Определение параметра элементарной ячейки кристалла кубической сингонии

Дифракция рентгеновских лучей. Индицирование дифрактограмм кристаллов кубической сингонии. Пример обозначения плоскостей в элементарной ячейке, относящихся к семейству. Процесс установления индексов интерференции. Основные типы кубических решёток.

Рубрика Физика и энергетика
Вид лабораторная работа
Язык русский
Дата добавления 10.05.2019
Размер файла 3,5 M

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.

Размещено на http://www.allbest.ru/

Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого

Институт металлургии, машиностроения и транспорта

Кафедра «Лазерные технологии»

Отчет

По лабораторной работе №3

«Определение параметра элементарной ячейки кристалла кубической сингонии»

Санкт-Петербург

2019

Оглавление

Введение

1. Дифракция рентгеновских лучей

2. Индицирование дифрактограмм кристаллов кубической сингонии

3. Результаты расчётов

Выводы

Введение

Рентгеноструктурный анализ (РСА) является методом исследования строения тел, использующим явление дифракции рентгеновских лучей. Этот метод предусматривает изучение структуры вещества на основании оценки пространственного распределения интенсивности рассеянного рентгеновского излучения.

Цели данной лабораторной работы:

определить индексов отражающих плоскостей вещества кубической сингонии;

установить тип решётки Бравэ и её параметр.

1. Дифракция рентгеновских лучей

Рентгеновские лучи занимают область электромагнитного спектра от 10-5 до 102 Е (1Е= 10-10 м = 0,1 нм) и, как любые волны, подвержены явлению дифракции на периодических структурах в случае сопоставимости их периода с длинной волны излучения. Примерами таких структур являются любые кристаллические тела, характеризуемые межплоскостным расстоянием порядка 1Е. В данном случае дифракцию рентгеновских лучей можно рассматривать как результат зеркального «отражения» лучей от системы атомных плоскостей в кристаллической решетке, проведённых условно через центры атомов, которые считают неподвижными (не участвующими в тепловых колебаниях). Оптимальные условия получения дифракционной картины выполняются для лучей, длина волны л которых чуть меньше периода дифракционной решётки. Для этого очень удобны длины волн характеристического излучения серии Kб (1-2Е). Схема, поясняющая дифракцию, дана на рисунке 1.1. Пучок параллельных монохроматических рентгеновских лучей (1 и 2) длиной волны л, падающий под углом скольжения и на систему параллельных плоскостей (hkl), отстоящих друг от друга на расстоянии dhkl , возбуждает атомы кристаллической решетки, которые становятся источниками когерентных вторичных волн 1' и 2', интерферирующих между собой так, что максимумы интенсивности (дифракционные максимумы) наблюдаются при разности хода между ними равной целому числу n длин волн л:

(1)

Рисунок 1.1 - К формуле Вульфа - Брэггов

Данное равенство называется уравнением Вульфа - Брэггов, является основным в рентгенофазовом и рентгеноструктурном анализе кристаллов, а также справедливо при дифракции электронов и нейтронов.

Рисунок 1.2 - Дифрактограмма от поликристалла, полученная в камере Дебая - Шеррера

Дифракционные максимумы интенсивности рентгеновского излучения регистрируются на люминесцентных экранах, фотопленках в специальных камерах, обеспечивающих нужную геометрию эксперимента (рис. 1.2), либо с помощью всевозможных счетчиков рентгеновского излучения, позволяющих с высокой точностью определить интенсивность и направление дифрагированных лучей. Во втором случае регистрируемое излучение фиксируется на движущейся синхронно с вращением счетчика диаграммной ленте в виде графика зависимости интенсивности рентгеновского излучения I от 2 и - рентгенодифракционный спектр (рис. 1.3).

Рисунок 1.3 - Типичный вид рентгенограммы

Каждое семейство плоскостей с индексами (hkl) и межплоскостным расстоянием dhkl> л/2 может дать один или реже два и более дифракционных максимума, угловые положения которых (и) определяются уравнением Вульфа - Брэггов. Следовательно, картина отражения от неподвижного монокристалла какого-либо вещества может состоять из одного-двух максимумов и зависит от того, какое семейство плоскостей способно дать отражение (или какой гранью кристалл повёрнут к падающему лучу). На практике часто применяют поликристаллический материал или спрессованный порошок с размером зёрен не более 1-2 мм. В огромном количестве беспорядочно ориентированных мелких кристалликов (областей когерентного рассеяния) найдется множество таких, для которых условие дифракции будет выполнимо. При достаточном наборе ориентаций кристалликов рассеяние рентгеновских лучей определённой длины волны л на поликристаллическом веществе даёт полную дифракционную картину, вид которой зависит от типа кристаллической решётки вещества.

