1,8

49.10

2,8

37,43

1,9

47.60

2,9

36,56

Зная приближенно значение ширины потенциального электрода диэлектрического участка, можно уточнить его для полоски конечной толщины. Для этого выполнено моделирование в программе ELCUT.

Для нахождения волнового сопротивления необходимо вычислить емкость между потенциальным и заземленным электродом, а сделать это можно в электростатической постановке. Если длина модели составляет 1 м, то емкость между потенциальным и заземленным электродом считается погонной, тогда волновое сопротивление линии можно найти из выражения (2) [16].

где с - скорость света, С₀ - погонная емкость линии, когда е₂ = 1, С - погонная емкость, когда е₂ > 1.

Модель сечения микрополосковой линии с заданными параметрами показана на рисунке 17. Напряжение между электродами микрополосковой линии составляет 1 В. Учитывая, что по технологическим причинам потенциальный электрод невозможно изготовить с точностью лучше 0,1 мм, будем изменять его ширину в пределах от 1,6 до 1,8 мм с шагом 0,1 мм.

Рисунок 17 - Модель микрополосковой линии в ELCUT

Картина распределения поля показана на рисунке 18. В таблице 3 приведена зависимости емкости между потенциальным и заземленными электродами в зависимости от ширины потенциального электрода.

Рисунок 18 - Картина распределения поля в микрополосковой линии

Таблица 3

Зависимость емкости от ширины полосковой линии

w2, мм	С0, Ф/м	С, Ф/м	W2, Ом
1,6	3.398·10-11	1.197·10-10	52.3
1,7	3.506·10-11	1.241·10-10	50.5
1,8	3.611·10-11	1.285·10-10	48.7

Таким образом, по уточненным расчетам с помощью ELCUT выбрана ширина потенциального электрода на диэлектрическом участке полосковой линии w₂ = 1,7 мм.

При расчете геометрических параметров воздушного участка микрополосковой линии, можно варьировать как ширину потенциального электрода w₁, так и высоту его размещения над заземленным d₁. Однако, как было сказано выше, разности потенциалов между электродами воздушной и диэлектрической частей линии должны совпадать в месте стыка.

Выполнен расчет волнового сопротивления воздушного участка микрополосковой линии, исходя из предположения, что ширина потенциального электрода воздушной части должна примерно совпадать с шириной потенциального электрода диэлектрической части: w₁ ? w₂ = 1,7 мм. Точность высоты размещения потенциального электрода воздушной части может быть выше, чем в случае с диэлектрической частью. Для расчета волнового сопротивления микрополосковой линии в однородной среде (при е = 1) применяется формула (3).

Результаты расчета по формулам (3) и (4) при различных значениях ширины потенциального электрода приведены на графиках на рисунке 19.

Рисунок 19. Зависимость волнового сопротивления воздушного участка

В ELCUT создана модель, в которой микрополосковая линия помещена между обкладками плоского конденсатора. Расстояние между обкладками - 30 мм, разность потенциалов - 100 В. По результатам моделирования установлено, что разность потенциалов между электродами полосковой линии с диэлектрическим заполнением е₂ = 4.8 составила U_д = 0,728 В.

Затем в аналогичных условиях измерялась разность потенциалов между электродами линии с воздушным заполнением. Очевидно, что ширина полоски, в данном случае, значения не имеет. В таблице 4 приведены результаты расчета для различных значений d₁.

Таблица 4

d1, мм	Uв, В
0,1	0,413
0,17	0,678
0,18	0,715
0, 19	0,752
0, 20	0,789
0,21	0,826
0,22	0,863
0,23	0,899
0,3	1,152

Исходя из таблицы 3, разность потенциалов между электродами микрополосковой линии совпадает с U_д = 0,728 В, если высота размещения потенциального электрода воздушного участка составляет от 0,18 до 0,19 мм. В соответствии с графиком на рисунке 4 в таком случае ширина потенциального электрода w₁ должна составлять 1,2 мм. В таком случае волновое сопротивление линии составляет W₁ = 49,4 Ом.

