% при температуре, С	вибрация	многократные удары с ускорением, g	линейная нагрузка с ускорением, g
			диапазон частот,Гц	ускоре-ние, g
К1533	-45...+85	25	1...2000	10	75	50
К1401	-30...+70	25	1...600	10	75	50
КР590	-45...+75	25	1...600	10	75	50

Таблица 4.2 - Электрические характеристики микросхем

тип микросхемы	U0вых, не >, В	U1вых, не <, B	I0вх, не>, мА	I1вх, не>, мА	I1пот, не>, мА	t1,0зд.р, не>, нс	t0,1зд, не>, нс
К1533 АП5	0,4	2,0...2,4	-0,15	0,02	15	13	13
К1533 АП6	0,4	2,0...2,4	-0,2	0,02	70	18	18
К1533 ИЕ7	0,4	2,5	-0,2	0,02	10	8	8
К1533 АГ3	0,5	2,7	-0,4	0,02	20	56	45
К1533 ИД7	0,48	2,9	-0,36	0,02	10	41	27
К1533 ИП7	0,4	2,4	-0,2	0,02	30	15	15
К1533 ИР33	0,4	2,4	-	0,02	-	-	-
К1533 ЛА2	0,5	2,5	-0,2	0,02	0,36	25	12
КР590 КН6	0,5	2,7	-0,6	0,02	0,85	5	5,5
К1533 ЛА3	0,5	2,5	-0,2	0,02	0,05	12	12
К1533 ЛЕ1	0,4	2,5	-0,2	0,02	0,85	14	14
К1533 ЛИ1	0,4	2,5	-0,2	0,02	0,4	25	12
К1533 ЛЛ1	0,5	2,7	-0,6	0,02	0,85	5	5,5
К1533 ЛН1	0,5	2,5	-0,2	0,02	1,1	12	12
К1533 ЛП5	0,5	2,7	-0,8	0,04	-	12	10
К1533 ТЛ2	0,5	2,7	-0,4	0,02	16	22	22
К1533 ТМ2	0,4	2,5	-0,3	0,02	1,4	15	17
К1533 ТМ8	0,4	2,4	-0,2	0,02	1,4	24	26
К1401 УД2	0,6	2,5	-0,5	0,02	1,5	-	-

4.1.4 Выбор диодов и стабилитронов

Диод КД522Б

Полупроводниковый диод КД522Б предназначен для работы в аппаратуре широкого применения. Выпускается в металлостекляном корпусе с гибкими выводами.

Электрические характеристики:

Прямое напряжение на переходе при температуре окружающей

среды от +25 до +125 С и Iпр=50 мА, В 1.

Максимальный обратный ток при :

температуре корпуса от -60 до +25С, мкА 1;

температуре корпуса +125С, мкА 100.

Максимальное обратное напряжение, В 30.

Ток прямой средний при температуре окружающей среды

от - 60 до +50 С, мА 50.

Ток импульсный при длительности импульса не более 10 мкс, мА 500.

Эксплуатационные характеристики:

Температура окружающей среды, С:

верхнее значение +125;

нижнее значение -60.

Относительная влажность воздуха при температуре +40С, % 98.

Атмосферное давление, мм рт. ст. 203...2304.

Вибрация:

диапазон частот, Гц 10...600;

ускорение, g 10;

Многократные удары с ускорением, g 70.

Линейные нагрузки с ускорением, g 25.

Стабилитрон Д818Д

Стабилитрон типа Д818Д кремниевый диффузионно-сплавной. Предназначен для стабилизации напряжения в аппаратуре широкого применения. Выпускается в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Тип стабилитрона указывается на корпусе. Корпус является отрицательным электродом.

Электрические параметры:

Напряжение стабилизации номинальное при 298К, В:

при I_ст.ном=50мА 100.

Разброс напряжения стабилизации при 298К, I_ст.=I_ст.ном , В 90...110.

Температурный коэффициент напряжения стабилизации

при температуре от 213 до 398К, не более, 0,14.

Временная нестабильность напряжения стабилизации, не более, %6.

Прямое постоянное напряжение при 298К, не более, В 1,5.

Постоянное обратное напряжение при 298К, не более, В 70.

Дифференциальное сопротивление при 298К, не более, Ом 50.

Предельные эксплуатационные данные:

Минимальный ток стабилизации, мА 5.

Максимальный ток стабилизации, мА 90.

Прямой постоянный ток, А 1.

Перегрузка по току стабилизации в течении 1 секунды

при Т_к 348К, мА 150.

Рассеиваемая мощность при Т_к 348К, Вт 5.

Температура окружающей среды, К:

верхнее значение 403;

нижнее значение 213.

Температура перехода, К 413.

4.1.5 Выбор транзисторов

Транзисторы КТ660А.

Транзисторы типа КТ660А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры п-р-п переключательные. Предназначены для применения в переключающих и импульсных устройствах, в цепях вычислительных машин, в генераторах электрических колебаний. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.

Электрические параметры:.

Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при

Uкб=10В, Iэ=2мА 200...450.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

при Iк=500мА,Iб=50мА, не более, В 0,5.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

при Iк=10мА,Iб=1мА, не более,В 0,035.

Напряжение насыщения база-эмиттер

при Iк=500мА,Iб=50мА, не более, В 1,2.

Емкость коллекторного перехода при Uкб=10В, не более, пФ 10.

Обратный ток коллектора при Uкб=Uкб_мах, не более, мкА 1.

Обратный ток эмиттера при Uбэ=4В, не более, мкА 0,5.

Предельные эксплуатационные характеристики:

Постоянное напряжение коллектор-база, В 30.

Постоянное напряжение база-эмиттер, В 5.

Постоянный ток коллектора, мА 800.

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора, Вт 0,5.

Температура р-п перехода, С 150.

Температура окружающей среды, С

верхнее значение +85;

нижнее значение -45.

4.1.6 Моточные изделия

Дроссель ДМ-0,6

Дроссель ДМ-0,1

Дроссели предназначены для подавления помех питающей сети в диапазоне от 30 до 200 кГц.

Максимальный ток через дроссель, А 1,5.

Максимальное напряжение между обмотками, В 600.

