Степень окисления. Влияние методов получения пленок SiO2 на их свойства

Размещено на http://www.allbest.ru/

Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования.

«НАЦИОНАЛЬНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ИНФОРМАЦИОННЫХ ТЕХНОЛОГИЙ, МЕХАНИКИ И ОПТИКИ»

Факультет: «Компьютерные технологии и управления»

Специальность: «Конструирования и технология электронных средств. Проектирования электронных средств в защищенной интегрированной среде»

Реферат

По дисциплине: Микро-и нано технологии

На тему: Степень окисления. Влияние методов получения пленок SiO₂ на их свойства.

Выполнили: Рахмонова Манзура, Ёрова Ситора

Принял: Холецкий Р. А

Санкт-Петербург 2014

Содержание

Введение

Понятие и описание степень окисления

Получения пленок SiO₂ методом термического окисления

Анализ влияния технологических параметров на процесс окисления кремния

Факторы, влияющие на скорость получения и качество пленок SiO₂

Свойства пленок SiO₂

Заключение

Список литературы

Введение

Общим для диэлектрических пленок различного назначения является требование технологичности, под которой понимают, прежде всего, совместимость процессов получения покрытия с изготовлением структура ИМС в целом. Технологичными следует считать также процессы, осуществляемые при не высоких температурах нагрева пластины и обеспечивающие приемлемую для производства скорость роста пленки. Загрязнения пленки, ухудшающие электрические свойства, должны отсутствовать. Поэтому химическое и электрохимическое выращивание пленок в растворах и электролитах при производстве полупроводниковых ИМС находит ограниченное применение.

Эксплуатационным требованиям достаточно полно отвечает окись кремния, получаемая при нагревании его поверхности в присутствии кислорода (термическое окисление). Термически выращенный окисел SiO₂ обладает наилучшими маскирующими свойствами и высокими электрическими параметрами. Склонность окиси кремния к стеклообразованию способствует к получению беспористо пленки. Хорошо растворяясь в плавиковой кислоте, SiO₂ в то же время практически стабильна по отношению к смесям HF+HNO₃ и другим реагентам, что позволяет эффективно использовать ее в качестве маски при селективном травлении кремния.

Процесс окисления выполняют в эпитаксиальных установках или в одно зонных диффузионных печах со специальными газораспределительными устройствами. Он хорошо согласуется с типовыми операциями физико-термической обработки. На практике разгонку примеси при диффузии совмещают с окислением поверхности дорожек. Окисление поверхности после эпитаксии также выполняется на одной установке в едином цикле. При окислении образуются химические связи между атомами кислорода, в результате чего плотность поверхностных состояний уменьшается на несколько порядков по сравнению с атомарно чистой поверхностью. Достаточно толстый переходный слой, существующий на границе SiO₂ и Si, обуславливает слабое изменение ТКР, что снижает внутренне натяжение и уменьшает коробление пластин после их охлаждения.

Понятие и описание степень окисления

Степень окисления -- вспомогательная условная величина для записи процессов окисления, восстановления и окислительное - восстановительные реакций. Она указывает на состояние окисления отдельного атома молекулы и представляет собой лишь удобный метод учёта переноса электронов: она не является истинным зарядом атома в молекуле.

Представления о степени окисления элементов положены в основу и используются при классификации химических веществ, описании их свойств, составлении формул соединений и их международных названий. Но особенно широко оно применяется при изучении окислительное-восстановительных реакций.

Понятие степень окисления часто используют в неорганической химии вместо понятия валентность.

Степень окисления указывается сверху над символом элемента. В отличие от указания заряда иона, при указании степени окисления первым ставится знак, а потом численное значение, а не наоборот(при этом в формулах почти всегда указывается заряд атома/иона, а в тексте -- степень окисления +2, +3…, отсюда и путаница; в формулах степень окисления пишут над элементом (знак впереди -- на первом месте), заряд для ионов [не для каждого элемента в сложных ионах! -- пишется верхним индексом -- сверху справа после иона (знак позади числа):  -- степень окисления,  -- заряды (не совсем верное обозначение),  -- заряды (верное обозначение!).