Таким образом, по результатам расчетов выбраны геометрические размеры микрополосковой линии, представленные в таблице 5.

Таблица 5

	е	d, мм	w, мм	h, мм	W, Ом
Воздушный участок	1	2,0	1,7	0,035	50,5
Диэлектрический участок	4,8	0, 19	1,2	0,2	49,4

3.4 Выводы по разделу

Определены геометрические размеры в сечении полеобразующей системы, соответствующие волновому сопротивлению 50 Ом. С помощью программы ELCUT проведен расчет распределения поля в сечении в квазистатическом режиме. Получено, что при разности потенциалов на электродах 25 кВ напряженность поля в рабочей зоне системы составит более 300 кВ/м.

Выполнены эскизы конструкции, изготовлена и собрана высоковольтная полеобразующая система. Определены размеры конических переходов, выбран тип распределенной нагрузки в сечении.

Исследованы вопросы передачи единиц калибруемым средствам измерений. Показано, что погрешность, связанная с положением калибруемого СИ будет минимальной при расположении его по оси ячейки на плоскости заземленного электрода. Определены коэффициенты, обусловленные геометрическими и иными характеристиками компаратора. Выполнен расчет геометрических параметров преобразователя на основе полосковой линии, планируемого к использованию для передачи единицы вторичному эталону.

4. Исследования метрологических характеристик высоковольтной субнаносекундной полеобразующей системы

4.1 Исследуемые характеристики

При исследованиях высоковольтной субнаносекундной полеобразующей системы определялись следующие характеристики:

- волновое сопротивление;

- время нарастания переходной характеристики (ПХ) между уровнями 0,1-0,9 от амплитуды;

- неравномерность вершины воспроизводимых импульсов поля, обусловленная влиянием омической нагрузки системы;

- значения воспроизводимых единиц напряженностей импульсных электрического и магнитного полей;

- длительность фронта импульсов напряженностей электрического и магнитного полей ступенчатой формы.

4.2 Средства экспериментальных исследований

При определении характеристик высоковольтной субнаносекундной полеобразующей системы использовались следующие средства измерений:

- осциллограф стробоскопический вычислительный Tektronix CSA8000В. Осциллограф имеет следующие характеристики: диапазон коэффициентов отклонения 1мВ/дел-0,1В/дел; погрешность измерения напряжения не более 1%; диапазон коэффициентов развертки 0,1 пс/дел - 0,1 с/дел; полоса пропускания 50 ГГц, время нарастания Т_{ПХ. SCA8000В} переходной характеристики между уровнями 0,1-0,9 от амплитуды, не более 7 пс, входное сопротивление - 50 Ом;

- генератор импульсов со сверхкороткой длительностью фронта TMG1010. Генератор имеет следующие основные характеристики: максимальная амплитуда выходных импульсов напряжения 14 В, длительность фронта Т_{фр. TMG1010} выходных импульсов по уровням 0,1-0,9 от амплитуды составляет не более 10 пс; длительность импульсов по уровню 0,5 от амплитуды составляет не менее 25 нс, неравномерность вершины не более ±5 %;

- генератор импульсов Г5-84. Генератор имеет следующие основные характеристики: максимальная амплитуда выходных импульсов напряжения на нагрузке 50 Ом не менее 10В, длительность фронта Т_{фр. Г5-84} выходных импульсов по уровням 0,1-0,9 от амплитуды не более 80 пс; минимальная длительность импульсов по уровню 0,5 от амплитуды не менее 0,1 нс (до 10 мкс), неравномерность вершины не более ±3 %;

- преобразователь напряженности импульсного электрического поля измерительный ИППЛ-Л. Он имеет следующие основные характеристики: коэффициент преобразования 5,1110^-4 В/ (В/м); доверительные границы погрешности результата измерения коэффициента преобразования при доверительной вероятности 0,95: 2,9 %; время нарастания переходной характеристики Т_{ПХ. ИППЛ-Л} между уровнями 0,1-0,9 от установившегося значения: 537 пс; длительность переходной характеристики по уровню 0,5 от установившегося значения: 4,60,1 нс;