Номинальная индкутивность обмоток, мГн 35.

Габаритные размеры, мм: 30 х 30 х 20.

Масса, г не более 40.

Дроссель покрыт защитным лаком.

4.1.7 Прочие изделия

Резонатор кварцевый РК351-11АТ-10МГц.

Резонатор кварцевый преднозначен для стабилизации частоты электромагнитных колебаний генераторов радиоэлектронных устройств.

Выполнен в металлическом герметичном корпусе с гибкими выводами.

Номинальная рабочая частота, кГц 10000.

Отклонение рабочей частоты, % 0,01.

Температурный коэффициент частоты, %/С 0.0001.

Паразитная емкость кристаллодержателя, не более, пФ 3.

Диапазон рабочих температур,С

верхнее значение +130;

нижнее значение -60.

Вибрации:

диапазон частот, Гц 1...150;

ускорение, не более, g 5.

Линейные нагрузки с ускорением не более, g 20.

Многократные удары с ускорением не более, g 10.

Габаритные размеры, мм: 11 х 8 х 4.

Масса, г 2.

Соединитель СНП 34С-113/132х9,4р-22в

Соединитель предназначен для работы в РЭС в диапазоне частот до 3 МГц. Данный соединитель является отрезным и предназначен для печатного монтажа.

Электрические характеристики и параметры надежности:

Максимальное рабочее напряжение, В

при шаге выводов 2,5 мм 700.

Рабочий ток на контакт, А 0,5.

Максимальный ток на один контакт соединителя при температуре

среды не выше 60 С, А 2.

Переходное сопротивление контакта, Ом 0,01.

Емкость между соседними контактами, не выше, пФ 5.

Сопротивление изоляции в нормальных условиях, ГОм:

при шаге 2,5 мм 5.

Средняя наработка на отказ, ч 5000.

Эксплуатационные характеристики:

Температура окружающей среды, С:

верхнее значение +75;

нижнее значение -45.

Относительная влажность воздуха при температуре 35 С, % 98.

Атмосферное давление, Па (мм рт. ст.) 53300 (400).

Ускорение:

при вибрации в диапазоне 1...80 Гц, g 50;

при многократных ударах, g 150.

4.2 Выбор унифицированных узлов и установочных изделий

Выбор унифицированных узлов и установочных изделий проводим на основании одного из требований технического задания к уровню унификации и стандартизации. На основании вышесказанного основное предпочтение отдается стандартизированным изделиям крепежа - практически все крепежные изделия стандартны.

Блок питания является заимствованной - покупной сборочной единицей, не нуждающейся в какой-либо доработке.

4.3 Выбор материалов

Выбор материалов разрабатываемой конструкции проводим согласно требований, изложенных в техническом задании. Материалы конструкции должны обладать следующими свойствами:

иметь малую стоимость;

легко обрабатываться и быть легкими;

обладать достаточными прочностью и жесткостью;

внешний вид материалов корпуса, лицевой и задней панелей должны отвечать требованиям технической эстетики;

сохранять физико-химические свойства в процессе эксплуатации.

Применение унифицированных материалов в конструкции, ограничение номенклатуры применяемых деталей позволяет уменьшить себестоимость разрабатываемого изделия, улучшить производственную и эксплуатационную технологичность. Изготовление деталей конструкции типовыми технологическими процессами также позволяет снизить затраты при серийном выпуске изделий в промышленности.

При изготовлении элементов несущих конструкций широко применяются

алюминиевые сплавы, в частности сплав алюминия с магнием АМг. Магний сильно повышает прочность сплавов. До 12-14% магния пластичность изменяется мало. Сплавы АМг добавочно легируют марганцем, который упрочняет сплав. Данный материал легко обрабатывается давлением (штамповка, гибка и т.д.), хорошо сваривается и обладает высокой коррозионной стойкостью. Исходя из выше приведенного для изготовления корпуса выбран следующий материал:

Лист АМг6БМ ГОСТ 21631-76 - сплав АМг (состав: магний 5,8-6,8%; марганец 0,5-0,8%; бериллий 0,0002-0,005%; титан 0,02-0,1%) с технологическим плакированием, отожженный, обычной отделки, нормальной точности по ГОСТ 21631-76.

Материал для изготовления печатной платы должен иметь следующие показатели (в заданных условиях эксплуатации РЭС): большую электрическую прочность, малые диэлектрические потери, обладать химической стойкостью к действию химических растворов, используемых в техпроцессах изготовления платы. Для изготовления плат общего применения в РЭС наиболее широко используется стеклотекстолит. Фольгированный стеклотекстолит представляет собой слоистый прессованный материал, изготовленный на основе ткани из стеклянного волокна, пропитанной термореактивным связующим на основе эпоксидной смолы, и облицованный с одной стороны медной электролитической оксидированной или гальваностойкой фольгой (изготавливают листами толщиной: до 1 мм - не менее 400х600мм; от 1,5 и более - не менее 600х700мм). На основании вышеприведенного, для изготовления печатной платы может использоваться следующий материал:

СФ 2-35Г-2,0 ГОСТ 10316-78 - стеклотекстолит фольгированный гальваностойкий предназначен для изготовления печатных плат с повышенными диэлектрическими свойствами.

Поверхностное электрическое сопротивление после кондиционирования в условиях 96ч/ 40C/ 93%, Ом не менее 10¹⁰.

5 ОПИСАНИЕ СХЕМЫ ЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ СТРУКТУРНОЙ, СХЕМЫ ЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРИНЦИПИАЛЬНОЙ

5.1 Описание схемы электрической структурной

Устройство сопряжения с АРЛС является составной частью блока интерфейсных адаптеров центрального вычислителя системы технического зрения и поэтому для понимания приводится и описание структурной схемы блока интерфейсных адаптеров. Структурно блок расчленяется на следующие функционально законченные системы:

устройство сопряжения с АРЛС;

преобразователь аналого-цифровой;

устройство сопряжения с пультом оператора слежения;

устройство сопряжения с пультом оператора сопровождения;

устройство сопряжения с пультом оператора целеуказаний;

адаптер ЭВМ;

устройство сопряжения с визиром внешнего обзора;

модуль электропитания.