Степень окисления [в отличие от валентности] может иметь нулевое, отрицательное и положительное значения, которые обычно ставятся над символом элемента сверху: Чтобы облегчить обсуждение химии окислительное-восстановительных явлений, припишем каждому атому в молекуле или комплексном ионе степень окисления согласно следующим правилам: Степень окисления атома любого элемента в свободном (несвязанном) состоянии (простое вещество) равна нулю, так, например, атомы в молекулах имеют нулевую степень окисления:

· Степень окисления любого простого одноатомного иона соответствует его заряду или формальному заряду атома в молекуле или в формульной единице, например: Na⁺ = +1, Ca²⁺ = +2, Cl^? = ?1

· Степень окисления водорода в любом не ионном соединении равна +1. Это правило применимо к подавляющему большинству соединений водорода, таких, как H₂O, NH₃ или CH₄. Для ионных гидридов металлов, например NaH, степень окисления водорода ?1.

· Степень окисления кислорода равна ?2 во всех соединениях, где кислород не образует простой ковалентной связи O--O, т.е. в подавляющем большинстве соединений -- оксидах. Так, степень окисления кислорода равна ?2 в H₂O, H₂SO₄, NO, CO₂ и CH₃OH; но в пероксиде водорода, H₂O₂ (HO--OH), она равна ?1 (другими исключениями из правила, согласно которому кислород имеет степень окисления ?2, является OF₂, где она +2 для кислорода и ?1 для фтора; O₂F₂ = +1; OO2 = +4 у центрального атома).

· В соединениях неметаллов, не включающих водород и кислород, неметалл с большей электро отрицательностью считается отрицательно заряжённым. Степень окисления такого неметалла полагается равной заряду его наиболее распространенного отрицательного иона. Например, в CCl₄ степень окисления хлора ?1, а углерода +4. В CH₄ степень окисления водорода +1, а углерода ?4. В SF₆ степень окисления фтора ?1, а серы +6, но в CS₂ степень окисления серы ?2, а степень окисления углерода +4. В молекулах типа S4N4 с ковалентными связями (где соединяющиеся атомы имеют близкие или совпадающие электро отрицательности) понятие степени окисления теряет смысл (см. Валентность).

· Алгебраическая сумма степеней окисления всех атомов в формуле нейтрального соединения всегда равна нулю:

· Алгебраическая сумма степеней окисления всех атомов в комплексном ионе (катионе либо анионе) должна быть равна его общему заряду (см. также выше 2-й пункт). Так, в ионе NH₄⁺ степень окисления N должна быть равной ?3 и, следовательно, ?3 + 4 = +1. Поскольку в ионе SO₄^2? сумма степеней окисления четырёх атомов кислорода равна ?8, сера должна иметь степень окисления, равную +6, чтобы полный заряд иона оказался равным ?2.

· В химических реакциях должно выполняться правило сохранения алгебраической суммы степеней окисления всех атомов. Именно это правило делает понятие степени окисления столь важным в современной химии. Если в ходе химической реакции степень окисления атома повышается, говорят, что он окисляется, если же степень окисления атома понижается, говорят, что он восстанавливается. В полном уравнении химической реакции окислительные и восстановительные процессы должны точно компенсировать друг друга.

· Максимальная положительная степень окисления элемента обычно численно совпадает с номером его группы в периодической системе (классического короткого варианта таблицы). Максимальная отрицательная степень окисления элемента равна максимальной положительной степени окисления минус восемь (например. для халькогена S положительная степень окисления +6, макс. отрицательная 6 ? 8 = ?2).Исключение составляют фтор, кислород, благородные газы гелий, неон, аргон, а также железо и элементы подгрупп кобальта и никеля: их высшая степень окисления выражается числом, значение которого ниже, чем номер группы, к которой они относятся. У элементов подгруппы меди, наоборот, высшая степень окисления больше единицы, хотя они и относятся к I группе. Правило о равенстве числу восемь суммы степеней окисления элемента (R) по кислороду (RO) и по водороду (HR; т.е. положительных и отрицательных степеней окисления) соблюдается лишь для p-элементов IV - V - VI - VII групп таблицы ПСХЭ

Понятие степени окисления вполне применимо и для нестехиометрических соединений (КС8, Mo5Si3, Nb3B4 и др.).В некоторых случаях эта величина может быть выражена и дробным числом: для железа в оксиде железа (II, III) Fe₃O₄ она равна +8/3. Дробные степени окисления не имеют смысла при объяснении связи в химических соединениях, но они иногда могут быть использованы для составления уравнений окислительно-восстановительных реакций. К примеру, запишем схему процесса с указанием изменения степеней окисления элементов:

