Физика поверхности и микроэлектроника

Достижения современной планарной технологии и значение в них физики поверхностей. Трехслойная система как базовая структура микроэлектроники. Влияние поверхности на работу полупроводниковых приборов: оптоэлектронные приборы, сверхпроводящие пленки.

Рубрика Физика и энергетика
Вид курсовая работа
Язык русский
Дата добавления 17.05.2009
Размер файла 1,0 M

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.

В России ситуация с развитием наноэлектроники является неоднозначной. Микроэлектроника по сравнению с передним мировым фронтом в России развита достаточно слабо. Разработки в таких областях, как СВЧ, фотоприёмники, излучательные структуры, солнечные батареи, силовая электроника и сейчас на очень хорошем уровне. Потенциал у нас есть, необходимо создать условия для развития наноэлектроники И, к сожалению, за последние пятнадцать лет экономические реформы вместо ожидаемого рывка в этой области привели к потере позиций, сформированных во времена Советского Союза. Тогда наша страна была третьей микроэлектронной державой мира -- отставая от Японии и США, конечно, но превосходя по уровню и номенклатуре другие страны. Нишу, которую занимал СССР, сейчас прочно занимают Южная Корея, Тайвань, Китай, небольшие страны Азии, такие как Сингапур, и европейские страны -- Германия, Франция, Англия.

В наноэлектронике Россия сохранила преимущества, которые были у Советского Союза. Это касается таких областей, как СВЧ-техника, инфракрасная техника, излучательные приборы на основе полупроводников. Россия является родиной одного из наиболее значимых электронных приборов -- полупроводникового лазера, за который получил Нобелевскую премию академик Жорес Алферов.

Во многих областях наноэлектроники стартовые позиции у России достаточно неплохие. На полупроводниковых наногетероструктурах с двумерным электронным газом основывается, например, сотовая связь. Здесь мы, к сожалению, не в лидерах, но сделанные ранее разработки в областях СВЧ, фотоприёмников, излучательных структур, солнечных батарей, силовой электроники и сейчас на очень хорошем уровне. Потенциал у нас есть, особенно если учитывать, что многие специалисты, уехавшие из России в тяжелые времена экономических реформ, весьма успешно работают в самых передовых областях наноэлектроники за рубежом. Необходимо только создать организационные и экономические условия, чтобы всё это развивалось и у нас. Насколько я понимаю последние административные новации в области нанотехнологий, правительственные структуры уже этим озабочены. Ближайшее будущее покажет, насколько всё это правильно, верно и обоснованно. Моё мнение -- результаты должны быть.

Ещё один важный момент состоит в том, что Россия -- большая, многонациональная страна, и уже поэтому ее наука обречена иметь особые задачи, поставленные силовыми ведомствами. Военные действия ведутся сейчас преимущественно с использованием всё более высокоточного оружия. Космическая система наблюдения и связи важна для удержания контроля на большой территории. Мне очень нравится один из прогнозов Артура Кларка о том, что к 2010 году будет создана глобальная система тотального наблюдения всех за всеми, построенная по тому же принципу, что и сотовая связь, и интернет, -- для борьбы с терроризмом. Это весьма актуальная и серьёзная задача также и для России.

Для решения подобных всё более усложняющихся задач требуется электроника качественно нового уровня, и наноэлектроника становится важнейшим компонентом при ответе на вызовы современности.

Список литературы

1. Литовченко В.Г. Физика поверхности и микроэлектроника: новое в жизни, науке, технике / В.Г. Литовченко, В.Г. Попов - изд. «Знание» Москва 1990. - 64 с.
2. Игумнов Д.В. Основы микроэлектроники:/ Д.В. Игумнов, Г.В. Королев, И.С. Громов - изд. «Высшая школа» Москва 1991. - 252 с.
3. Праттон М. Введение в физику поверхности: перевод с английского В.И.Кормильца /Ижевск «Регулярная и хаотическая динамика» 2000. - 256 с.
4. Шалимова К.В. Физика полупроводников: М: «инергоатомиздат» 1985 - 392 с.

Подобные документы

  • Научно-техническая революция (НТР) ХХ века и ее влияние на современный мир. Значение физики и НТР в развитии науки и техники. Открытие и применение ультразвука. Развитие микроэлектроники и применение полупроводников. Роль компьютера в развитии физики.

    презентация [4,5 M], добавлен 04.04.2016

  • Дифракция быстрых электронов на отражение как метод анализа структуры поверхности пленок в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии. Анализ температурной зависимости толщины пленки кремния и германия на слабо разориентированой поверхности кремния.

    курсовая работа [1,0 M], добавлен 07.06.2011

  • Предмет и структура физики. Роль тепловых машин в жизни человека. Основные этапы истории развития физики. Связь современной физики с техникой и другими естественными науками. Основные части теплового двигателя и расчет коэффициента его полезного действия.

    реферат [751,3 K], добавлен 14.01.2010

  • Физика полупроводников. Примесная проводимость. Устройство и принцип действия полупроводниковых приборов. Способы экспериментального определения основных характеристик полупроводниковых приборов. Выпрямление тока. Стабилизация тока.

    реферат [703,1 K], добавлен 09.03.2007

  • Изучение одиного из видов музыкальных инструментов, созданного в прошлом веке с точки зрения физики. Литературу о конструкторе Льве Сергеевиче Термене. Музыкальные инструменты, приборы, созданные им. Значение этих инструментов и приборов в жизни человека.

    творческая работа [40,6 K], добавлен 14.11.2010

  • Значение физики в современном мире. Общая характеристика научных открытий ХХ века, самые значительные научные открытия. Вклад современной физики в выработку нового стиля планетарного мышления. Выдающиеся физики столетия и характеристика их открытий.

    реферат [741,3 K], добавлен 08.02.2014

  • Предмет физики Земли. Геофизические поля. Методы исследований, предназначенных для наблюдений в атмосфере, на земной поверхности, в скважинах и шахтах, на поверхности и в глубине водоёмов. Общие сведения о Земле. Глобальные и промежуточные границы.

    презентация [4,6 M], добавлен 24.10.2013

  • Сущность технологических приемов химического травления и контроля качества поверхности пластин кремния. Особенности термического вакуумного напыления алюминия на полупроводниковую подложку. Фотолитография в производстве полупроводниковых приборов.

    методичка [588,6 K], добавлен 13.06.2013

  • Предмет физики и ее связь со смежными науками. Общие методы исследования физических явлений. Развитие физики и техники и их взаимное влияния друг на друга. Успехи физики в течение последних десятилетий и характеристика ее современного состояния.

    учебное пособие [686,6 K], добавлен 26.02.2008

  • Электрофизические свойства полупроводников. Структура полупроводниковых кристаллов. Элементы зонной теории твердого тела. Микроструктурные исследования влияния электронного облучения на электрофизические характеристики полупроводниковых приборов.

    курсовая работа [1,0 M], добавлен 18.09.2015

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.