- преобразователь напряженности импульсного электрического поля измерительный ИППЛ-М. Он имеет следующие основные характеристики: коэффициент преобразования 4,8610^-5 В/ (В/м); доверительные границы погрешности результата измерения коэффициента преобразования при доверительной вероятности 0,95: 2,1 %; время нарастания переходной характеристики Т_{ПХ. ИППЛ-М} между уровнями 0,1-0,9 от установившегося значения: 1015 пс; длительность переходной характеристики по уровню 0,5 от установившегося значения: 1411,5 нс

- измеритель неоднородности линий Р5-15. Он имеет следующие основные характеристики: длительность зондирующего фронта импульсов не более 70 пс, погрешность измерения волнового сопротивления при использовании калибровочной 50-омной волноводной вставки не более ±1 %.

- генератор высоковольтных импульсов ГИН-40. Генератор имеет следующие основные характеристики: амплитуда выходных импульсов напряжения (18-42) кВ, длительность фронта выходных импульсов по уровням 0,1-0,9 от амплитуды составляет не более 150 пс; длительность импульсов по уровню 0,5 от амплитуды составляет не менее 3 нс, неравномерность вершины не более ±5 %;

4.3 Методы экспериментальных исследований

При определении волнового сопротивления через калиброванную 50-омную волноводную вставку к входу высоковольтной субнаносекундной полеобразующей системы подключался выход рефлектометра Р5-15 (см. рисунок 20). Проводилась регистрация импульсов и по полученной осциллограмме определялось волновое сопротивление в соответствии с формулой:

где с - искомое волновое сопротивление;

W_зонд - амплитуда перепада калибровочной 50-омной волноводной вставки;

W_отр - амплитуда исследуемого перепада.

Рисунок 20. Схема определения волнового сопротивления высоковольтной субнаносекундной полеобразующей системы

Определение времени нарастания ПХ проводилось по схеме на рисунке 21 в следующей последовательности. Первоначально к входу высоковольтной субнаносекундной полеобразующей системы подключался генератор импульсов TMG1010 с длительностью фронта выходных импульсов ~ 10 пс, в рабочей зоне системы размещался преобразователь напряженности импульсного электрического поля измерительный ИППЛ-Л, который через линию связи подключался к входу осциллографа стробоскопического вычислительного Tektronix CSA8000В. На выходе генератора воспроизводились импульсы напряжения и с помощью осциллографа фиксировались импульсы на выходе ИППЛ-Л. По полученной осциллограмме определялась длительность фронта Т_{имп. ИППЛ-Л} импульсов между уровнями 0,1-0,9 от амплитуды.

Время нарастания ПХ между уровнями 0,1-0,9 от амплитуды высоковольтной субнаносекундной полеобразующей системы определялось по формуле:

Рисунок 21. Схема определения переходной характеристики высоковольтной субнаносекундной полеобразующей системы

Далее к входу ВСПС подключался генератор импульсов Г5-84 с установленной длительностью выходных импульсов ~ 1 мкс, в рабочей зоне системы размещался преобразователь напряженности импульсного электрического поля измерительный ИППЛ-М, который через линию связи подключался к входу осциллографа стробоскопического вычислительного Tektronix CSA8000В. На выходе генератора воспроизводились импульсы напряжения и с помощью осциллографа фиксировались импульсы на выходе ИППЛ-М. По полученной осциллограмме с помощью маркеров осциллографа определялись среднее значение амплитуды U_{имп. ИППЛ-М} и неравномерность на вершине U_{вер. ИППЛ-И} зарегистрированного импульса.

Неравномерность вершины воспроизводимых импульсов поля, обусловленная влиянием омической нагрузки системы, определялась по формуле:

Значения воспроизводимых единиц напряженностей импульсных электрического и магнитного полей, а также длительность фронта импульсов напряженностей электрического и магнитного полей ступенчатой формы определялись при подключении ко входу ячейки генератора ГИВН-20-0,1.