Составляем электронные уравнения:

Найденные коэффициенты проставляем в схему процесса, заменяя стрелку на знак равенства:

(то есть в электронных реакциях (методе электронного баланса) железо с дробной степенью окисления записывается только с коэффициентом 3).На самом деле, в растворе нет ионов Fe²⁺, Fe³⁺ (и уж тем более Fe^+8/3), также как и Cr⁶⁺, Mn⁷⁺, S⁶⁺, а есть ионы CrO₄^2?, MnO₄^?, SO₄^2?, а равно и малодиссоциированные «электролиты» Fe₃O₄ (FeO*Fe₂O₃). Именно поэтому следует отдать предпочтение методу полуреакций (ионно-электронным методам) и применять его при составлении уравнении всех окислительно-восстановительных реакций, протекающих в водных растворах. То есть мы можем воспользоваться готовой реакцией стандартного электродного потенциала:

Fe₃O₄ + 8H⁺ + 8e^? = 3Fe + 4H₂O, E° = ?0,085 В.

окисление пленка термический кремний

Условность степень окисления. Следует помнить, что степень окисления является сугубо условной величиной, не имеющей физического смысла, но характеризующей образование химической связи меж атомарного взаимодействия в молекуле.

Степень окисления в ряде случаев не совпадает с валентностью. Например, в органических соединениях углерод всегда четырёхвалентен, а [если предположить, что соединения ионы] степень окисления атома углерода в соединениях метана CH₄, метилового спирта CH₃OH, формальдегида HCOH, муравьиной кислоты HCOOH и диоксида углерода CO₂, соответственно, равна ?4, ?2, 0, +2 и +4.

Степень окисления зачастую не совпадает с фактическим числом электронов, которые участвуют в образовании связей. Обычно это молекулы с различными электрон дефицитными химическими связями и делокализацией электронной плотности. Например, в молекуле азотной кислоты степень окисления центрального атома азота равна +5, тогда как формальная валентность - 4, а координационое число - 3. В молекуле озона, имеющей сходное с SO₂ строение, атомы кислорода характеризуется нулевой степенью окисления (хотя часто говорят, что центральный атом кислорода имеет степень окисления +4).

Степень окисления в большинстве случаев не отражает также действительный характер и степень электрической поляризации атомов (истинного заряда атомов, определённых экспериментальным путём). Так, и в HCl, и в NaCl степень окисления Хлора принимается равной ?1, тогда как на самом деле поляризация его атома (относительный эффективный заряд д^?) в этих соединениях различна: д_Cl(HCl) = ?0,17 единицы заряда, д_Cl(NaCl) = ?0,9 единицы заряда (абсолютного заряда электрона); Водорода и Натрия - соответственно +0,17 и +0,90.А в кристаллах сульфида цинка ZnS заряды атомов цинка и серы равны соответственно +0,86 и ?0,86, вместо степеней окисления +2 и ?2.

На примере аммоний хлорида удобно затронуть существующее в современной химии перекрещивание различных понятий. Так, в NH₄Cl атом азота имеет степень окисления (значение) ?3, ко валентность IV, электро валентность (формальный заряд) +1 {Аммоний-катион имеет заряд (степень окисления) также 1+}, и общую валентность (структурную; общее координационное число) 5, а для его эффективного заряда предлагалось значение ?0,45.

Методы получения пленок SiO₂ методом термического окисления

Наиболее широко применяемый метод формирования пленок SiO₂ - окисление кремния при высоких температурах - термическое окисление.

Пленки SiO₂ толщиной 0,5…1 нм образуются на кремнии уже при комнатной температуре как при хранении на воздухе, так и при обработке в различных растворителях, используемых для очистки и травления поверхности.

После образования первого слоя SiO₂ на поверхности кремния дальнейший рост слоя может протекать по двум механизмам. Первый механизм предполагает диффузию кислорода через приповерхностный слой SiO₂ к поверхности кремния и реакцию на этой поверхности с образованием нового моноатомного слоя SiO₂. Согласно второму механизму к поверхности диоксида диффундирует кремний и соединяется там с кислородом. Экспериментальными исследованиями было доказано, что второй механизм не играет существенной роли в процессе окисления, так как скорость диффузии кремния в диоксидах на несколько порядков меньше скорости диффузии кислорода. Таким образом, механизм окисления складывается из нескольких последовательных стадий: диффузии кислорода (или другого окислителя) из газового потока к поверхности кремниевой пластины; адсорбции кислорода этой поверхностью; реакции окисления кремния - образования первоначального слоя SiO₂; диффузии окислителя через этот слой к поверхности кремния, где протекает следующая реакция окисления.