Устройство сопряжения с АРЛС обеспечивает передачу информации с АРЛС через адаптер ЭВМ на центральный вычислитель САУ и через устройства сопряжения с пультами операторов на пульты оператора слежения, сопровождения и целеуказаний.

Преобразователь аналого-цифровой обеспечивает преобразование сигнала, принятого с аппаратуры СЕВ, из аналоговой формы в цифровую.

Устройство сопряжения с пультом оператора слежения обеспечивает отображение информации, поступаемой с АРЛС и визира внешнего обзора, на пульте оператора слежения.

Устройство сопряжения с пультом оператора сопровождения обеспечивает отображение информации, поступаемой с АРЛС и визира внешнего обзора, на пульте оператора сопровождения.

Устройство сопряжения с пультом оператора целеуказаний обеспечивает отображение информации, поступаемой с АРЛС и визира внешнего обзора, на пульте оператора целеуказаний.

Адаптер ЭВМ обеспечивает передачу информации, поступаемой с внешних устройств (АРЛС, визир внешнего обзора, аппаратура СЕВ и др.) на центральный вычислитель САУ, а также передачу информации от центрального вычислителя САУ на внешние устройства.

Устройство сопряжения с визиром внешнего обзора обеспечивает передачу информации от визира внешнего обзора через адаптер ЭВМ на центральный вычислитель САУ и через устройства сопряжения с пультами операторов на пульты оператора слежения, сопровождения и целеуказаний.

Модуль электропитания обеспечивает стабильное электропитание всех функциональных частей блока интерфейсных адаптеров.

5.2 Описание схемы электрической принципиальной

В данном разделе приводится описание схемы электрической принципиальной одного из функционально-законченных частей блока интерфейсных адаптеров-устройства сопряжения с АРЛС.

Схема работает следующим образом. Автогенератор, выполненный на D3, вырабатывает прямоугольные импульсы частотой 1МГц. Чтобы генератор мягко возбуждался и устойчиво работал при внешних воздействиях используется не инвертирующий стабилизированный усилитель с большим коэффициентом усиления. Положительная обратная связь через конденсатор С24 охватывает два элемента, причем один элемент DD3.1 выведен в линейный, усилительный режим с помощью резистора отрицательной обратной связи R1. Элемент DD3.3 применен как буферный чтобы уменьшить влияние нагрузки на частоту автогенератора. Импульсы поступают на инвертор DD3.5, после которого они меняют полярность и следуют на вход синхронизации D-триггера (DD8.1), который переключается в состояние логической единицы по заднему фронту поступающих импульсов. После триггера, импульсы с частотой в два раза меньше исходной поступают на логический элемент И (DD9.1), на второй вход которого подаются импульсы с автогенератора. В результате на выходе DD9.1 имеются импульсы с длительностью равной исходной, но с частотой следования в два раза меньше исходной. Эти импульсы поступают на двоичный счетчик DD12. Состояние счетчика изменяется по фронту тактового импульса. Направление счета идет в сторону увеличения на единицу. Далее 3-х разрядный код с выходов Q0...Q2 счетчика поступает на двоично-десятичные дешифраторы- демультиплексоры DD17, DD18. Они преобразуют напряжение высокого уровня в напряжение низкого уровня.

Информация с АРЛС поступает на разъем XS1.2 и через буферные элементы DD1 и DD2 записывается в регистры DD4...27.06.2010, DD10, DD11, DD15, DD16, DD20, DD21. Запись информации происходит в соответствующий регистр за счет подачи на вывод разрешения входа ОЕ0...ОЕ4 напряжения низкого уровня. Оно формируется из сигнала команды записи, поданной оператором центрального вычислителя, при помощи логических элементов ИЛИ (DD13, DD14). То есть при подаче команд GO_B, TO_B, GO_Е или ТО_Е на соответствующем входе ОЕ0...ОЕ4 появляется напряжение низкого уровня и при наличии информации на входах D0...D7 регистра происходит запись информации. Считывание на пульт оператора происходит следующим образом. Делается запрос IORC и обращение к соответствующему регистру напряжением высокого уровня. На соответствующем выходе DD13, DD14.1 появляется логическая единица, которая поступает на требуемый регистр. Одновременно тактовые импульсы отрицательной полярности поступают с DD18 на инвертирующий элемент DD19. На выходе DD19 получается сигнал высокого уровня, который следует на логические элементы ИЛИ DD23, DD9.3. На второй вход DD23, DD9.3 поступает напряжение высокого уровня ОЕ0...ОЕ4. На соответствующем выходе DD23, DD9.3 получаем логическую единицу (С0...С4), которая подается на необходимый регистр и с выхода регистра считывается информация, которая поступает на разъем XS1.3 и далее на пульт оператора.

Резисторы R4...R18 используются для «подтягивания» уровня сигнала принимаемой информации.

Конденсаторы С1...С23, С26...С28 предназначены для фильтрации напряжения питания.

6 ВЫБОР И ОБОСНОВАНИЕ КОМПОНОВОЧНОЙ СХЕМЫ, МЕТОДОВ И ПРИНЦИПА КОНСТРУИРОВАНИЯ

6.1 Выбор компоновочной схемы

Основная компоновочная схема изделия определяет многие важнейшие характеристики РЭС: габариты, вес, объем монтажных соединений, способы защиты от полей, температуры, механических воздействий, ремонтопригодность.

Различают три основные компоновочные схемы РЭС [13]:

централизованная;

децентрализованная;

централизованная с автономными пультами управления.

Каждая из этих схем обладает своими достоинствами и недостатками.

При централизованной компоновке все элементы сложной системы располагаются в одном отсеке на специальных этажерочных конструкциях или шкафах, длина и количество межблочных соединений сведены к минимуму, ремонт и демонтаж наиболее удобны, легче выполнить качественные системы охлаждения и амортизации. Такая компоновочная схема требует более тщательной экранировки, вызывает затрудненность компоновки изделия, часто требующей доработки его, обладает относительно меньшей надежностью систем охлаждения, герметизации, виброзащиты [13].

