курсовая работа  Фоточувствительные приборы с зарядовой связью на МДП ИС

Проведение анализа устройства и применения фоточувствительных приборов с зарядовой связью (ФПЗС) на метало-диэлектрик-полупроводниковых интегральных схемах. Физические механизмы, определяющие перенос зарядов. Металл, используемый для получения контактов.

Нажав на кнопку "Скачать архив", вы скачаете нужный вам файл совершенно бесплатно.
Перед скачиванием данного файла вспомните о тех хороших рефератах, контрольных, курсовых, дипломных работах, статьях и других документах, которые лежат невостребованными в вашем компьютере. Это ваш труд, он должен участвовать в развитии общества и приносить пользу людям. Найдите эти работы и отправьте в базу знаний.
Мы и все студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будем вам очень благодарны.

Чтобы скачать архив с документом, в поле, расположенное ниже, впишите пятизначное число и нажмите кнопку "Скачать архив"

  oooooooo  ooooooooo   .oooo.    ooooooooo       .o   
 dP""""""" d"""""""8'  d8P'`Y8b  d"""""""8'     .d88   
d88888b.         .8'  888    888       .8'    .d'888   
    `Y88b       .8'   888    888      .8'   .d'  888   
      ]88      .8'    888    888     .8'    88ooo888oo 
o.   .88P     .8'     `88b  d88'    .8'          888   
`8bd88P'     .8'       `Y8bd8P'    .8'          o888o  
                                                       
                                                       
                                                       

Введите число, изображенное выше:

Рубрика Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника
Вид курсовая работа
Язык русский
Дата добавления 09.12.2015
Размер файла 1,3 M

Подобные документы

  • Типы структур фотоприемных ячеек фоточувствительных приборов с зарядовой связью (ФПЗС). Накопление заряда в пикселях ФПЗС и его перенос. Метод краевой функции рассеяния. Зависимость модуляции от параметров. Моделирование ФПЗС с обратной засветкой.

    дипломная работа [1,9 M], добавлен 03.07.2014

  • Конструкции полевых транзисторов с управляющим р-п переходом. Стоко-затворная и стоковая (выходная) характеристики, параметры и принцип действия транзисторов. Структура транзисторов с изолированным затвором. Полупроводниковые приборы с зарядовой связью.

    реферат [822,3 K], добавлен 21.08.2015

  • Сравнительный анализ существующих способов построения телевизионных камер на приборах с зарядовой связью (ПЗС). Этапы синтеза схем управления вертикальным и горизонтальным переносом зарядов в матрице ПЗС. Разработка блока обработки видеосигнала.

    курсовая работа [2,8 M], добавлен 27.11.2013

  • Понятие и функциональные особенности прибора с зарядовой связью (ПЗС). Физические основы работы и конструкции ПЗС. Понятие и характеристика формирователя сигналов изображений (ФСИ). Строчные и матричные ФСИ на ПЗС. Перспективы развития ФСИ на ПЗС.

    реферат [1,9 M], добавлен 16.08.2010

  • Разработка системы на основе микроконтроллера для обработки изображения, принимаемого от прибора с зарядовой связью (ПЗС). Принцип работы ПЗС. Схема электрическая принципиальная. Программы для захвата сигналов от ПЗС на микроконтроллер и их обработки.

    курсовая работа [1,3 M], добавлен 22.09.2012

  • Физические принципы работы фотоприемников на приборах с зарядовой связью. Матричный ПЗС с разделением цветовых сигналов. Технологии комплементарных структур метал–оксид–полупроводник (КМОП). Фотоприёмники с координатной адресацией; телевизионный сигнал.

    презентация [1,8 M], добавлен 14.12.2013

  • Основные понятия оптики. Построение изображений с помощью интегральных линз Френеля. Защита интеллектуальной собственности, водяные знаки. Методика расчета кремниевых фотодиодов. Обработка и реконструкция изображений. Камеры и приборы с зарядовой связью.

    реферат [554,3 K], добавлен 19.07.2010

  • Полупроводниковые материалы, изготовление полупроводниковых приборов. Переход электрона из валентной зоны в зону проводимости. Незаполненная электронная связь в кристаллической решетке полупроводника. Носители зарядов, внешнее электрическое поле.

    лекция [297,5 K], добавлен 19.11.2008

  • Физические элементы полупроводниковых приборов. Электрический переход. Резкий переход. Плоскостной переход. Диффузионный переход. Планарный переход. Явления в полупроводниковых приборах. Виды полупроводниковых приборов. Элементы конструкции.

    реферат [17,9 K], добавлен 14.02.2003

  • Сравнительный анализ существующих способов построения телевизионных камер на приборах с зарядовой связью. Разработка структурной схемы. Синтез схемы управления выходным регистром, а также разработка принципиальной схемы генератора тактовых импульсов.

    дипломная работа [2,6 M], добавлен 20.11.2013

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.