Фотолитография

Производство полупроводникового кремния. Действие кремниевой пыли на организм. Защита органов дыхания. Литография как формирование в активночувствительном слое, нанесенном на поверхность подложек, рельефного рисунка. Параметры и свойства фоторезистов.

Рубрика Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника
Предмет Электроника
Вид курсовая работа
Язык русский
Прислал(а) FLASHka
Дата добавления 09.03.2009
Размер файла 23,8 K

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.


Подобные документы

  • Сущность и задачи литографии. Описание процесса создания рисунка с использованием фотолитографии на кремниевой подложке. Исследование режимов технологического процесса ионного легирования в кремниевой технологии при помощи компьютерных программ.

    реферат [23,9 K], добавлен 01.02.2016

  • Литографические процессы. Классификация методов литографии. Формирование рельефа изображения элементов. Контактная фотолитография. Последовательность выполнения операций при фотолитографии. Позитивные, негативные фоторезисты и режимы их обработки.

    реферат [932,8 K], добавлен 10.01.2009

  • Проекционная литография. Перенос изображения с фотошаблона на полупроводниковую подложку с помощью оптических систем. Основная задача проекционной фотолитографии - обеспечение автоматического совмещения. Сравнение проекционной литографии с контактной.

    реферат [779,8 K], добавлен 10.01.2009

  • Технология полупроводникового производства. Сущность процесса фотолитографии. Светочувствительность, разрешающая способность и кислотостойкость фоторезистов. Адгезия фоторезиста к подложке. Фотошаблоны и способы их получения. Требования к фоторезистам.

    курсовая работа [1,3 M], добавлен 22.02.2012

  • Изучение температурной зависимости подвижности и проводимости носителей заряда в полупроводниках. Основные электрофизические свойства кремния и германия, мелкие акцепторные и донорные уровни. Спектральный диапазон оптической прозрачности чистого кремния.

    курсовая работа [266,1 K], добавлен 22.12.2014

  • Концентрация основных носителей заряда. Сравнение рассчитанных величин со справочными. Вольт-амперные характеристики МДП-транзистора с индуцированным каналом. Главные преимущества полевых транзисторов. Проверка на кристаллографическую ориентацию.

    курсовая работа [3,1 M], добавлен 22.05.2015

  • Идея создания и применения оптронов. Физические основы оптронной техники. Измерения оптоэлектронными многоканальными системами. Изготовление подложек из монокристаллов Bi12GeO20 и подготовка поверхности подложек к эпитаксии. Структура германата висмута.

    дипломная работа [1,1 M], добавлен 25.10.2012

  • Нанокластеры и их энергетическое состояние. Влияние нанокластеров на свойства полупроводниковых материалов. "Захороненные" барьеры Шоттки. Формирование ансамблей боросиликатных нанокластеров в кремниевой матрице. Применение электронной оже-спектроскопии.

    дипломная работа [5,2 M], добавлен 06.12.2015

  • Фоторезисты и их свойства. Травление подложки с защитным рельефом и удаление защитного рельефа. Формирование слоя фоторезиста и защитного рельефа. Организация производства фотолитографического процесса. Изготовление высококачественных фотошаблонов.

    реферат [127,9 K], добавлен 27.03.2010

  • Предельные эксплуатационные параметры полупроводникового прибора КД409А. Поиск напряжения пробоя транзистора. Электрический расчет схемы автоколебательного симметричного мультивибратора. Полупроводниковые диоды, их виды, конструкция и параметры.

    контрольная работа [694,5 K], добавлен 22.03.2015

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.