Вакуумно-плазменные процессы и технологии
Понятие плазмы как среды, содержащей кроме нейтральных частиц заряженные (обоих знаков) и отвечающей условию квазинейтральности. Температура частиц, причины неравновесности, условия существования. Роль плазменных процессов в технологии микроэлектроники.
| Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
| Вид | презентация |
| Язык | русский |
| Дата добавления | 02.10.2013 |
| Размер файла | 1,1 M |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
HTML-версии работы пока нет.
Cкачать архив работы можно перейдя по ссылке, которая находятся ниже.
Подобные документы
Место и роль плазмохимических процессов в технологии микроэлектроники. Формирование эффектов взаимодействия плазмы с обрабатываемой поверхностью под действием на нее потоков активных частиц плазмы. Процессы образования и гибели активных частиц плазмы.
презентация [517,4 K], добавлен 02.10.2013Установка для трафаретной печати. Изготовление микрополосковых плат по толстопленочной технологии. Процессы обеспечения электрических контактов. Сварка плавлением. Задачи и принципы микроэлектроники. Особенности полупроводниковых интегральных микросхем.
реферат [555,2 K], добавлен 15.12.2015Общая характеристика вакуумных насосов. Принципы действия и разновидности ионных насосов. Применение технологии MEMS как множества микроустройств разной конструкции и назначения на базе микроэлектроники, в конструкциях и системах управления насосами.
реферат [978,0 K], добавлен 19.03.2012Плазменная технология и принцип ее действия. Циклы плазменной стерилизации. Результаты микробиологических исследований. Конструкция плазменных стерилизаторов. Сетевые системы и программное обеспечение. Характеристики цикла плазменной стерилизации.
реферат [2,4 M], добавлен 20.07.2010Особенности газовой среды. Средняя длина свободного пробега частиц в газе. Энергия электронов в кристалле. Плотность энергетических уровней. Электростатическая (автоэлектронная) эмиссия. Движение электронов в вакууме в электрическом и магнитных полях.
курсовая работа [429,3 K], добавлен 09.11.2010Кремний как основной материал микроэлектроники. Блок-схема датчика давления, применение в них тензометрических, резонансных или емкостных преобразователей. Преимущества интегральных механоэлектрических преобразователей по сравнению с традиционными.
реферат [313,1 K], добавлен 29.09.2010Информационные технологии. Основные понятия и определения. Человек и информационное общество. Информационные технологии XXI века: на пороге революции. Новые информационные технологии. Выдвижение информации на лидирующее место в жизни человека.
реферат [38,0 K], добавлен 08.09.2008Понятие телекоммуникационной среды и ее дидактических возможностях на уроке информатики. Веб-технологии педагогического взаимодействия. Педагогические возможности Интернет и тенденции в обучении. Система технологических средств телекоммуникационной среды.
курсовая работа [3,0 M], добавлен 27.04.2008История развития и форматы кадров технологии Ethernet, ее максимальная производительность и спецификации физической среды. Общая характеристика протоколов локальных сетей. Метод доступа CSMA/CD. Особенности альтернативной сетевой технологии TokenRing.
курсовая работа [1,6 M], добавлен 09.10.2012Оценка возможностей прямого измерения распределения ядерных частиц по энергиям, условия применения для этих целей полупроводникового гамма-спектрометра. Устройство и принцип действия спектрометра, его основные составные части. Аппаратурная форма линии.
курсовая работа [176,2 K], добавлен 12.05.2010
