Метод молекулярно-лучевой эпитаксии для получения наноразмерных структур БГУИР Кр 1-41 01 04 010 Пз
Основы метода и оборудование для его осуществления. Создание наноструктур с помощью молекулярно-лучевой эпитаксии. Выращивание методом молекулярно-лучевой эпитаксии плёнок из соединений AIIIBV. Поверхностная подвижность атомов Al и Ga, их нанослои.
| Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
| Предмет | Наноэлектроника |
| Вид | курсовая работа |
| Язык | русский |
| Прислал(а) | NikSer |
| Дата добавления | 14.05.2016 |
| Размер файла | 3,9 M |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Подобные документы
Основные положения процесса молекулярно-лучевой эпитаксии. Устройство установки, принципы действия: рабочий объем, эффузионные ячейки. Дифракция быстрых электронов. Использование раствора кадмий-ртуть-теллур для производства инфракрасных и фотоприемников.
курсовая работа [890,4 K], добавлен 11.04.2012Принцип действия мониторов на основе электронно-лучевой трубки (ЭЛТ). Управление цифровыми мониторами с помощью двоичных сигналов. Монохромные, цветные (RGB) и аналоговые цифровые мониторы. Общая характеристика и описание монитора VIEWS0NIC-17GA/GL.
курсовая работа [3,7 M], добавлен 04.09.2010Изучение основных принципы работы компьютерных мониторов, их описание и основные параметры. Как работает электронно-лучевой монитор, типы экранов и цифровые сигналы. Классификация видеоадаптеров, синхронизация и полярность видеосигнала, блоки развертки.
курсовая работа [9,4 M], добавлен 04.09.2010Биполярные транзисторы, режимы работы, схемы включения. Инверсный активный режим, режим отсечки. Расчет h-параметров биполярного транзистора. Расчет стоко-затворных характеристик полевого транзистора. Определение параметров электронно-лучевой трубки.
курсовая работа [274,4 K], добавлен 17.03.2015Идея создания и применения оптронов. Физические основы оптронной техники. Измерения оптоэлектронными многоканальными системами. Изготовление подложек из монокристаллов Bi12GeO20 и подготовка поверхности подложек к эпитаксии. Структура германата висмута.
дипломная работа [1,1 M], добавлен 25.10.2012Технологический процесс изготовления полупроводниковой интегральной схемы ТТЛ. Расчет режимов базовой и эмиттерной диффузии, а также эпитаксии. Уточнение профиля распределения примеси в эмиттерной области. Определение точности изготовления резисторов.
курсовая работа [2,6 M], добавлен 14.03.2014Роль и место волоконно-оптических ВОЛС в сетях связи. Особенности и закономерности передачи сигналов по оптическим волокнам. Основы и современные направления применения положений волновой и лучевой теории при построении исследуемых систем связи.
презентация [3,1 M], добавлен 18.11.2013- Центр электронных технологий и технической диагностики технологических сред и твердотельных структур
Организационная структура Центра технической диагностики. Технологии ионно-лучевого и ионно-плазменного формирования тонких пленок. Магнетронная распылительная система. Изучение конструкции и принципа действия. Нормативно-техническая документация.
отчет по практике [683,4 K], добавлен 07.08.2013 Конструкция волоконно-оптического кабеля. Распространение различных мод по оптоволокну. Лучевой подход распределения света по оптическому волокну. Затухание световых сигналов. Мультиплексирование с разделением по длине волны. Подводные кабельные системы.
курс лекций [752,3 K], добавлен 03.07.2013Система связи для трансляции и приема движущегося изображения и звука на расстоянии. Количество элементов изображения. Полоса пропускания радиоканала. Применение электронно-лучевой трубки для приема изображений. Передача сигнала на большие расстояния.
презентация [2,1 M], добавлен 11.03.2013
