курсовая работа Проектирование и расчет симметричного Y-циркулятора
Параметры, определяющие качество циркулятора. Факторы, которые рассматривают при выборе ферромагнитного материала в качестве подложки для полосковой системы. Технические характеристики Y-циркулятора. Проницаемость размагниченной ферритовой подложки.
Нажав на кнопку "Скачать архив", вы скачаете нужный вам файл совершенно бесплатно.
Перед скачиванием данного файла вспомните о тех хороших рефератах, контрольных, курсовых, дипломных работах, статьях и других документах, которые лежат невостребованными в вашем компьютере. Это ваш труд, он должен участвовать в развитии общества и приносить пользу людям. Найдите эти работы и отправьте в базу знаний.
Мы и все студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будем вам очень благодарны.
Чтобы скачать архив с документом, в поле, расположенное ниже, впишите пятизначное число и нажмите кнопку "Скачать архив"
| Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
| Вид | курсовая работа |
| Язык | русский |
| Дата добавления | 24.05.2014 |
| Размер файла | 1,1 M |
Подобные документы
Применение ферритовых развязывающих устройств, позволяющих существенно улучшить параметры различной радиоаппаратуры. Реакция намагниченного феррита на электромагнитное сверхвысокочастотное излучение. Простейшая схема У-циркулятора, матрица рассеяния.
статья [125,5 K], добавлен 07.08.2013Конструирование микросхемы по электрической принципиальной схеме. Обоснование выбора материала подложки. Расчет тонкопленочных конденсаторов, резисторов. Диапазон рабочих температур. Выбор навесных элементов. Расчет показателя надежности микросхемы.
контрольная работа [48,2 K], добавлен 28.09.2012Конструкции МДП-транзисторов (металл - диэлектрик – полупроводник) в микросхемах с алюминиевой металлизацией. Материалы, используемые в качестве диэлектрика. Применение поликремниевых затворов транзисторов. Преимущество диэлектрической подложки.
реферат [915,7 K], добавлен 22.02.2009Параметры симметричного кабеля МКС-4х4-1,2 с медными жилами и кордельно-полистирольной изоляцией. Сопротивление цепи постоянному току. Индуктивность симметричного кабеля. Первичные и вторичные параметры коаксиальной пары. Коэффициент распространения цепи.
контрольная работа [180,5 K], добавлен 16.05.2014Выбор резистивного материала, проводников, подложки. Расчет размеров плёночных резисторов. Выбор конструкции корпуса, навесных компонентов, оборудования. Разработка топологии платы, схемы коммутации. Технология изготовления платы и сборки микросхемы.
курсовая работа [610,8 K], добавлен 26.11.2014Технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на применении в качестве подложки трехслойной структуры кремний-диэлектрик-кремний (КНИ): преимущества, конструктивное исполнение и операции получения методом управляемого скалывания.
курсовая работа [1,2 M], добавлен 30.04.2011Технические характеристики аппаратуры АКУ-30 и ИКМ-480. Параметры кабелей связи. Построение характеристики квантования. Расчет шумов оконечного оборудования. Расчет магистрального участка сети. Комплектация станционного оборудования на местной сети.
курсовая работа [553,9 K], добавлен 13.05.2012Идентификационные метки: штриховое кодирование, радиочастотные идентификационные и пассивные радиочастотные метки. Выбор материала для подложки и металлизации поверхности. Оценка эффективности инновационного процесса. Возможные радиационные потери.
дипломная работа [3,4 M], добавлен 12.11.2010Параметры элементов и характеристики проектируемого фильтра. Частотное преобразование фильтра-прототипа нижних частот. Расчет полосно-пропускающих фильтров и сумматора. Кольцевые и шлейфные мостовые схемы, бинарные делители мощности, пленочные резисторы.
курсовая работа [1,2 M], добавлен 22.01.2016Разработка транзистора большой мощности, высоковольтного. Напряжение пробоя перехода коллектор-база. Планарно-эпитаксиальная технология изготовления транзистора. Подготовка подложки к технологической операции. Технология фотолитографического процесса.
курсовая работа [310,4 K], добавлен 21.10.2012