2. Индицирование дифрактограмм кристаллов кубической сингонии

кристалл сингония луч ячейка

Под индицированием дифрактограммы понимают процесс установления индексов интерференции (HKL) дифракционных максимумов. Индексы интерференции определяются произведением индексов семейства плоскостей (hkl) и порядком отражения n, при которых образовался характерный рефлекс:

H=nh; K=nk; L=nl.

Рисунок 2.1 - Пример обозначения плоскостей в элементарной ячейке, относящихся к семейству (100)

Зная индексы HKL какой-либо линии рентгенограммы, можно выяснить, за счёт какого порядка и от каких плоскостей получилось данное отражение. Например, рефлекс с индексами (200) получился в результате отражения от семейства плоскостей (100) второго порядка, а линия (300) - от плоскости третьего порядка этого же семейства (рис. 2.1). Точно так же линия (420) получилась благодаря отражению второго порядка от плоскостей (210) и т.д. [3]. Обозначив dhkl/n=dHKL, формулу Вульфа - Брэггов можно переписать следующим образом:

(2)

Каждому значению sinиHKL, а также dHKL соответствуют определённые значения индексов интерференции HKL. Зная длину волны используемого рентгеновского излучения и угол дифракции иHKL, легко определить dHKL. Наиболее прост процесс индицирования кристаллов кубической сингонии, так как она содержит всего один неизвестный параметр элементарной ячейки a, который можно определить, исходя из геометрических соображений a=d100=d010=d001. Межплоскостное расстояние dHKL и индексы интерференции HKL кубического кристалла связаны c периодом (параметром) решетки a соотношением:

(3)

Данное выражение называют квадратичной формой. Из него следует, что ряд отношений квадратов межплоскостных расстояний dHKL всех линий рентгенограммы должен соответствовать строго определённой последовательности целых чисел (ряду отношений сумм квадратов индексов), различной для решёток разного типа.

(4)

где i - указатель для первой линии, а j - указатель для последующей рассчитываемой линии.

Кубической сингонии соответствуют три типа кристаллических решёток Бравэ (рис. 2.2), характеризующих расположение материальных частиц в пространстве: P-примитивная (ПК), I-объёмно-центрированная (ОЦК), F-гранецентрированная (ГЦК) [6].

Таблица 2.1 - Ряды i Q для кубических решеток

Тип решётки

Qi

P-примитивная

1; 2; 3; 4; 5; 6; 8; 9; 10; 11

I-объёмноцентрированная

1; 2; 3; 4; 5; 6; 7; 8; 9; 10

F-гранецентрированная

1; 1,33; 2,66; 3,67; 4; 5,33; 6,33; 6,67; 8; 9

Рисунок 2.2 - Типы кубических решёток

Ряды i Q простой и ОЦК решёток сходны, но их дифракционные картины легко различаются. На дифрактограмме ОЦК первая линия проявляется интенсивнее, чем вторая, на дифрактограмме же простой решётки интенсивней вторая линия, чем первая. Следует отметить, что примитивная решётка встречается гораздо реже, чем ОЦК, а среди чистых металлов вообще не встречается. В свою очередь каждая решётка имеет свой собственный набор плоскостей с соответствующими значениями HKL, от которых наблюдаются рефлексы и погасания рентгеновских лучей. При дифракции от простой кубической решетки наблюдаются рефлексы от плоскостей с любыми значениями индексов. Для объемно-центрированной кубической решетки наблюдаются отражения только от тех плоскостей, для которых сумма индексов четная. В случае гранецентрированной кубической решетки регистрируются рефлексы от тех плоскостей одной чётности, т.е. все три индекса должны быть чётные либо нечетные. Поэтому, вычислив ряд отношений Qi, можно легко определить тип кубической решётки, а затем характерную для неё последовательность суммы индексов (). После чего определяются индексы интерференции HKL, которые расположены в следующей последовательности HKL. Возможные индексы интерференции и сумма их квадратов для кубических решёток приведены в таблице 1.2. Некоторые числа, такие так 7, 15, 23, 28, 31, 39, 47, 55, 60, 63, 71, 79, 87, 92, 95 и т.д., не могут быть представлены суммой квадратов целых чисел. Некоторые значения сумм квадратов индексов могут быть разбиты несколькими способами.

Таблица 2.2 - Индексы интерференции для первых десяти линий наиболее важных кубических решёток

3. Результаты расчётов

Определение типа и параметра кристаллической решётки были произведены для образца, рентгенограмма которого представлена на рисунке 3.1

Рисунок 3.1 - Рентгенограмма исследуемого материала

Таблица 3.1 - Результаты расчёта параметров решётки

n

2и?

