Технология получения полупроводниковых подложек кремния

На зарубежных приборах дата обозначается четырьмя цифрами, первые две из которых соответствуют году, а последние - номеру недели, [27].

Европейская система PRO-ELECTRON - код представляет собой символьную запись. Первая буква означает материал полупроводника: кремний, германий и т. п. Наиболее распространен кремний, ему соответствует литера В. Следующий символ - это тип прибора. Далее ставится номер серии продукта. У этого номера существует несколько диапазонов. Например, если указаны цифры от 100 до 999, то эти элементы относятся к изделиям общего назначения, а если перед ними ставится буква (Z10 - А99), то эти транзисторы считаются деталями специального или промышленного назначения. Кроме того, к общей кодировке может добавляться дополнительный символ модификации прибора. Ее определяет непосредственно производитель полупроводниковых элементов.

Американская система JEDEC - использует символьную кодировку, состоящую из четырех элементов. Первая цифра означает число п-н переходов: 1 - диод; 2 - транзистор;3 - тиристор; 4 - оптопара. Вторая буква обозначает группу. Третий знак - это серийный номер элемента (диапазон от 100 до 9999). Четвертый символ - буква, соответствующая модификации прибора.

Японская система JIS - состоит из символов и содержит в себе пять элементов. Первая цифра соответствует типу полупроводникового прибора: 0 - фотодиод или фототранзистор; 1 - диод; 2 - транзистор. Второй элемент - буква S, она ставится на всех элементах. Следующая буква соответствует типу транзистора. Последний, пятый, элемент - это модификация прибора (зачастую он может отсутствовать). Иногда наносится и шестой символ - это дополнительный индекс (литеры N, M или S), означающий требование соответствия специальным стандартам. В японской системе цветовая маркировка транзисторов не применяется, [23].

Область применения полевых транзисторов достаточно обширна - это звуковые усилители, различные реле, СВЧ - устройства, аналоговые и цифровые микросхемы и др. МДП-транзистор (MOSFET) с индуцированным каналом - один из самых перспективных компонентов электронной базы в микроэлектронике.

СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ

1. Калюкова Е.Н. Свойства неметаллов и их соединений: Учебное пособие / Е.Н. Калюкова.- Ульяновск: УлГТУ, 2002. -112 с.

2. Наумченко А.С. Руководство к лабораторным работам по курсу «Технологические процессы микроэлектроники»: методическая литература / Наумченко А.С., Светличный А.М.. - Таганрог: ТРТУ, 2002. -54 с.

3. Яценко О.Б. Основы физики и химии полупроводников, Часть II: Учебное пособие для вузов / Яценко О.Б., Чудотворцев И.Г., Шаров М.К, - Издательско-полиграфический центр Воронежского государственного университета, 2007. -50 с.

4. Курносов А. И. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, учебное пособие для вузов, издание третье, переработанное и дополненное / Курносов А. И., Юдин В. В. ,- Москва, Высшая школа, 1986. -368 с.

5. Справочник химика/ Свойства химических элементов/Кремний [Электронный ресурс] - Режим доступа: http://www.chem100.ru.

6. Большая Энциклопедия Нефти и Газа. Химическое травление кремния. [Электронный ресурс] - Режим доступа: www.ngpedia.ru/sitemap/00/000.

7. Жидкостное химическое травление. [Электронный ресурс] - Режим доступа: http://www.kazedu.kz/referat/86137.

8. Запевалин А.И. Обзор высоко-аспектных процессов травления кремния // Современная техника и технологии. 2014. № 6 [Электронный ресурс] - Режим доступа: http://technology.snauka.ru/2014/06/3970.

9.  Кочетов А.А. Курс лекций по материаловедению в теплоэнергетике Учебное пособие / [Электронный ресурс] - Режим доступа: http://twt.mpei.ac.ru/ochkov/TM/index.htm.