4.4 Результаты экспериментальных исследований

На рисунке 22 показан один из этапов исследований при определении волнового сопротивления высоковольтной субнаносекундной полеобразующей системы, а на рисунке 23 представлена рефлектограмма ВСПС с использованием калибровочной 50-омной волноводной вставки с указанием исследуемых областей. В соответствии с результатами исследований отклонение волнового сопротивления высоковольтной субнаносекундной полеобразующей системы от номинального значения 50 Ом составило ± 1,8%, а значение волнового сопротивления составило: с = (50 ± 1 Ом).

Рисунок 22. Один из этапов исследований при определении волнового сопротивления ВСПС

Рисунок 23. Рефлектограмма ВСПС с использованием калибровочной 50-омной волноводной вставки

На рисунках 24 и 25 приведены соответствующие типовые осциллограммы фронтовой части импульса на выходе ИППЛ-Л и длительности импульса на выходе ИППЛ-М. В соответствии с результатами исследований время нарастания ПХ между уровнями 0,1-0,9 от амплитуды высоковольтной субнаносекундной полеобразующей системы составило:

где 68 пс - длительность фронта импульсов между уровнями 0,1-0,9 от амплитуды на выходе ИППЛ-Л.

Неравномерность вершины воспроизводимых импульсов поля, обусловленная влиянием омической нагрузки составила И_{вер. ВСПС} = ± 2,2 %_.

Рисунок 24. Типовая осциллограмма фронтовой части импульса на выходе ИППЛ-Л при определении времени нарастания ПХ ВСПС. Кр=20 пс/дел

Рисунок 25. Типовая осциллограмма импульса на выходе ИППЛ-М при определении неравномерности вершины воспроизводимых импульсов поля. Кр=20 нс/дел

При опробовании работоспособности системы при входном рабочем напряжения не менее 25 кВ визуально не наблюдались электрические пробои изоляции и отсутствовали электрические перекрытия по высоковольтным частям ВСПС, искажений формы выходных импульсов также не происходило.

Рисунок 26. Осциллограммы экспериментальных исследований ВСПС при возбуждении ее генератором ГИВН-20-0,1: а) импульс на выходе ИППЛ-М, б) фронтовая часть импульса на выходе ИППЛ-Л

На рисунке 26 приведены соответствующие типовые осциллограммы фронтовой части импульса на выходе ИППЛ-Л и длительности импульса на выходе ИППЛ-М. Результаты экспериментальных исследований метрологических характеристик ВСПС приведены в таблице 6.

Таблица 6

Наименование характеристики	Полученное значение
Длительность фронта импульсов между уровнями 0,1-0,9 от амплитуды, не более, пс	41 (время нарастания ПХ)
Расширенная неопределенность, %	? 2,2 (неравномерность вершины)
Входное рабочее напряжение, не менее, кВ	25
Значения воспроизводимых единиц напряженностей импульсных электрического и магнитного полей	(10-200) кВ/м и (25-500) А/м - при импульсах эксп. формы; (0,02-320) кВ/м и (0,05-840) А/м - при импульсах ступ. формы
Длительность фронта импульсов напряженностей электрического и магнитного полей ступенчатой и экспоненциальной формы	7,8 нс - при импульсах экспоненциальной формы; 100 пс - 1,0 нс - при импульсах ступенчатой формы
Длительность импульсов напряженностей электрического и магнитного полей ступенчатой формы	10 ч 500 нс

4.5 Исследование неопределенности воспроизведения единиц

В соответствии с таблицей 6 и формулами воспроизведения для расчета неопределенности воспроизведения и передачи единиц напряженностей импульсных электрического и магнитного полей в различных режимах работы в таблице 7 приведен бюджет неопределенности воспроизведения единиц напряженностей импульсных электрического (E) и магнитного (H) полей.