Децентрализованная компоновочная схема обеспечивае относительно большую легкость размещения элементов изделия на обьекте, не требуется тщательная экранировка отдельных блоков, присоответствующих схемных решениях может быть более надежной, сохраняя частичную работоспособность при выходе из строя отдельных элементов изделия. Недостатком является значительная длина межблочных соединений, затруднен полный демонтаж системы, для каждого отдельного блока необходимо предусматривать автономные системы охлаждения, виброзащиты [13].

Наиболее распространен способ централизованной компоновки, при котором все элементы сложной РЭС, кроме входных и управляющих устройств, распологают в одном участке или отсеке блока. Однако внутри этого отсека компоновка выполняется в виде совокупности отдельных блоков и приборов [13]

6.2 Выбор и обоснование метода и принципа конструирования

На основе проведенного разбиения электрической схемы и анализа существующих конструкций выбирается метод конструирования устройства в целом и его частей. Существующие методы конструирования РЭС подразделяются на три взаимосвязанные группы [14]:

по видам связей между элементами;

по способу выявления и организации структуры связей между элементами;

по степени автоматизации конструирования РЭС - зависит от назначения аппаратуры и ее функций, преобладающего вида связей, уровня унификации, автоматизации и т.д.

Рассмотрим кратко сложившиеся методы конструирования РЭС.

Геометрический метод. В основу метода положена структура геометрических и кинематических связей между деталями, представляющая собой систему опорных точек, число и размещение которых зависит от заданных степеней свободы и геометрических свойств твердого тела [14].

Машиностроительный метод. В основу этого метода конструирования положена структура механических связей между элементами, представляющая собой систему опорных поверхностей. Машиностроительный метод используется для конструирования устройств и элементов РЭА, которые несут большие механические нагрузки и в которых неизбежны вследствие этого большие деформации [14].

Топологический метод. В основу метода положена структура физических связей между ЭРЭ. Топологический метод, в принципе, может применяться для выявления структуры любых связей, однако конкретное его содержание проявляется там, где связности элементов может быть сопоставлен граф [14].

Метод проектирования моноконструкций. Основан на минимизации числа связей в конструкции, он применяется для создания функциональных узлов, блоков, РЭА на основе оригинальной несущей конструкции в виде моноузла (моноблока) с оригинальными элементами [14].

Базовый (модульный) метод конструирования. В основу метода положен модульный принцип проектирования. Деление базового метода на разновидности связано с ограничениями, схемной конструкторской унификацией структурных уровней (модулей функциональных узлов, блоков). Базовый метод является основным при проектировании современной РЭА, он имеет много преимуществ по сравнению с методом моноконструкций [14]:

на этапе разработки позволяет одновременно вести работу над многими узлами и блоками, что сокращает сроки проведения разработок; упрощает отладку и сопряжение узлов в лаборатории, так как работа любого функционального узла определяется работой известных модулей, резко упрощается конструирование и макетирование; сокращает объем оригинальной конструкторской документации, дает возможность непрерывно совершенствовать аппаратуру без коренных изменений конструкции; упрощает и ускоряет внесение изменений в схему, конструкцию и конструкторскую документацию;

на этапе производства сокращает сроки освоения серийного производства аппаратуры; упрощает сборку, монтаж, снижает требования к квалификации сборщиков и монтажников; снижает стоимость аппаратуры благодаря широкой механизации и автоматизации производства; повышает степень специализации производства;

при эксплуатации повышает эксплуатационную надежность РЭА, облегчает обслуживание, улучшает ремонтопригодность аппаратуры.

При компоновке должны быть учтены требования оптимальных функциональных связей между модулями, их устойчивость, стабильность, требования прочности и жесткости, помехозащищенности и нормального теплового режима, требования технологичности, эргономики, удобства эксплуатации и ремонта. Размещение комплектующих элементов в модулях всех уровней должно обеспечивать равномерное и максимальное заполнение конструктивного объема с удобным доступом для осмотра, ремонта и замены. Замена детали или сборочной единицы не должна приводить к разборке всей конструкции или ее составных частей. Для устойчивого положения изделия в процессе эксплуатации центр тяжести должен находиться, возможно, ближе к опорной поверхности. При компоновке модулей всех уровней необходимо выделить достаточно пространства для межсоединений.

При проектировании необходимо придерживаться следующих рекомендаций [14]:

минимальный внутренний радиус изгиба проводника должен быть не менее диаметра провода с изоляцией;

провода питания переменного тока следует свивать для уменьшения возможности наводок;

провода, подводящие к сменным элементам должны иметь некоторый запас по длине, допускающий повторную заделку провода;

провода не должны касаться острых металлических кромок;

монтажные провода целесообразно связать в жгут, при этом обеспечивается возможность расчленения монтажных операций на более простые.

Для разъемного варианта конструкции большое распространение получило использование объединительной печатной платы, что позволяет существенно уменьшить габаритные размеры изделия, упростить сборку.

При компоновке РЭС необходимо решать вопросы электромагнитной совместимости элементов, в частности, защиты от электромагнитных, электрических и магнитных помех.

При защите РЭС от воздействий помех, определяют максимальное значение сигналов помехи на выходах схем, усложняют схему введением фильтров на линиях входа-выхода, устраняют помехи по линиям электропитания с помощью радиочастотных фильтров, экранируют входные цепи чувствительных схем, для элементов РЭС разрабатывают кожухи-экраны.

В качестве метода конструирования выбираем базовый (модульный) метод конструирования.

На основании вышеизложенного выбираем для разрабатываемой конструкции блока интерфейсных адаптеров электронный модуль второго уровня ЭМ2 разъемной конструкции. Основой конструкции является каркас, образованный двумя литыми из алюминиевого сплава рамками, соединенными между собой продольными профилированными планками. На верхней и нижней части каркаса установлены маркировочные линейки, на которых по соответствующим адресам закреплены направляющие для плат. Платы вставляются по направляющим в ячейки. Все платы располагаются в правой части блока интерфейсных адаптеров, а слева - для равномерного распределения центра масс - расположен блок питания, который снизу крепится винтами к каркасу, а сзади - к задней панели. На одной из длинных сторон плат крепится фальшпанель, которая при установке платы в конструкцию, прикручивается сверху и снизу винтами к каркасу. Такая конструкция позволяет повысить ремонтопригодность, т.к. любую плату можно извлечь из блока не разбирая конструкцию, также позволяет исключить использование передней панели по той причине, что спереди корпус закрывается фальшпанелями.