Характер зависимости толщины окисла от времени окисления при постоянных температурах и давлении окислителя показан на рисунке 1. Условно эту зависимость можно разбить на четыре участка, каждый из которых может быть аппроксимирован функцией Xo = f(t) определенного вида.

Рисунок 1

Вид зависимости толщины окисла Хо от времени окисления t при постоянных температуре и давлении газообразного окислителя. Участок 1, соответствующий начальному периоду окисления, описывается линейной функцией Хо/Кс = t. Скорость роста пленки на этом этапе постоянна и определяется скоростью поверхностной реакции:

dXo/dt = Kc,

где Кс - константа скорости химической реакции на поверхности (мкм/с). Линейный участок отвечает узкому интервалу толщин окисла (~ до 0,01 - 0,02 мкм), которые на практике не применяются.

По мере роста пленки фронт химической реакции продвигается в глубь кремниевой пластины. Все большую роль начинает играть диффузия окислителя через окисел к границе раздела SiO₂ - Si. Замедленная доставка кислорода к границе раздела приводит к изменению вида зависимости на линейно-параболическую (участок 2). Здесь k_Д - константа диффузии окислителя через окисел (мкм²/с). Скорость роста пленки на этом участке убывает в соответствии с выражением .

На участке 3 скорость процесса окисления ограничена диффузией окислителя через окисел и зависимость толщины от времени приобретает параболический характер . Скорость роста пленки быстро убывает с толщиной: .

На участке 4 толщина растущего окисла приближается к некоторому придельному значению , которое зависит от вида окислителя, его давления в газовой фазе и от температуры процесса. Время, необходимое для диффузии окислителя через окисел, возрастает, что приводит к значительному уменьшению скорости роста пленки, а зависимость становится логарифмической. Процесс окисления на этом этапе не эффективен, его надо заканчивать в конце участка 3.

Константы k_Д и k_С могут быть найдены из уравнения Аррениуса:

,

где Ea - энергия активации; Т - абсолютная температура; k - постоянная Больцмана; Ко - константа, линейно зависящая от давления газообразного окислителя, а также от кристаллографической ориентации плоскости подложки.

Поскольку k_Д и k_С зависят от температуры, интервалы толщин окисла и времени на каждом участке также зависят от температуры.

Если требуется вырастить пленку максимальной толщины, то выбирают экономически целесообразное время процесса, соответствующее граничной области между 3 и 4 участками. При выращивании пленок расчетной толщины (например, подзатворный окисел в МДП-структурах) процесс заканчивают на 2 или 3 участках. Время окисления жестко контролируют.

Для определения времени, необходимого для окисления, используют экспериментальные зависимости , которые строят обычно в логарифмическом масштабе (рисунок 2).

а) б)

Рисунок 2

Зависимость толщины окисла кремния от времени окисления в сухом кислороде (а) и водяном паре (б) при нормальном давлении (~0,1 МПа).

Анализ влияния технологических параметров на процесс окисления кремния

В зависимости от окислительной среды различают термическое окисление в сухом кислороде, в парах воды и комбинированное.

Термическое окисление в сухом кислороде характеризуется наибольшей продолжительностью вследствие высокой энергии активации процесса диффузии молекул кислорода через растущий окисел (~ 1,3 - 1,4 эВ), что обуславливает малое значение константы диффузии k_Д. Из рисунка 2,а, видно, что для получения пленки SiO₂ толщиной, например, 1 мкм при температуре 1300 ^оС требуется 15 часов. Преимуществом рассматриваемого процесса является высокое качество пленки, о чем свидетельствует ее высокая плотность (2,27 г/см³).

Термическое окисление в атмосфере водяного пара (гидротермальное окисление) значительно ускоряет процесс окисления кремния. Как и при окислении в сухом кислороде, тонкий слой окисла образуется за счет хемосорбции². В дальнейшем молекулы воды диффундируют через окисел к границе раздела SiO₂ - Si, где происходит реакция H₂O+Si> SiO₂+H₂. Таким образом, процесс протекает в две стадии. Водород, выделяющийся на границе раздела, достаточно быстро диффундирует к поверхности окисла.

