Химическое осаждение из газовой фазы

Механизмы и стадии протекания процессов химического осаждения из газовой фазы для получения функциональных слоев ИМС, их технологические характеристики. Методы CVD и их существенные преимущества. Типы реакторов, используемых для процессов осаждения.

Рубрика Производство и технологии
Вид курсовая работа
Язык русский
Дата добавления 06.02.2014
Размер файла 1,6 M

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.


Подобные документы

  • Химическое никелирование: металлов, пластмасс и неорганических диэлектриков. Химическое кобальтирование, меднение, осаждение драгоценных металлов, серебрение, золочение, платинирование. Оборудование для химического осаждения металлических покрытий.

    дипломная работа [2,5 M], добавлен 13.12.2007

  • Закономерности изменения расхода газовой фазы в зависимости от расхода жидкой фазы. Общий вид установки. Анализ процесса изменения расхода газовой фазы при операциях с малоиспаряющейся жидкостью (водой). Опыт с легкоиспаряющейся жидкостью (метанолом).

    лабораторная работа [481,9 K], добавлен 10.09.2014

  • Сущность "псевдоравновесного синтеза". Синтез веществ конгруэнтно растворимых с учетом диаграммы состояния тройных систем. Метод осаждения из газовой фазы. Окислительно-восстановительные реакции в растворах. Физико-химические методы очистки веществ.

    контрольная работа [62,9 K], добавлен 07.01.2014

  • Расчет реактора для выщелачивания. Размер перемешивающего устройства. Расчет производительности нитки реакторов и выбор мешалки разбавления. Производительность непрерывно действующей установки. Расчет площади осаждения. Температурные условия процесса.

    реферат [111,0 K], добавлен 08.05.2012

  • Теоретические основы осаждения взвеси. Закономерности процесса седиментации зернистой взвеси, определение гидравлической крупности частиц взвеси. Технологическое моделирование процесса осаждения методом подобия кривых выпадения взвеси для разных вод.

    реферат [855,0 K], добавлен 09.03.2011

  • Эпитаксия - процесс наращивания слоев полупроводникового материала с упорядоченной кристаллической структурой на ориентированной пластине. Эпитаксию можно подразделить на три вида: авто-, гетеро- и хемоэпитаксию. Эпитаксиальные структуры со скрытым слоем.

    реферат [124,2 K], добавлен 03.01.2009

  • Особенности освоения методики конструкционных расчётов устройств СВЧ. Методы расчета фильтра низкой частоты исследуемого устройства. Анализ, разработка конструкции микросборки. Изготовление схем способом химического и электролитического осаждения металла.

    курсовая работа [413,5 K], добавлен 28.02.2010

  • Восстановление вольфрамового ангидрида водородом. Технологические схемы переработки вольфрамовых концентратов. Метод осаждения фосфат- и арсенат ионов в виде малорастворимых аммонийно-магниевых солей. Состав аммиачных растворов вольфрамовой кислоты.

    реферат [20,3 K], добавлен 11.03.2015

  • Влияние природы стабилизирующих добавок в совмещенном сенсактивирующем растворе на эффективность активации поверхности алмазного порошка, скорость осаждения и морфологию формирующегося на поверхности порошка ультрадисперсного композиционного покрытия.

    реферат [1,2 M], добавлен 26.06.2010

  • Особенности процесса газовой сварки. Способы определения мощности газовой горелки, расчет параметров сварочного аппарата. Технология и способы газовой сварки, ее основные режимы и техника выполнения. Описание этапов подготовки кромок и сборка под сварку.

    контрольная работа [303,8 K], добавлен 06.04.2012

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.