Таблица 7

№	Наименование, обозначение	Тип	Значение
1	Стандартная неопределенность, uА	А	0,1 %
2	Неопределенность, обусловленная отклонением коэффициента вертикальной развертки осциллографического регистратора от номинального значения при регистрации амплитуды импульса на выходе компаратора (генератора), uОСЦ	B	1,2 %
3	Неопределенность, обусловленная отклонением коэффициента преобразования компаратора напряженности импульсного электрического поля ступенчатой формы, uКпр. комп	В	1,7 %
4	Неопределенность, обусловленная отклонением измеренных значений амплитуды сигнала на выходе компаратора вследствие неоднородности вершины импульса, uНВ. комп	B	2,6 %
5	Неопределенность, обусловленная отклонением измеренных значений амплитуды сигнала на выходе компаратора, обусловленным установкой нулевого уровня, uНН. комп	B	0,3 %
6	Неопределенность, обусловленная неоднородностью поля в рабочих зонах полеобразующих систем эталона, uнеод. ПС	B	0,09 %
7	Неопределенность, обусловленная отклонением межэлектродного зазора в рабочих зонах эталона, uНМЗ	В	0,09 %
8	Неопределенность, обусловленная отклонением волнового сопротивления в рабочих зонах эталона (только для магнитного поля), uвол. сопр. ПС	В	0,15 %
9	Неопределенность, обусловленная отклонением сопротивления нагрузки (только для магнитного поля), uсопр. нагр	В	0,10 %
Расширенная неопределенность воспроизведения единиц напряженностей импульсных электрического (Е) и магнитного (Н) полей в предположении о равномерности закона распределения возможных значений измеряемых величин при доверительной вероятности p=0,99 и коэффициенте охвата k=1,71, Uр	5,7 % - Е 5,7 % - Н

4.6 Исследование характеристик компаратора

Исследования характеристик разработанного компаратора выполняли с использованием Государственного первичного специального эталона единиц напряженностей импульсных электрического и магнитного полей ГЭТ 178-2010. Схема измерений показана на рис.27.

Для определения времени нарастания переходной характеристики компаратор помещали в рабочую зону полеобразующей системы "Конус над плоскостью" на расстоянии Y =0,6 м от точки ввода и биссектрисе угла, образованного электродами конуса.

Выход измерительного преобразователя соединяли со входом стробоскопического осциллографа Tektronix CSA8000B (полоса пропускания 50 ГГц).

Затем воспроизводили эталонные импульсы поля и регистрировали импульсы на выходе измерительного преобразователя.

Рисунок 27. Схема определения времени нарастания переходной характеристики

На рис.28 показаны осциллограмма эталонного импульса поля, зарегистрированного разработанным измерительным преобразователем (усреднение по 100 импульсам). Длительность фронта импульса на выходе измерительного преобразователя между уровнями 0,1-0,9 от установившегося значения напряжения составила Т_Ф = 29 пс.

Рисунок 28. Осциллограммы импульсов на выходе компаратора

Время нарастания переходной характеристики измерительного преобразователя определяли по формуле [3]:

где Т_ПС = 20 пс - длительность фронта эталонных импульсов, воспроизводимых в полеобразующей системе ГЭТ 178-2010, Т_ОСЦ = 7 пс - время нарастания переходной характеристики осциллографа Tektronix CSA8000B. Таким образом, время нарастания переходной характеристики разработанного образца быстродействующего ИППЛ-Л составило 20 пс.

Коэффициент преобразования определялся в полеобразующей системе ПС-1 из состава ГЭТ 148. Для этого компаратор помещался в рабочую зону с зазором 0,48 м и воспроизводились ступенчатые импульсы поля с длительностью фронта до 1 нс. Коэффициент преобразования составил 4,8·10^-4 В/ (В/м).

4.7 Выводы по разделу

Проведены исследования метрологических характеристик разработанной полеобразующей системы. Определенные характеристики приведены в таблице 8.

Таблица 8

Наименование параметра или характеристики	Требование п.2.1	Полученный результат
Максимальная напряженность импульсного электрического поля	не менее 300 кВ/м	320 кВ/м
Максимальная напряженность импульсного магнитного поля	не менее 800 А/м	840 А/м
Длительность фронта импульсов между уровнями 0,1-0,9 от установившегося значения	не более 100 пс	90 нс
Расширенная неопределенность воспроизведения единиц напряженностей импульсных электрического и магнитного полей (p=0,99, k=1,71)	не более 7 %	6,4 %

Полученные метрологические характеристики усовершенствованного эталона полностью соответствуют требованиям, сформулированным в п.2.1.

