реферат Технологические процессы изготовления микросхем
Анализ схемы логического элемента, принципиальная схема логического элемента. Расчет комбинации входных сигналов "1101" и мощности, потребляемой микросхемой для каждой комбинации. Достоинства и недостатки гибридных микросхем по требованиям схемотехники.
Нажав на кнопку "Скачать архив", вы скачаете нужный вам файл совершенно бесплатно.
Перед скачиванием данного файла вспомните о тех хороших рефератах, контрольных, курсовых, дипломных работах, статьях и других документах, которые лежат невостребованными в вашем компьютере. Это ваш труд, он должен участвовать в развитии общества и приносить пользу людям. Найдите эти работы и отправьте в базу знаний.
Мы и все студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будем вам очень благодарны.
Чтобы скачать архив с документом, в поле, расположенное ниже, впишите пятизначное число и нажмите кнопку "Скачать архив"
| Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
| Вид | реферат |
| Язык | русский |
| Дата добавления | 23.07.2011 |
| Размер файла | 378,1 K |
Подобные документы
Методика конструирования и технология толстопленочных гибридных интегральных микросхем, характеристика основных технологических операций и принципы выбора материала. Порядок расчета конденсаторов разрабатываемых микросхем, выбор и характеристика корпуса.
курсовая работа [261,9 K], добавлен 08.03.2010Описание процесса разработки схемы приоритета прерываний: определение условий работы программы, выбор и обоснование функциональной и принципиальной микросхем, конструкции типового элемента замены. Расчет быстродействия схемы и потребляемой мощности.
курсовая работа [480,1 K], добавлен 25.07.2013Упрощенная модель кремниевого биполярного транзистора. Частичная схема для расчета тока при комбинации заданных входных сигналов "1110". Максимальные мощности резисторов. Разработка топологии интегральной микросхемы, рекомендуемые размеры подложек.
контрольная работа [1,5 M], добавлен 15.01.2015Топологический расчет схемы принципиальной электрической для толстопленочной гибридной интегральной микросхемы (ГИС). Конструирование, технология толстопленочных ГИС. Расчет толстопленочных резисторов и конденсаторов. Выбор корпусов для микросхем.
курсовая работа [260,5 K], добавлен 03.02.2010Выпуск и применение интегральных микросхем. Конструирование и технология толстопленочных гибридных интегральных микросхем. Коэффициент формы резисторов. Защита интегральных микросхем от механических и других воздействий дестабилизирующих факторов.
курсовая работа [234,5 K], добавлен 17.02.2010Принцип действия цифрового компаратора. Фиксация входного напряжения на уровнях, совместимых с логическими уровнями транзисторно-логических микросхем. Схема компаратора на операционном усилителе. Структура логического элемента одноразрядного компаратора.
лабораторная работа [46,1 K], добавлен 12.01.2010Стадии производства микросхем. Электрический ток в полупроводнике. Структура элемента микросхемы ЭВМ. Изготовление кремниевых пластин. Контроль загрязнений и дефектности подложек. Контроль поверхности и слоев. Процессы травления в газовой среде.
презентация [1,2 M], добавлен 24.05.2014Технологический процесс гибридных микросхем. Процессы формирования на подложках пассивных пленочных элементов и проводников соединений. Контроль пассивных элементов на подложках. Технология получения ситалла. Резка слитков и ломка пластин на платы.
курсовая работа [871,3 K], добавлен 03.12.2010Выбор дискретизации телефонных сигналов, расчет количества разрядов кодовой комбинации и защищенности от шума квантования. Размещение станций разработка схемы организации связи на базе систем передачи ИКМ-120. Оценка надежности цифровой системы передачи.
курсовая работа [207,3 K], добавлен 25.06.2015Описание сложного инвертора. Расчет логического элемента ТТЛ (транзисторно-транзисторной логики) 3И-НЕ, обеспечивающего работу базовой схемы инвертора. Выбор транзисторов, расчет токов и сопротивления на них. Построение входных и выходных характеристик.
курсовая работа [237,5 K], добавлен 25.10.2011