Сверху и снизу каркас закрывается перфорированными крышками, а сбоку и сзади - панелями, которые крепятся винтами. Перфорация крышек применена для обеспечения нормального теплового режима блока интерфейсных адаптеров. На боковых панелях имеются планки, прикрепленные винтами, предназначенные для установки блока интерфейсных адаптеров в стойку. Для удобства установки и извлечения блока из стойки спереди имеются две ручки, прикрепленные винтами к выступам боковых панелей. Выступы имеют отверстия для закрепления конструкции в стойке. К задней панели крепятся разъемы для подключения кабелей интерфейсных адаптеров, для подключения напряжения сети к блоку питания. Также на ней нанесена маркировка номеров разъемов и напряжения сети 220В, 50Гц. Для обеспечения нормального теплового режима блока питания в задней панели имеются отверстия, через которые продувается воздух вентилятором установленным в блоке питания.

Внутриблочная коммутация плат осуществляется посредством объединительной платы, на которой расположены вилки для подключения розеток соответствующих плат. Это позволяет исключить кабели для межплатной коммутации, что повышает устойчивость схемы к элекромагнитным помехам.

7 ВЫБОР СПОСОБОВ И МЕТОДОВ ТЕПЛОЗАЩИТЫ, ГЕРМЕТИЗАЦИИ, ВИБРОЗАЩИТЫ И ЭКРАНИРОВАНИЯ

7.1 Выбор способа теплозащиты

Для обеспечения нормального теплового режима необходимо выбрать такой способ охлаждения блока интерфейсных адаптеров (далее "блока"), при котором количество тепла, рассеиваемого в окружающую среду, будет равным мощности теплоты выделения блока, при этом также необходимо учесть теплостойкость элементной базы.

Расчет температуры всех входящих в блок элементов представляет собой чрезвычайно трудоемкий процесс. В связи с этим встает вопрос: для каких элементов необходимо рассчитывать температуру, чтобы с заданной достоверностью можно было судить о соответствии теплового режима всего блока требованиям технического задания.

Методика определения числа элементов РЭС, подлежащих расчету теплового режима, состоит в следующем [15]:

1. Задаемся вероятностью правильного расчета р.

Если вероятность p > 0,8, то можно остановиться на выбранном способе охлаждения. При вероятностной оценке 0,8 > р > 0,3 можно применить выбранный способ охлаждения, однако при конструировании РЭС обеспечению нормального теплового режима следует уделить тем больше внимания, чем меньше вероятность. При вероятности 0,3 > р > 0,1 не рекомендуется использовать выбранный способ охлаждения.

Исходя из вышеизложенного, задаемся вероятностью правильного расчета р > 0,8.

2.Определяем средний перегрев нагретой зоны.

Исходными данными для проведения последующего расчета являются:

K_з- коэффициент заполнения по объему 0,6;

суммарная мощность, рассеиваемая в блоке, Вт 30;

давление окружающей среды, кПа 87;

давление внутри корпуса, кПа 87;

габаритные размеры корпуса, м 483х0,295х0,264;

площадь i-го перфорационного отверстия, м² 0,47210^-4;

количество перфорационных отверстий 320.

Средний перегрев нагретой зоны перфорированного корпуса блока с естественным воздушным охлаждением определяется по следующей методике [16]:

Рассчитывается поверхность корпуса блока:

, (7.1)

где L₁, L₂ - горизонтальные размеры корпуса, м;

L₃ - вертикальный размер, м.

Для разрабатываемой конструкции блока L₁ = 0,483м, L₂ = 0,295м, L₃ = 0,264м. Подставив данные в (7.1), получим:

м².

Определяется условная поверхность нагретой зоны:

, (7.2)

где k_З - коэффициент заполнения корпуса по объему. В нашем случае k_З = 0,6. Подставляя значение k_З в (7.2), получим:

м².

Определяется удельная мощность корпуса блока:

, (7.3)

где Р - мощность, рассеиваемая в блоке. Для разрабатываемого блока Р =30Вт. Тогда:

Вт/м².

Определяется удельная мощность нагретой зоны:

. (7.4)

Вт/м².

Находится коэффициент ₁ в зависимости от удельной мощности корпуса блока:

(7.5)

.

Находится коэффициент ₂ в зависимости от удельной мощности нагретой зоны:

(7.6)

.

Определяется коэффициент К_Н1 в зависимости от давления среды вне корпуса блока:

, (7.7)

где Н₁ - давление окружающей среды в Па. В нашем случае Н₁=87кПа. Подставив значение Н₁ в (7.7), получим:

.

Определяется коэффициент К_Н2 в зависимости от давления среды внутри корпуса блока:

, (7.8)

где Н₂ - давление внутри корпуса в Па.

Для перфорированного корпуса Н₂=Н₁=87кПа. Тогда:

.

Рассчитывается суммарная площадь перфорационных отверстий:

, (7.9)

где S_i - площадь i-го перфорационного отверстия. Для разрабатываемой конструкции S_i=0,472см², количество перфорационных отверстий - 320 шт. Подставив данные в (7.9), получим:

м².

10. Рассчитывается коэффициент перфорации:

. (7.10)

.

11. Определяется коэффициент, являющийся функцией коэффициента перфорации:

. (7.11)

.

Определяется перегрев нагретой зоны:

. (7.12)

°С.

3. Для значений p = 0,95 и _З = 11,8 °С по графикам [рис.4.22, 15] находим значение допустимого перегрева элементов

Т_эл^(д). х_эл^(д) =30 °С, Т_эл^(д) = Т_с + х_эл^(д) = 40+30 = 70 °С

4. Расчету подлежат те элементы РЭС, у которых Т_{эл k}^(д) < 70 °С.

Значения Т_{эл k}^(д) для элементной базы разрабатываемого блока приведены в таблице 7.1.