Как следует из рисунка 2,б, окисел толщиной 1 мкм при температуре до 1300 ^оС получается за 1 час, при снижении температуры до 1000 ^оС время увеличивается до 4 часов.

Более высокая скорость роста пленки по сравнению с окислением в атмосфере сухого кислорода, объясняется меньшим диаметром молекулы окислителя, меньшей энергией активации процесса диффузии (~ 0,8 эВ) и большей константой диффузии k_Д. Так как константы диффузии и поверхностной реакции пропорциональны давлению водяного пара, то, повышая давление, можно сокращать время выращивания пленок заданной толщины. Так, при температуре 1000 ^оС и давлении 2 МПа, пленка толщиной 1 мкм получается примерно за 10 мин. Окисление при повышенном давлении водяного пара (ускоренное гидротермальное окисление) позволяет не только снижать температурное воздействие на пластину, но и получать более толстые (2 - 3 мкм) пленки SiO₂.

Основным недостатком такого процесса является необходимость использовать герметичные и высокопрочные реакторы вместо технологичных проточных систем, так как при высоких температурах и давлениях происходит ускоренная химическая эрозия стенок реактора. Общим недостатком процессов окисления в атмосфере водяного пара является низкое качество получаемых пленок и связанное с этим ухудшение их защитных свойств. Низкая плотность пленок (около 2 г/см³) связана с их пористостью из-за наличия водорода и гидроксильных групп ОН.

Комбинированный процесс - процесс окисления во влажном кислороде, когда, меняя соотношение компонентов в смеси, можно получать энергию активации окисления в пределах от 1,4 эВ (для сухого кислорода) до 0,8 эВ (для водяного пара) и соответственно изменять скорость роста пленок в широких пределах. При достаточно больших скоростях роста плотность пленки обычно достигает 2,18 - 2,2 г/см³.

При термическом окислении в установку кислород подают в зону окисления либо непосредственно с помощью крана 1 (рисунок 3), либо с помощью кранов 2 и 3 через увлажнитель - емкость со сверхчистой (деионизированой) водой, снабженную нагревателем и термометром. В зависимости от расхода кислорода и температуры воды в увлажнителе можно получать различное соотношение компонентов в смеси. При окислении во влажном кислороде температуру в увлажнителе устанавливают обычно в пределах 80-110 ^оС, расход кислорода составляет ~ 0,5 л/мин. Для окисления кремния в парах воды через увлажнитель, может быть пропущен транспортирующий инертный газ (азот, аргон и т.д.). В отлаженном процессе термического окисления толщина выращенной пленки контролируется временем окисления. При отладке процесса толщину пленки можно измерить интерференционным методом с помощью микроскопа МИИ-4 (точность измерения +/- 30 нм), для чего предварительно создают «ступеньку» путем полного стравливания окисла с участка поверхности пластины. При достаточном навыке толщину пленки можно определять методом цветовых оттенков, в котором используется свойство окиси кремния менять цвет в зависимости от толщины. Этот метод (относительная погрешность +/- 5%) применяют при толщинах не более 1 мкм.

Факторы, влияющие на скорость получения и качество пленок SiO₂

При окислении отполированного монокристаллического кремния формируется слой аморфного диоксида кремния. При температурах, близких к комнатной, пленка оказывается весьма не устойчивой. При более высоких температурах (до 1200 ^оС), применяемых в процессах окисления кремния, аморфный диоксид кремния термо динамически не устойчив и переходит в устойчивую кристаллическую фазу. Такому переходу способствуют центры кристаллизации, создаваемые примесями или несовершенствами структуры. Однако скорость этого перехода при температурах ниже 1000 ^оС чрезвычайно мала. Механизм перехода подобен тому, который действует в переохлажденной жидкости, быстро превращается в твердое тело при введении маленькой твердой частицы (затравки), например частицы пыли, образующей центр кристаллизации. Подобный процесс кристаллизации в SiO₂ может привести к возникновению множества локальных кристаллических областей или других несовершенств структуры, которые нежелательны во всех случаях применения SiO₂ в технологии ИМС.