и?

sinи?

dHKL

Qi

H+k+L

HKL

a

da

1

38

19

0,32

2,407177

1

3

111

17,3835

0

2

45

22

0,38

1,013548

1,410156

4

200

16,43647

0,079868

3

65,18

32,59

0,538624

0,476707

2,83316

8

220

16,36194

0,284661

4

78,27

39,14

0,63115

0,305116

3,890137

11

311

16,3849

0,176517

5

82,48

41,24

0,659215

0,233701

4,243788

12

222

16,38489

0,056819

6

99,27

49,64

0,761934

0,168496

5,669371

16

400

16,35314

0,227202

7

112,48

56,24

0,831373

0,132362

6,749809

19

331

16,3109

0,17903

8

117,35

58,68

0,854232

0,112718

7,126098

20

420

16,26275

0,066033

Вычислив ряд отношений Qi, используя формулы (2) и (4), было определено, что тип кристаллической решётки -гранецентрированная.

В качестве параметра решётки, использую формулу (3), было выбрано значение параметра «а», соответствующее наибольшему углу и. Таким образом, а=16,2 Е.

Выводы

В ходе лабораторной работы были изучены основы рентгеноструктурного анализа. Было определено, что рентгенограмма исследуемого материала соответствует металлу с кубической гранецентрированной кристаллической решёткой.

Было определено, что параметр решётки «а» составляет 16,2Е.

Размещено на Allbest.ru


Подобные документы

  • Понятие элементарной ячейки кристалла. Элементы симметрий: плоскость, центр, оси. Виды симметрий у октаэдра. Виды сингоний, относящиеся к высшему, низшему, среднему порядкам. Порядок сингонии, изотропность кристалла. Скорость прохождения света в веществе.

    реферат [361,1 K], добавлен 12.01.2012

  • Анализ структуры вещества с помощью рентгеновских лучей. Свойства рентгеновских лучей. Периодичность в распределении атомов по пространственным плоскостям с различной плотностью. Дифракция рентгеновских лучей. Определение кристаллической структуры.

    презентация [1013,1 K], добавлен 22.08.2015

  • Получение и свойства рентгеновских лучей, виды их взаимодействия с веществом. Методы рентгеноструктурного анализа кристаллов, использование его результатов для определения координат атомов. Функциональная схема прибора, анализ расшифровки дифрактограмм.

    курсовая работа [712,8 K], добавлен 18.05.2016

  • Рентгенография как решение основной задачи структурного анализа при помощи рассеяния рентгеновского излучения. Кристаллическая структура и дифракция. Взаимодействие излучения с веществом. Компьютерные программы уточнения параметров элементарной ячейки.

    курсовая работа [1,2 M], добавлен 23.07.2010

  • Одномерные и гармонические колебания. Сложение двух гармонических колебаний с одинаковыми амплитудами, частотами. Распространение колебаний в материальной среде. Электромагнитные волны и рентгеновские лучи. Дифракция и интерференция волн. Атомный фактор.

    реферат [2,8 M], добавлен 07.03.2009

  • Применения МД для исследования пластической деформации кристаллов. Алгоритм интегрирования по времени. Начальное состояние для кристалла с дефектами. Уравнение для ширины ячейки моделирования. Моделирования пластической деформации ГПУ кристаллов.

    дипломная работа [556,7 K], добавлен 07.12.2008

  • Дифракционный структурный метод. Взаимодействие рентгеновского излучения с электронами вещества. Основные разновидности рентгеноструктурного анализа. Исследование структуры мелкокристаллических материалов с помощью дифракции рентгеновских лучей.

    презентация [668,0 K], добавлен 04.03.2014

  • Открытие, свойства и применение рентгеновских лучей. Торможение быстрых электронов любым препятствием. Большая проникающая способность рентгеновских лучей. Дифракционная картина, даваемая рентгеновскими лучами при их прохождении сквозь кристаллы.

    презентация [1,8 M], добавлен 04.12.2014

  • Дифракция механических волн. Связь явлений интерференции света на примере опыта Юнга. Принцип Гюйгенса-Френеля, который является основным постулатом волновой теории, позволившим объяснить дифракционные явления. Границы применимости геометрической оптики.

    презентация [227,5 K], добавлен 18.11.2014

  • Тепловые режимы радиоэлектронных средств (РЭС). Методика теплового моделирования блока РЭС на основе модели однородного анизотропного тела. Параметры модели пакета РЭС. Выделение элементарной тепловой ячейки и составление схем теплопередачи в ней.

    курсовая работа [314,6 K], добавлен 15.12.2011

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.