Определенные характеристики компаратора, в частности время нарастания его переходной характеристики, позволяют использовать его при передаче единиц вторичному эталону.

Заключение

В последние годы разработаны новые типы средств измерений параметров мощных субнаносекундных электромагнитных импульсов, которые требуют соответствующего метрологического обеспечения. Для этого необходимо обеспечить научные центры и испытательные лаборатории эталонными источниками ЭМИ, позволяющими воспроизводить их в диапазоне до 300 кВ/м (800 А/м) при длительности фронта до 100 пс.

Проведен анализ различных типов систем, применяющихся для воспроизведения эталонных импульсов электромагнитного поля. Рассмотрены ТЕМ-ячейка Кроуфорда, GTEM-ячейка, плоская двухпроводная линия, коническая линия. Установлено, что ТЕМ-ячейка не обладает требуемой широкополосностью и электрической прочностью. В GTEM ячейке возможно воспроизводить мощные поля в частотном диапазоне до 20 ГГц, но неоднородность поля на высоких частотах достигает ±4 дБ, что неприемлемо. В плоской двухпроводной линии велико влияние краевого эффекта. В конической линии затруднена калибровка измерительных преобразователей значительной протяженности. По совокупности характеристики для решения поставленной задачи образом подходит полеобразующая система в виде ТЕМ-ячейки с расщепленным потенциальным электродом. В состав эталона ГЭТ 148 подобная установка была включена впервые в 1993 году.

Сформулированы требования к метрологическим характеристикам эталонного источника ЭМИ - вторичного эталона. Определена величина межэлектродного зазора полеобразующей системы (рабочая зона, в которую помещаются калибруемые СИ) - 0,074 м и соответствующее напряжение возбуждающего генератора U_г = 25 кВ, необходимое для создания в рабочей зоне электрического поля с напряженностью порядка 300 кВ/м. Установлено, что для увеличения широкополосности полеобразующей системы необходимо, чтобы длины согласующих конических переходов составляли более L = 460 мм. Входной коаксиальный разъем полеобразующей системы необходимо использовать в высоковольтном исполнении с временем нарастания переходной характеристики, не превышающим 40 пс.

При помощи программы электродинамического моделирования ELCUT выполнен расчет напряженности электрического и магнитного полей в рабочей зоне полеобразующей системы. Получено что в статическом режиме при напряжении на электродах U = 1 В напряженность электрического поля в рабочей зоне составит 13,5 В/м. Таким образом, при напряжении генератора Uг = 25 кВ напряженность поля составит 337 кВ/м (890 А/м).

Для передачи единиц вторичному эталону разработан компаратор в виде преобразователя напряженности импульсного электрического поля на основе полосковой линии. Рассчитаны его геометрические параметры и рассмотрены способы минимизации погрешности, связанной с расположением компаратора. Проведены экспериментальные исследования по определению характеристик компаратора. Установлено, что время нарастания переходной характеристики составляет компаратора составляет менее 30 пс, что достаточно для передачи единиц от первичного эталона.

Проведены экспериментальные исследования изготовленной полеобразующей системы, направленные на определение ее метрологических характеристик. Волновое сопротивление составило 50±1 Ом, длительность фронта воспроизводимых импульсов составило 90 пс, напряженность поля - 320 кВ/м (840 А/м). Проведены исследования неопределенности воспроизведения единиц. Определено, что основной вклад вносят составляющие, обусловленные неравномерностью вершины импульсов, отклонением коэффициента преобразования компаратора и отклонением коэффициента вертикальной развертки осциллографа. Расширенная неопределенность воспроизведения единиц напряженностей импульсных электрического и магнитного полей составляет не более 5,7 %.

Разработанная полеобразующая система может использоваться в составе вторичного эталона единиц напряженностей импульсных электрического и магнитного полей.