Таблица 7.1 - Значения допустимых температур элементов

Тип элемента	Значение Тэл(д), °С
Резонатор	130
Конденсаторы:
К10-17А	85
К53-4А	85
Резисторы:
С2-23	75
СП3-19А	75
ИМС:
К1533	85
К1401	70
К590	75
Диоды:
КД522А	125
Д818Д	130
Транзисторы:
КТ660А	85
Дроссели:
ДМ-0,6	80
ДМ-0,1	75
Соединители	75

Из таблицы 7.1 видно, что для всех элементов, кроме ИМС серии К1401, выполняется условие Т_{эл k}^(д) > 70 °С. Для ИМС серии К1401 проведем подробный тепловой расчет.

Для выбора способа охлаждения исходными данными являются следующие данные:

суммарная мощность Р_р, рассеиваемая в блоке, Вт 30;

диапазон возможного изменения температуры

окружающей среды: микроклимат +20…+24C (Т_{с мах}, Т_{с мin})

и по ГОСТ 15150-69, C +10…+40;

пределы изменения давления окружающей среды:

Р_мах, кПа (мм рт. ст.) 106,7 (800);

P_min, кПа (мм рт. ст.) 84,0 (630);

допустимая температура элементов

(по менее теплостойкому элементу), Т_max, C +70;

коэффициент заполнения по объему 0,6;

Выбор способа охлаждения часто имеет вероятностный характер, т.е. дает возможность оценить вероятность обеспечения заданного в техническом задании теплового режима РЭС при выбранном способе охлаждения, а также те усилия, которые необходимо затратить при разработке будущей конструкции РЭС с учетом обеспечения теплового режима.

Выбор способа охлаждения можно выполнить по методике [15]. Используя графики, характеризующие области целесообразного применения различных способов охлаждения и расчеты, приведенные ниже, проверим возможность обеспечения нормального теплового режима блока в перфорированном корпусе с естественным воздушным охлаждением.

Условная величина поверхности теплообмена рассчитывается по (7.2). S_п = 0,532м².

Определив площадь нагретой зоны, определим удельную мощность нагретой зоны: плотность теплового потока, проходящего через поверхность теплообмена, рассчитывается по (7.4). q_З = 56,4 Вт/м².

Тогда: lg q_З =lg 56,4 = 1,75.

Максимально допустимый перегрев элементов рассчитывается по (7.13)

, (7.13)

Тогда:

По графикам [рис.2.35, рис.2.38, 15] для значений q_З = 56,4 Вт/м² и определяем, что нормальный тепловой режим блока в перфорированном корпусе с естественным воздушным охлаждением будет обеспечен с вероятностью p = 0,9. Так как полученное значение вероятности p > 0,8, то можно остановиться на выбранном способе охлаждения.

Более подробный расчет теплового режима проводится далее.

7.2 Выбор способов и методов герметизации

Герметизация - обеспечение практической непроницаемости корпуса РЭС для жидкостей и газов с целью защиты ее элементов от влаги, плесневых грибков, пыли, песка, грязи и механических повреждений. Она является наиболее радикальным способом защиты элементов РЭС.

Различают индивидуальную, общую, частичную и полную герметизацию [17].

Индивидуальная допускает замену компонентов РЭС при выходе из строя и ремонт изделия. При общей герметизации (она проще и дешевле индивидуальной) замена компонентов и ремонт возможны только при демонтаже корпуса, что может вызвать затруднение.

Для частичной герметизации применяют пропитку, обволакивание и заливку как компонентов, так и РЭС лаками, пластмассовыми или компаундами на органической основе. Они, как правило, не обеспечивают герметичность в течение длительного времени.

Практически полная защита РЭС от проникновения воды, водяных паров и газов достигается при использовании металлов, стекла и керамики с достаточной степенью непроницаемости. Наиболее распространенные способы такой герметизации - применение металлических корпусов с воздушным заполнением.

Важным фактором повышения эффективности герметизации является лакокрасочные, гальванические и химические покрытия пропитывающих, обволакивающих и заливочных материалов, металлического и металло-полимерного гермокорпусов.

Разъемная герметизация применяется для защиты блоков РЭС, требующих замены компонентов при ремонте, регулировке и настройке.

Общие требования к покрытиям металлическим и неметаллическим неорганическим установлены ГОСТ 9.301-86 (СТ СЭВ 5293-85, СТ СЭВ 5294-85, СТ СЭВ 5295-85).

Требования к поверхности основного металла: под защитные покрытия R_Z40, не грубее; под защитно-декоративные R_a2,5, не грубее; под твердые и электроизоляционные R_a1,25, не грубее.

Данные о покрытиях деталей и сборочных единиц разрабатываемой конструкции блока интерфейсных адаптеров приведены в таблице 7.2

Таблица 7.2 - Данные о покрытиях деталей и сборочных единиц конструкции блока интерфейсных адаптеров.

Детали, сборочные единицы	Материал детали, сборочной единицы		Покрытия
		Металлическое	Химическое	Лакокрасочное
Плата печатная	СФ 2-35Г-2,0	-	-	УР-231
Панель	АМг 6	-	Ан.Окс.нхр.	ХВ110 (серая)
Панель	АМг 6	-	Ан.Окс.нхр.	ХВ110 (серая)
Планка	АМг 6	-	Ан.Окс.тв.нхр.	ХВ110 (серая)
Крышка	АМг 6	-	Ан.Окс.нхр.	ХВ110 (серая)
Линейка	Д16	Ц3.хр.	-	-
Полоска	Д16	-	Ан.Окс.нхр.	ХВ110 (серая)
Вставка	Д16	Ц3.хр.	-	-
Направляющая	АБС-10027	-	-	ХВ110 (серая)
Панель боковая	АМг 6	-	Ан.Окс.нхр.	ХВ110 (серая)
Ручка	АМг 6	-	Ан.Окс.тв.нхр.	ХВ110 (серая)
Фальшпанель	АБС-10027	-	-	ХВ110 (серая)
Поперечина задняя	Д16	Ц3.хр.	-	-
Поперечина передняя	Д16	Ц3.хр.	-	-

Ан.Окс.нхр. - покрытие окисное, полученное способом анодного окисления (Ан.Окс.), толщина не нормируется, наполнение в растворе хроматов (нхр.). Используется по алюминию как защитное.