Изучение термического окисления чистого кремния и кремния, легированного донорными и акцепторными примесями, показало, что наличие примесей влияет на скорость окисления. Это влияние обусловлен либо изменением коэффициента диффузии окислителя в слое, либо изменением скорости реакции окислителя на границе раздела Si - SiO₂. Так, при окислении бор стремится прейти из кремния в оксид, поэтому растущий слой обогащен бором, кремний, сильно легированный бором, окисляется быстрее высокоомного (чистого) кремния как при высоких температурах, где справедлив параболический закон роста диоксида, так и при более низких температурах, где выполняется линейный закон. Фосфор, которым может быть легирован кремний n-типа, имеет тенденции переходить в слой диоксида. Поэтому диффузия окислителя в таком слое не отличается от диффузии в диоксиде, растущем на чистом кремнии. Однако присутствие фосфора в кремнии увеличивает скорость химической реакции на поверхности кремния, вследствие чего кремний, сильно легированный фосфором, при температурах ниже 1100 ^оС окисляется быстрее, чем чистый кремний (так как при низких температурах скорость окисления определяется реакцией на поверхности Si). Особенно резко это различие проявляется при 700…800 ^оС. При температурах выше 1100 ^оС увеличение скорости роста диоксида на кремнии, легированном фосфором, практически незаметно.

На скорость термического окисления влияют не только примеси, содержащиеся в в кремниевой подложке, но и примеси ионов гидроокисла и натрия. Ионы гидроокисла, образующиеся в многоступенчатой реакции кремния с парами воды, увеличивают скорость окисления. Что касается натрия, то наличие его на границе раздела между диоксидом и кремнием приводит к каталитическому действию на реакцию окисления кремния, которое сильнее сказывается в присутствии ионов гидроксила, т.е. при окислении в парах воды или влажном кислороде.

Окисление кремния в интервале температур 1100…1300 ^оС при малом давлении газа (1,198…13,33 Па) характеризуется рядом особенностей. В таких условиях кремний может образовывать летучие оксиды, испаряющиеся с его поверхности, сто приводит к увеличению скорости окисления. При давлении 1,2…5,3 Па на поверхности кремния вообще не образуется слоя SiO₂, а единственным продуктом окисления является летучий монооксид SiO. При давлении кислорода в 13,33 Па образование слоя SiO₂ на поверхности кремния происходит с высокой скоростью.

Свойства пленок SiO_2.

Основными контролируемыми параметрами пленок являются: коэффициент преломления, химический состав пленки, пористость, плотность, скорость травления, напряженность поля пробоя. Значения некоторых типичных характеристик термических пленок SiO2 приведены в таблице 2.

Заключение

Термическое окисление кремния, позволяет получить высококачественный диэлектрик на поверхности кремния, обладает в то же время рядом ограничений и недостатков. К ним относится, прежде всего, высокая температура процесса, что создает большие затруднения в технологии, особенно при окислении пластин, на которых уже сформированы структуры элементов ИМС. Эти структуры при длительной высокотемпературной обработке значительно изменяют свои характеристики. Поэтому приходится вводить существенные поправки в расчеты, учитывающие влияние диффузионных процессов в структурах ИМС при высоких температурах. Кроме того, термическим окислением можно получать только SiO₂, а технология ИМС использует и другие диэлектрики, особенно для устройств, выполняемых не из кремния, а из различных полупроводниковых соединений (GaAs, GaP и т.п.).

При изготовлении СВЧ ИМС на основе кремния термическое окисление затрудняет формирование прецизионных структур, так как не позволяет формировать точные конфигурации областей изгибов.

Для преодоления этих недостатков в технологии ИМС были разработаны методы формирования диэлектрических пленок осаждением их из газовой или паровой фаз при помощи химических реакций или термовакуумного испарения.

Литература

1. Парфенов О.Д. «Технология микросхем: Учеб. пособие для вузов». - М.: Высш. шк., 1986. - 320 с., ил.

2. Черняев В.Н. «Технология производства интегральных микросхем и микропроцессоров: учебник для вузов». - 2-е изд., перераб. и доп. - М.: Радио и связь, 1987. - 464 с.: ил.

3. Курносов А.И., Юдин В.В. «Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем: Учеб. пособие для студентов вузов». 2-е изд., перераб. и доп. - М.: Высш. школа, 1979. - 367 с., ил.

1. Иваново-Есипович Н.К. «Физико-химические основы производства радиоэлектронной аппаратуры: Учеб. пособие для вузов. - 2-е изд., перераб. и доп. - М.: Высш. школа, 1979. - 205 с

Размещено на Allbest.ru