Литография и контактная фотолитография. Позитивные и негативные фоторезисторы
Литографические процессы. Классификация методов литографии. Формирование рельефа изображения элементов. Контактная фотолитография. Последовательность выполнения операций при фотолитографии. Позитивные, негативные фоторезисты и режимы их обработки.
| Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
| Предмет | Технология изделий электронно-оптической техники |
| Вид | реферат |
| Язык | русский |
| Прислал(а) | redslive |
| Дата добавления | 10.01.2009 |
| Размер файла | 932,8 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Подобные документы
Проекционная литография. Перенос изображения с фотошаблона на полупроводниковую подложку с помощью оптических систем. Основная задача проекционной фотолитографии - обеспечение автоматического совмещения. Сравнение проекционной литографии с контактной.
реферат [779,8 K], добавлен 10.01.2009Фоторезисты и их свойства. Травление подложки с защитным рельефом и удаление защитного рельефа. Формирование слоя фоторезиста и защитного рельефа. Организация производства фотолитографического процесса. Изготовление высококачественных фотошаблонов.
реферат [127,9 K], добавлен 27.03.2010Сущность и задачи литографии. Описание процесса создания рисунка с использованием фотолитографии на кремниевой подложке. Исследование режимов технологического процесса ионного легирования в кремниевой технологии при помощи компьютерных программ.
реферат [23,9 K], добавлен 01.02.2016Производство полупроводникового кремния. Действие кремниевой пыли на организм. Защита органов дыхания. Литография как формирование в активночувствительном слое, нанесенном на поверхность подложек, рельефного рисунка. Параметры и свойства фоторезистов.
курсовая работа [23,8 K], добавлен 09.03.2009Назначение телевизионной системы: формирование изображения передаваемой сцены, предназначенного для восприятия человеком. Подача сигнала с выхода устройства обработки и усиления на анализатор. Формирование оптического изображения, элементы светоделения.
реферат [2,0 M], добавлен 12.07.2010Принцип действия прибора, его основные параметры и характеристики. Зависимость барьерной ёмкости перехода от обратного напряжения. Максимальный прямой ток через переход. Расчёт активных элементов интегральных микросхем. Контактная разность потенциалов.
курсовая работа [2,4 M], добавлен 11.12.2016Сигналы памяти и приемники изображения, устройства их обработки. Основные параметры элементов ПЗС: рабочая амплитуда напряжений, максимальная величина зарядного пакета, предельные тактовые частоты, мощность. Эффективность работы устройств обработки.
реферат [46,4 K], добавлен 13.01.2009Конструкция интегральной микросхемы на транзисторах. Преобразование и обработка входного сигнала. Технические условия для интегральных микросхем р-канального полевого транзистора с изолированным затвором. Нанесение пленки алюминия и фотолитография.
контрольная работа [1,8 M], добавлен 07.05.2013Последовательность этапов разработки микропроцессорных систем управления и стадий выпуска конструкторской документации. Анализ алгоритмов, определяющих логическую структуру микропроцессорной системы управления, последовательность выполнения операций.
реферат [224,5 K], добавлен 09.08.2011Технология изготовления полупроводниковых диодов, структура, основные элементы и принцип действия. Процесс образования p-n перехода, его односторонняя проводимость. Электрофизические параметры электро-дырочных переходов. Контактная разность потенциалов.
курсовая работа [1,0 M], добавлен 28.01.2015