Ан.Окс.тв.нхр. - покрытие окисное, полученное способом анодного окисления (Ан.Окс.), толщина не нормируется, твердое (тв.), наполнение в растворе хроматов (нхр.). Используется по алюминию как защитное.

Ц3.хр. - цинковое покрытие, хромированное. Используется как улучшающее свинчиваемость по алюминию и его сплавам.

Эмаль ХВ110 серая ГОСТ 18374-79 - покрытие эмалью ХВ110, цвет серый, эксплуатируется в условиях умеренного климата.

Анодно-окисные покрытия - защитные покрытия пленкой окислов основного металла, полученной в электролите.

Покрытия по алюминию и алюминиевым сплавам имеют пористое строение и сравнительно высокую твердость.

Покрытия, наполненные в растворе бихроматов, обладают повышенной адгезией к лакам, эмалям и применяются в качестве подслоя [18].

Цинковое покрытие защищает металлы от коррозии химически. Оно улучшает свинчиваемость деталей. Покрытие обладает декоративными свойствами, цвет - серый или серебристо-серый [18].

Эмаль ХВ110 предназначена для покрытия металлических поверхностей, работающих в условиях умеренного и холодного климата. Стойкость эмалей к статическому воздействию воды не менее 24 ч.

7.3 Выбор способов и методов экранирования

Экранирование - локализация электромагнитной энергии в определенном пространстве, за счет ограничения распространения ее всеми возможными способами.

Из этого следует, что в понятие экрана входят как детали механической конструкции, так и электротехнические детали фильтрующих цепей и развязывающих ячеек, ибо только их совместное действие дает необходимый результат [17].

При прохождении мощных сигналов по цепям связи последние становятся источниками электромагнитных полей, которые, пересекая другие цепи связи, могут наводить в них дополнительные помехи. Источниками электромагнитных помех могут быть также мощные промышленные установки, транспортные коммуникации, двигатели и т.д. Для того, чтобы локализовать, где это возможно, действие источника или сам приемник помех, используют экраны. По принципу действия различают электростатическое, магнитостатическое и электромагнитное экранирование.

Электростатическое экранирование - вид экранирования, заключающийся в шунтировании большей части (или всей) паразитной емкости емкостью корпуса.

Электромагнитное экранирование. Переменное высокочастотное электромагнитное поле при прохождении через металлический лист либо перпендикулярно, либо под некоторым углом к его плоскости, наводит в этом листе вихревые токи, поле которых ослабляет действие внешнего поля. Металлический лист в данном случае является электромагнитным экраном. Примером электромагнитного экрана служит корпус блока интерфейсных адаптеров.

Внутриблочное экранирование и электромагнитная совместимость элементов и узлов сводятся к решению ряда конструктивных задач, основными из которых являются:

анализ и учет паразитных емкостных связей, между пленочными элементами и проводниками объединительного и выводного монтажа в ячейках блоков РЭС;

покаскадное экранирование и последовательное расположение каскадов в блоках приемно-усилительной аппаратуры;

экранирование ЭРЭ с сильными полями и критичных к внешним электромагнитным наводкам;

расчет на резонансные частоты корпусов блоков РЭС, реализующих схему СВЧ [19].

Экранированные провода, коаксиальные кабели и многожильные экранированные шланги с экранированными проводами внутри них следует применять в основном для соединения отдельных блоков и узлов друг с другом. Они позволяют защитить многоблочные устройства от наводок, поступающих извне, от взаимных наводок внутри устройства и защитить от наводок приборы, находящиеся в окружающем пространстве. Следует обратить особое внимание на качество присоединения оплеток к корпусам приборов [19].

В разрабатываемой конструкции блока интерфейсных адаптеров источником электромагнитных помех является блок питания. Конструктивно он выполнен в виде отдельного блока в металлическом корпусе, что исключает его влияние на элементы схемы блока. Так как блок выполнен в корпусе из алюминиевого сплава , то таким образом обеспечена защита его от влияния внешних полей.

7.4 Выбор способов и методов виброзащиты

Вибрации подвержены РЭС, установленные на автомобильном, железнодорожном транспорте, в производственных зданиях, на кораблях и самолетах.

Практический диапазон частот вибрации, действующей на РЭС, имеет широкий предел. Например, для наземной аппаратуры, переносимой или перевозимой на автомашинах, частота достигает 120 Гц при ускорении, действующем на приборы, до 6 g. Работающие в таких условиях РЭС должны обладать вибропрочностью и виброустойчивостью.

Вибропрочность - способность РЭС противостоять разрушающему действию вибрации в заданных диапазонах частот и при возникающих ускорениях в течение срока службы.

Виброустойчивость - способность выполнять все свои функции в условиях вибрации в заданных диапазонах частот и возникающих при этом ускорениях.

Известно, что в приборах, не защищенных от вибрации и ударов, узлы, чувствительные к динамическим перегрузкам, выходят из строя. Делать такие узлы настолько прочными, чтобы они выдерживали максимальные (действующие) динамические перегрузки, не целесообразно, так как увеличение прочности, в конечном счете, ведет к увеличению массы, а вследствие этого и к неизбежному возрастанию динамических перегрузок. Поэтому целесообразно использовать другие средства для снижения перегрузок [20].

Покрытие платы лаком не только обеспечивает защиту от вибрации, но и создает дополнительные точки крепления элементов к плате.

В разрабатываемой конструкции блока интерфейсных адаптеров применено два вида соединений: разъемные и неразъемные. К первому виду относятся в основном резьбовые соединения, ко второму - пайка, сварка, развальцовка.

Основным недостатком резьбовых соединений является самоотвинчивание при действии вибрации. Для устранения самоотвинчивания в разрабатываемой конструкции применяются контровочные шайбы.

Сварочные соединения должны быть точно рассчитаны, качество сварки должно контролироваться.

Конструктивно разрабатываемый блок интерфейсных адаптеров предназначен для установки в стойку, поэтому виброзащита должна быть предусмотрена для стойки в целом.

