Химическое осаждение из газовой фазы
Механизмы и стадии протекания процессов химического осаждения из газовой фазы для получения функциональных слоев ИМС, их технологические характеристики. Методы CVD и их существенные преимущества. Типы реакторов, используемых для процессов осаждения.
| Рубрика | Производство и технологии |
| Предмет | Технология изготовления полупроводниковых приборов |
| Вид | курсовая работа |
| Язык | русский |
| Прислал(а) | Куфтов И. |
| Дата добавления | 06.02.2014 |
| Размер файла | 1,6 M |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Подобные документы
Химическое никелирование: металлов, пластмасс и неорганических диэлектриков. Химическое кобальтирование, меднение, осаждение драгоценных металлов, серебрение, золочение, платинирование. Оборудование для химического осаждения металлических покрытий.
дипломная работа [2,5 M], добавлен 13.12.2007Закономерности изменения расхода газовой фазы в зависимости от расхода жидкой фазы. Общий вид установки. Анализ процесса изменения расхода газовой фазы при операциях с малоиспаряющейся жидкостью (водой). Опыт с легкоиспаряющейся жидкостью (метанолом).
лабораторная работа [481,9 K], добавлен 10.09.2014Сущность "псевдоравновесного синтеза". Синтез веществ конгруэнтно растворимых с учетом диаграммы состояния тройных систем. Метод осаждения из газовой фазы. Окислительно-восстановительные реакции в растворах. Физико-химические методы очистки веществ.
контрольная работа [62,9 K], добавлен 07.01.2014Расчет реактора для выщелачивания. Размер перемешивающего устройства. Расчет производительности нитки реакторов и выбор мешалки разбавления. Производительность непрерывно действующей установки. Расчет площади осаждения. Температурные условия процесса.
реферат [111,0 K], добавлен 08.05.2012Теоретические основы осаждения взвеси. Закономерности процесса седиментации зернистой взвеси, определение гидравлической крупности частиц взвеси. Технологическое моделирование процесса осаждения методом подобия кривых выпадения взвеси для разных вод.
реферат [855,0 K], добавлен 09.03.2011Эпитаксия - процесс наращивания слоев полупроводникового материала с упорядоченной кристаллической структурой на ориентированной пластине. Эпитаксию можно подразделить на три вида: авто-, гетеро- и хемоэпитаксию. Эпитаксиальные структуры со скрытым слоем.
реферат [124,2 K], добавлен 03.01.2009Особенности освоения методики конструкционных расчётов устройств СВЧ. Методы расчета фильтра низкой частоты исследуемого устройства. Анализ, разработка конструкции микросборки. Изготовление схем способом химического и электролитического осаждения металла.
курсовая работа [413,5 K], добавлен 28.02.2010Восстановление вольфрамового ангидрида водородом. Технологические схемы переработки вольфрамовых концентратов. Метод осаждения фосфат- и арсенат ионов в виде малорастворимых аммонийно-магниевых солей. Состав аммиачных растворов вольфрамовой кислоты.
реферат [20,3 K], добавлен 11.03.2015Влияние природы стабилизирующих добавок в совмещенном сенсактивирующем растворе на эффективность активации поверхности алмазного порошка, скорость осаждения и морфологию формирующегося на поверхности порошка ультрадисперсного композиционного покрытия.
реферат [1,2 M], добавлен 26.06.2010Особенности процесса газовой сварки. Способы определения мощности газовой горелки, расчет параметров сварочного аппарата. Технология и способы газовой сварки, ее основные режимы и техника выполнения. Описание этапов подготовки кромок и сборка под сварку.
контрольная работа [303,8 K], добавлен 06.04.2012