10. Гуртов, В. А. Физика твердого тела для инженеров: Учеб. Пособие/ Гуртов, В. А., Осауленко, Р. Н, - Москва, 2007. - 300 с. [Электронный ресурс] - Режим доступа: dssp.petrsu.ru/p/tutorial/ftt/index.htm

11. Шелованова Г.Н. Физические основы микроэлектроники, методические указания / Шелованова Г.Н. , КГТУ, 2003. - 50 с.

12. Пилипенко В. А. Физические измерения в микроэлектронике. Монография / Пилипенко В. А., Пономарь В. Н., Горушко В. А., Солонинко А. А. - Мн.: БГУ, 2003. - 171 с.

13. Смирнов С.В. Методы исследования надежности наногетероструктурных монолитных интегральных схем, Учебное пособие / Смирнов С.В. - Томск, ТУСУР, 2010. - 95 с.

14. Фаренбрух А. Солнечные элементы: Теория и эксперимент. Учебное пособие / Фаренбрух А., Бьюб Р. Пер. с англ. под ред. М. М. Колтуна. -- М.: Энергоатомиздат, 1987. -280 с.

15. Пат. 2178220 Российская Федерация, H01L21/66, G01R 31/26. Способ измерения времени жизни носителей заряда в кремнии / Ахметов В.Д; заявитель и патентообладатель Институт физики полупроводников СО РАН, опубл. 25.02.00.

16. Биранский П.И.Полупроводниковая электроника. Справочник / Биранский П.И., Клочков В.П., Изд. «Наукова думка», Киев, 1957. - 704 с.

17. Энциклопедия физики и техники [Электронный ресурс] - Режим доступа: http://www.femto.com.ua/

18. Степаненко И. П. Основы микроэлектроники: Учебное пособие для вузов. -- 2-е изд., перераб. и доп./ Степаненко И. П. -- М.: Лаборатория Базовых Знаний, 2000. - 488 с.

19. Персональные страницы. Технологические процессы полупроводникового производства процессоров. Получение монокристалла и полупроводниковых подложек [Электронный ресурс] - Режим доступа: http://people.overclockers.ru/RussOver/13984/Tehnologicheskie_processy_poluprovodnikovogo_proizvodstva_processorov/

20. Готра З. Ю. Технология микроэлектронных устройств: Справочник / Готра З. Ю. -- М.: Радио и связь, 1991. - 528 с.

21. Прокопьев Е.П. Позитроника ионных кристаллов, полупроводников и металлов. Монография./ Прокопьев Е.П., Тимошенков С.П., Графутин В.И., Мясищева Г.Г., Фунтиков Ю.В. - М.: МИЭТ, 1999. - 176 с.

22. Дольский А.М. Технология конструкционных материалов: Учебник для машиностроительных специальностей ВУЗов / Дольский А.М., Арутюнова И.А., Барсукова Т.М. и др.; Под ред. Дольского А.М.. - М.: Машиностроение, 2005. - 255 с.

23. Устройство и принцип работы электронных компонентов [Электронный ресурс] - Режим доступа: http://hightolow.ru/index.php

24. Радиолюбительский портал. Справочник. [Электронный ресурс] - Режим доступа: http://radiobooka.ru/spravochniki/916-tipy-korpusov-importnyh-tranzistorov-i-tiristorov.html

25. ГОСТ 19095-73 "Транзисторы полевые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров" Введ. 1.01.1975.

26. ГОСТ 20398.0-83 "Транзисторы полевые. Общие требования при измерении электрических параметров" Взамен ГОСТ 20398.0-74 Введ. 01.07.1984.

27. ГОСТ 17466-80 "Транзисторы биполярные и полевые. Основные параметры", Взамен ГОСТ 17466-72 Введ. 01.01.1982.

28. Шелованова Г. Н. Актуальные проблемы современной электроники и наноэлектроники: пособие по курсовой работе / сост.: Юзова В. А., Шелованова Г. Н.. - Красноярск: ИПК СФУ, 2009.- 124 с.

29. Анализ и инспекция в электронной промышленности. Производство МЭМС [Электронный ресурс] - Режим доступа: http://imc-systems.ru/category/Proizvodstvo-MEMS/Candela-CS20/

30. Размещено на Allbest.ru