8 РАСЧЕТ КОНСТРУКТИВНЫХ ПАРАМЕТРОВ ИЗДЕЛИЯ

8.1 Компоновочный расчет блоков РЭС

Выбор компоновочных работ на ранних стадиях проектирования позволяет рационально и своевременно использовать или разрабатывать унифицированные и стандартизированные конструкции РЭС. В зависимости от характера изделия (деталь, прибор, система) будет выполняться компоновка различных ее элементов. Основная задача, которая решается при компоновке РЭС, - это выбор форм, основных геометрических размеров, ориентировочное определение веса и расположение в пространстве любых элементов или изделий РЭС. На практике задача компоновки РЭС чаще всего решается при использовании готовых элементов (деталей) с заданными формами, размером и весом, которые должны быть расположены в пространстве или на плоскости с учетом электрических, магнитных, механических, тепловых и др. видов связи.

Методы компоновки элементов РЭС можно разбить на две группы: аналитические и модельные. К первым относятся численные и номографические, основой которых является представление геометрических или обобщенных геометрических параметров и операций с ними в виде чисел. Ко вторым относятся аппликационные, модельные, графические и натурные методы, основой которых является та или иная физическая модель элемента, например в виде геометрически подобного тела или обобщенной геометрической модели.

Основой всех методов является рассмотрение общих аналитических зависимостей. При аналитической компоновке мы оперируем численными значениями различных компоновочных характеристик: геометрическими размерами элементов, их объемами, весом, энергопотреблением и т.п. зная соответствующие компоновочные характеристики элементов изделия и законы их суммирования, мы можем вычислить компоновочные характеристики всего изделия и его частей.

Но так как при этом методе требуется выполнение множества математических операций, мы в дальнейшем расчете будем пользоваться номографической компоновкой [14]. При этом методе компоновки мы будем использовать предварительно вычисленные значения компоновочных параметров элементов.

Исходными данными является перечень элементов схемы электрической принципиальной, необходимые типоразмеры и установочные размеры ЭРЭ: установочный объем и установочная площадь. Необходимые данные сведены в табл. 8.1 и табл. 8.2

Данные результаты вычислений nV_i , nS_i , nM_i , которые получены с помощью номограммы [14], перепишем в порядке возрастания, затем с помощью схемы (см. рис.8.1, 8.2, 8.3) получим суммарные показатели объема, площади и массы разрабатываемой конструкции блока интерфейсных адаптеров.

Таблица 8.1 - Численные и зашифрованные значения установочных объема и площади ЭРЭ проектируемой конструкции согласно номографической компоновки

Тип элемента	Кол-во	Объем	nVi	Площадь	Nsi
		Vуст, см3	шифр		Sуст, см2	шифр
Резонатор	1	0,5	А15	А15	0,5	А15	А15
Конденсаторы:
К10-17А	165	0,44	А14	В18	0,8	А19	Д3
К53-4А	18	0,833	А19	В5	1,19	Б3	В8
Резисторы:
С2-23:
0,125Вт	199	0,052	А18	В1	0,26	А7	В15
0,25Вт	6	0,126	А3	А18	0,42	А13	Б9
СП3-19А	1	0,18	А6	А6	0,436	А14	А14
ИМС:
Тип 1 (24)	1	1,58	Б5	Б5	3,15	Б11	Б11
Тип 2 (20)	57	0,92	А20	В16	1,83	Б6	Г1
Тип 3 (16)	46	0,75	А19	В13	1,5	Б5	В18
Тип 4(14)	38	0,73	А18	В10	1,46	Б4	В15
Диоды:
КД522А	5	0,36	А12	Б6	1,7	Б6	Б20
Д818Д	1	0,25	А9	А9	0,7	А18	А18
Транзисторы:
КТ660А	3	0,25	А9	А19	0,25	А9	А19
Дроссели:
ДМ-0,6	1	0,18	А6	А6	0,6	А17	А17
ДМ-0,1	2	0,24	А9	А15	0,8	А19	Б5
Розетки	9	27	В10	Г9	27	В10	Г9
Вилки	22	11	В2	Б7	11	В2	Г7
Блок питания	1	1785	Д6	Д6	210	Г7	Г7

Таблица 8.2 - Численные и зашифрованные значения установочной массы ЭРЭ проектируемой конструкции согласно номографической компоновки.

Тип элемента	Количество	Масса	nMi
		М, г	Шифр
Резонатор	1	1,2	Б8	Б8
Конденсаторы:
К10-17А	163	0,6	А17	Г1
К53-4А	18	5	Б15	Г1
Резисторы:
С2-23:
0,125Вт	199	0,15	А5	В11
0,25Вт	6	0,25	А9	Б9
СП3-19А	1	0,8	А19	А19
ИМС:
Тип 1 (24)	1	3	Б11	Б11
Тип 2 (20)	57	2,6	Б9	Г4
Тип 3 (16)	46	2	Б7	В20
Тип 4 (14)	38	1,8	Б6	В17
Диоды:
КД522А	5	0,2	А7	Б1
Д818Д	1	6	Б17	Б17
Транзисторы:
КТ660А	3	0,3	А11	Б1
Дроссели:
ДМ-0,6	1	2	Б7	Б7
ДМ-0,1	2	1,6	Б5	Б11
Розетки	9	20	В7	Г6
Вилки	18	20	В7	Г11
Блок питания	1	600	Г17	Г17

А6 А12

А6 Б1,5

А9 А18,5

А15 Б12

А15 Б1

А15 Б9

А18 Б4,5

А19 В18

Б5 Б11

Б6 В4

Б7 В2

В1 В17,5

В5 В14 Д10

В10 В15,5

В13 В0,5

В16

В18 Г11

Г9 Д7

Д6

Рис. 8.1 Схема результатов вычисления суммарного упаковочного объема.

А14 Б0,5

А15 Б8

А17 Б3,5

А18 Б19

А19 Б6

Б1 Б16

Б5 Б13

Б9

Б11 В2,5

Б20 Г1

В8 В20

В18 Г15

В15 Г1

В15 Г13

Г1 Г10,5 Д7

Г7

Г7 Г14

Г9 Д5

Д3

Рис. 8.2 Схема результатов вычисления суммарной площади.

А19 Б6

Б1 Б14,5

Б1 Б10,5

Б7 В5

Б8 Б14,5

Б9 В2

Б11 Б17

Б11 Г19

Б17 В12,5

В11 Г6

В17 Г4,5

В20 Г18

Г1 Г7 Д6