реферат  Полупроводниковые светодиоды

Классификация и конструкция светодиодов. Светодиоды на основе карбида кремния, на основе структур AIIIBV. Перспективы применения полупроводниковых светодиодов в качестве источников света для сигнализации, отображения и передачи информации, освещения.

Нажав на кнопку "Скачать архив", вы скачаете нужный вам файл совершенно бесплатно.
Перед скачиванием данного файла вспомните о тех хороших рефератах, контрольных, курсовых, дипломных работах, статьях и других документах, которые лежат невостребованными в вашем компьютере. Это ваш труд, он должен участвовать в развитии общества и приносить пользу людям. Найдите эти работы и отправьте в базу знаний.
Мы и все студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будем вам очень благодарны.

Чтобы скачать архив с документом, в поле, расположенное ниже, впишите пятизначное число и нажмите кнопку "Скачать архив"

 ##   ####  ####   #    ####  
#     #        #  ##       #  
###   ###    ##    #      #   
#  #     #     #   #      #   
#  #  #  #  #  #   #     #    
 ##    ##    ##   ###    #    
                              

Введите число, изображенное выше:

Рубрика Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника
Вид реферат
Язык русский
Дата добавления 20.10.2014
Размер файла 1,6 M

Подобные документы

  • Понятие, виды, структура светодиодов, их свойства и характеристики, особенности принципа работы. Возможности, недостатки и эффективность светодиодных ламп. Применение органических светодиодов при создании устройств отображения информации (дисплеев).

    реферат [587,6 K], добавлен 23.07.2010

  • Классификация типов, основные характеристики, параметры, история создания, принцип работы, устройство и применение светодиодов, материалы для их изготовления. Светодиоды оранжевого свечения на базе AlInGaP, GaAsP и GaP. Расчет конструкции светодиода.

    курсовая работа [1,3 M], добавлен 26.10.2014

  • Принципы фотометрического измерения светодиодов (нахождение светового потока и силы света). Определение радиометрической оптической мощности с применением сферического интегратора. Изучение колориметрических параметров и гониометрических характеристик.

    презентация [3,0 M], добавлен 18.02.2011

  • История развития технологий производства светодиодного освещения. Прогнозируемая эффективность источников света. Важный фактор развития рынка светодиодов в РФ. Основные преимущества и недостатки светодиодных светильников, прогнозирование срока их службы.

    реферат [868,8 K], добавлен 20.05.2014

  • Идеальный и реальный гетеропереход. Светодиоды: понятие, материалы, конструкция. Фотодиоды, фототранзисторы, квантовые ящики и сверхрешетки. Вольтамперная характеристика диода. Квантовые наноструктуры кремния. Спектры электролюминесценции структуры.

    презентация [425,8 K], добавлен 24.05.2014

  • Рассмотрение принципов работы полупроводников, биполярных и полевых транзисторов, полупроводниковых и туннельных диодов, стабилитронов, варикапов, варисторов, оптронов, тиристоров, фототиристоров, терморезисторов, полупроводниковых светодиодов.

    реферат [72,5 K], добавлен 14.03.2010

  • Проводники, диэлектрики и полупроводниковые материалы. Строение и свойства фото-, светодиодов, транзисторов, термисторов, их классификация, вольт-амперная характеристика, применение в автомобильных электрических системах. Преимущества цифровых схем.

    презентация [4,1 M], добавлен 12.12.2013

  • Сферы и условия эффективного применения легированных полимеров, устройства на их основе. Функции и значение полимерной электроники: фотодиодов, транзисторов, светодиодов. Исследование и оценка главных преимуществ, недостатков электропроводящих полимеров.

    контрольная работа [822,8 K], добавлен 08.06.2016

  • Ознакомление с принципами работы и испытание светодиодов, фототранзистора, столбиковых индикаторов и линейки светодиодов, рассмотрение принципов действия исследуемых схем в среде схемотехнического моделирования Electronics WorkBench (Multisim).

    методичка [2,5 M], добавлен 17.05.2022

  • Диффузия - перенос атомов в результате теплового движения; распределение примеси. Объемные и диффузионные полупроводниковые резисторы. Определение концентрации донорной примеси в исходной пластине кремния; расчет коэффициентов диффузии для бора и фосфора.

    курсовая работа [698,7 K], добавлен 17.05.2013

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.