дипломная работа Классификация ИМС и система условных обозначений
Анализ особенностей корпусов интегральных микросхем как объекта для исследования механических и тепловых процессов. Оценка программного обеспечения для моделирования механических и тепловых процессов. Правила оформления конструкторской документации.
Нажав на кнопку "Скачать архив", вы скачаете нужный вам файл совершенно бесплатно.
Перед скачиванием данного файла вспомните о тех хороших рефератах, контрольных, курсовых, дипломных работах, статьях и других документах, которые лежат невостребованными в вашем компьютере. Это ваш труд, он должен участвовать в развитии общества и приносить пользу людям. Найдите эти работы и отправьте в базу знаний.
Мы и все студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будем вам очень благодарны.
Чтобы скачать архив с документом, в поле, расположенное ниже, впишите пятизначное число и нажмите кнопку "Скачать архив"
| Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
| Вид | дипломная работа |
| Язык | русский |
| Дата добавления | 10.02.2017 |
| Размер файла | 2,0 M |
Подобные документы
Особенности блока вычислителя оптического координатора. Алгоритм моделирования и расчета в системе Solid Works. Анализ и расчет тепловых характеристик. Классификация систем охлаждения. Моделирование тепловых процессов в программной среде Solid Works.
дипломная работа [4,3 M], добавлен 21.09.2016Выпуск и применение интегральных микросхем. Конструирование и технология толстопленочных гибридных интегральных микросхем. Коэффициент формы резисторов. Защита интегральных микросхем от механических и других воздействий дестабилизирующих факторов.
курсовая работа [234,5 K], добавлен 17.02.2010Моделирование тепловых и механических процессов, протекающих в радиоэлектронной аппаратуре, их влияние на обеспечение аппаратурой штатных функций. Расчет показателей надежности приемно-вычислительного блока, анализ его конструктивных особенностей.
дипломная работа [5,5 M], добавлен 30.09.2016Обзор особенностей обеспечения тепловых режимов в конструкциях ЭВС. Моделирование тепловых режимов. Выбор структурного построения системы и формулирование требований к ее структурным компонентам. Анализ взаимодействия технических и программных средств.
дипломная работа [2,2 M], добавлен 29.06.2010Общее понятие об интегральных микросхемах, их назначение и применение. Описание электрической принципиальной схемы логического устройства, выбор и обоснование элементной базы. Расчет тепловых процессов устройства, оценка помехоустойчивости и надежности.
курсовая работа [90,5 K], добавлен 06.12.2013Изучение современных тенденций в области проектирования интегральных микросхем и полупроводниковых приборов. Анализ алгоритма создания интегральных микросхем в среде Cadence Virtuoso. Реализация логических элементов с использованием NMOS-транзисторов.
курсовая работа [1,4 M], добавлен 08.11.2013Схемотехнические параметры. Конструктивно–технологические данные. Классификация интегральных микросхем и их сравнение. Краткая характеристика полупроводниковых интегральных микросхем. Расчёт полупроводниковых резисторов, общие сведения об изготовлении.
курсовая работа [3,8 M], добавлен 13.01.2009Анализ технологии изготовления плат полупроводниковых интегральных микросхем – такого рода микросхем, элементы которых выполнены в приповерхностном слое полупроводниковой подложки. Характеристика монокристаллического кремния. Выращивание монокристаллов.
курсовая работа [2,0 M], добавлен 03.12.2010Условные графические обозначения основных радиокомпонентов и их буквенные коды. Основные правила составления электрических схем и присвоения позиционных обозначений элементов на них. Упрощенный способ обозначения номинальных значений радиокомпонентов.
методичка [2,4 M], добавлен 18.02.2012Топологический расчет схемы принципиальной электрической для толстопленочной гибридной интегральной микросхемы (ГИС). Конструирование, технология толстопленочных ГИС. Расчет толстопленочных резисторов и конденсаторов. Выбор корпусов для микросхем.
курсовая работа [260,5 K], добавлен 03.02.2010