Список использованных источников

1. Балюк Н.В., Кечиев Л.Н., Степанов П.В. Мощный электромагнитный импульс: воздействие на электронные средства и методы защиты. М.: ООО "Группа ИДТ", 2007.478 с.

2. Sokolov A. A., Sakharov K. Yu. Test and Standard Sources of Electromagnetic Pulses // Proc. of The Third International Conference on Ultrawideband and Ultrashort Impulse Signals UWBUSIS-2006, Sevastopol, 2006. P.60-65.

3. Сахаров К.Ю. Излучатели сверхкоротких электромагнитных импульсов и методы измерений их параметров. М.: МИЭМ, 2006.159 с.

4. Сверхширокополосный электрооптический преобразователь напряженности импульсного электрического поля / Т.В. Долматов, В.В. Букин, К.Ю. Сахаров [и др.] // Измерительная техника. 2014. № 10. С.42-44.

5. Измерительная система для определения характеристик радиопоглощающих материалов методом сверхкороткоимпульсного зондирования / К.Ю. Сахаров, В.А. Туркин, О.В. Михеев [и др.] // Сб. науч. трудов IX Всеросс. науч.-техн. конф. "Метрология в радиотехнике" (Менделеево, Моск. обл., 17-19 июня 2014 г.). С.153-157.

6. IEEE 1309-2013 Standard for Calibration of Electromagnetic Field Sensors and Probes (Excluding Antennas) from 9 kHz to 40 GHz // IEEE. 2013.100 p.

7. Crawford M., Workman J., Thomas C. Expanding the Bandwidth of TEM Cells for EMC Measurements // IEEE Trans. on Electromagnetic Compatibility. 1978. Vol. 20. No.3. P.368-375.

8. Соколов А.А. О метрологическом обеспечении измерений напряженности импульсных электрических и магнитных полей // В сб. статей "Вопросы излучения и измерения нестационарных электромагнитных полей". Научные труды ВНИИОФИ, М.: 1980. С.31-47.

9. Михеев О.В., Сахаров К.Ю., Соколов А.А., Туркин В.А., Кокин Е.Н., Радченко В.М. Излучатели коротких сверхширокополосных импульсов. / Proc.10^th International Crimean Conference "Microwave and Telecommunication Technology” Crimico 2000, 11-15 September, Sevastopol, Ukraine, pp.469-470.

10. Grekhov I. V., and Kardo-Sysoev A. F. Subnanosecond Current Drops in Delayed Break-down of Silicon P-N Junctions // Sov. Tech. Pys. Lett. - 1979. - V.5, No.8. - P.395-396.

11. Potapov A. A., Podosenov S. A., Foukzon J., Menkova E. R. New method for calculating pulsed electromagnetic fields from traveling current waves in complex wire structures // Physics Wave Phenomena. 2011. V. 19. N.2. P.112-123.

12. Dobrotvorsky M.I., Sakharov K. Yu., Mikheev O. V., Turkin V. A., Aleshko A.I., Dnischenko V. N. Measuring Instruments of Powerful UWB EMP Parameters // Proc.3^rd Int. Conf. Ultrawideband and Ultrashort Impulse Signals UWBUSIS-2006. Sevastopol, 2006. P.373-375.

13. Podosenov S. A., Sokolov A. A., Albetkov S. V. Method for Determing the Electric and Magnetic Polarizability for Arbitrarily Shaped Conducting Bodies // IEEE Trans. Electromag.compatibility. 1997. V.39. N.1. P.1-10.

14. Сахаров К.Ю., Туркин В.А., Михеев О.В., Добротворский М.И., Сухов А.В. Измерительный преобразователь напряженности импульсного электрического поля пикосекундной длительности // Измерительная техника. 2014. № 2. С.62-64.

15. М. А.Р. Ганстон. Справочник по волновым сопротивлениям фидерных линий СВЧ. М.: Связь, 1976.152 с.

16. Daniel G. Swanson, Wolfgang J. R. Hoefer. Microwave Circuit Modelling Using Electromagnetic Field Simulation. Boston: Artech House, 2003.479 p.

Размещено на Allbest.ru