Исследование биполярного транзистора

Понятие и функциональное назначение биполярного транзистора как полупроводникового прибора с двумя близкорасположенными электронно-дырочными переходами. Анализ входных и выходных характеристик транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером и базой.

Рубрика Физика и энергетика
Вид лабораторная работа
Язык русский
Дата добавления 12.05.2016
Размер файла 1,3 M

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.

Размещено на http://www.allbest.ru/

Размещено на http://www.allbest.ru/

Лабораторная работа

Исследование биполярного транзистора

Цель работы

1. Исследование биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером.

2. Исследование биполярного транзистора, включенного по схеме с общей базой.

Краткие теоретические сведения

Транзистор - это полупроводниковый элемент, имеющий в своём составе как минимум два p-n перехода (p-n-p или n-p-n) и три электрических вывода. Транзисторы бывают биполярными и полевыми.

Биполярным транзистором называют трёхэлектродный полупроводниковый прибор с двумя близкорасположенными электронно-дырочными переходами. Они служат для усиления, генерирования, преобразования и коммутации сигналов и т.д.

Ток в биполярном транзисторе определяется движением носителей зарядов двух знаков - отрицательных (электронов) и положительных (дырок). Существует три схемы включения биполярных транзисторов: 1)Схема с общим эмиттером; 2)Схема с общей базов; 3)Схема с общим коллектором. При этом цепи рассматривают только относительно переменного тока. Принцип действия биполярного транзистора любой структуры основан на создании транзисторного (проходящего) потока носителей заряда из эмиттера коллектор через базу и управления этим потоком посредством тока базы. Основные свойства биполярного транзистора определяются процессами в его базе.

Биполярные транзисторы являются ассиметричными приборами, что обеспечивает быстрейшее протекание переходных процессов при переключениях:

1.Эмиттерный электронно-дырочный переход между базой и эмиттером ?-p по площади меньше коллекторного .

2.Знак плюс означает, что концентрация примесей в эмиттере в стони раз превышает концентрацию примесей в базе (р).

3.Концентрация примесей в коллекторе чуть меньше, чем в эмиттере.

С током эмиттера ток коллектора связан соотношением:

Дифференциальный коэффициент передачи тока эмиттера б, т.е. коэффициент переноса тока из эмиттерной цепи в коллекторную составляет б=0,95 и зависит от частоты сигнала.

Каждая схема описывается тремя семействами характеристик:

· Входные характеристики:

· Выходные характеристики:

· Проходные характеристики:

Порядок выполнения

1. Исследование биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером.

Собрать схему согласно рис. 1.

Размещено на http://www.allbest.ru/

Размещено на http://www.allbest.ru/

Снятие семейства входных и проходных характеристик транзистора.

Для этого установить с помощью регулятора напряжения источника напряжение между коллектором и эмиттером , изменяя ток базы с помощью регулятора источника напряжения зафиксировать значения напряжения между базой и эмиттером и тока коллектора . Опыт повторить при В и В. Во время опыта всякий раз поддерживать неизменным.

Таблица 1

I б, мкА

Uкэ=0 В

Uкэ=3 В

Uкэ=6 В

Uбэ, мВ

Iк, мА

Uбэ, мВ

Iк, мА

Uбэ, мВ

Iк, мА

0

0,02

0

0,058

0,06

0,059

0,06

0,025

0,095

0,09

0,145

1,41

0,146

1,44

0,05

0,119

0,19

0,171

3,15

0,173

3,38

0,075

0,134

0,28

0,19

5,17

0,19

5,57

0,1

0,146

0,37

0,205

7,18

0,203

7,89

0,125

0,155

0,44

0,218

9,35

0,214

10,58

0,15

0,164

0,52

0,231

11,45

0,224

13,29

По данным таблицы 1 построить семейство входных и проходных характеристик биполярного транзистора включенного по схеме с общим эмиттером. Вид характеристик показан на рис 2, 3.

Входные характеристики биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером

транзистор биполярный эмиттер электронный

Выходные характеристик биполярного транзистора

Рассчитать значения статического и динамического входного сопротивления транзистора в заданной преподавателем точке входной характеристике транзистора по формулам (1,2)

, (1)

. (2)

Рассчитать значения статического и динамического коэффициента усиления транзистора по току в заданной преподавателем точке проходной характеристике транзистора по формулам (3,4)

, (3)

. (4)

мОм

Rвх. Ст

Rвх.динам

Rвх. Ст

Rвх.динам

Rвх. Ст

Rвх.динам

0

0

0

0

0

0

3,8

3

5,8

3,48

5,84

3,48

2,38

0,96

3,42

1,04

3,46

1,08

1,78

0,6

2,53

0,76

2,53

0,68

1,46

0,48

2,05

0,6

2,03

0,52

1,24

0,36

1,74

0,52

1,71

0,44

1,09

0,36

1,54

0,52

1,49

0

Сред

1,96

0,82

2,84

1,15

2,8

1,03

Кi ст.

Ki динам.

Кi ст.

Ki динам.

Кi ст.

Ki динам.

0

0

0

0

0

0

3,6

3,6

56,4

54

57,6

55,2

3,8

4

63

69,6

67,6

77,6

3,7

3,6

68,9

80,8

74,2

87,6

3,7

3,6

71,8

80,4

78,9

92,8

3,5

2,8

74,8

86,8

84,64

107,6

3,4

3,2

76,3

84

88,6

108,4

Сред

3,6

3,4

68,5

75,9

75,2

88,2

Снять семейство выходных характеристик транзистора.

Для этого с помощью регулятора напряжения источника установить и поддерживая в течении опыта постоянным значение тока базы сначала мА, затеммА, мА и мА, снять зависимость тока коллектора от напряжения между коллектором и эмиттером, меняя последнее с помощью регулятора напряжения источника . Результаты измерений свести в таблицу 2.

Таблица 2

U кэ, В

Iк, мА

Iб=0, мкА

Iб=50, мкА

Iб=100, мкА

Iб=150, мкА

0

0

1,99

0,58

0,82

0,5

0,07

2,8

6,50

10,33

1

0,07

2,88

6,65

10,64

2

0,07

2,99

6,91

11,04

3

0,07

3,08

7,14

11,52

4

0,07

3,16

7,42

11,97

5

0,07

3,24

7,67

12,5

6

0,08

3,32

8,01

13,01

Вид характеристик приведен на рис. 4.Графики семейства выходных характеристик биполярного транзистора.

2. Исследование биполярного транзистора, включенного по схеме с общей базой.

Собрать схему, согласно рис. 5.

Размещено на http://www.allbest.ru/

Размещено на http://www.allbest.ru/

Снять входную и проходную характеристики транзистора.

Для этого установить с помощью регулятора напряжения источника напряжение между коллектором и базой , изменяя ток эмиттера с помощью регулятора источника напряжения зафиксировать значения напряжения между базой и эмиттером и тока коллектора . Опыт повторить при В и В. Во время опыта всякий раз поддерживать неизменным. Результаты измерений свести в таблицу 1.

Таблица №3

I э, мА

Uкб=0 В

Uкб=3 В

Uкб=6 В

Uбэ, мВ

Iк, мА

Uбэ, мВ

Iк, мА

Uбэ, мВ

Iк, мА

0

0,003

0

0,001

0

0,002

0

2,5

0,191

2,47

0,186

2,43

0,184

2,48

5

0,24

4,99

0,233

4,97

0,231

5,04

7,5

0,287

7,46

0,273

7,43

0,267

7,46

10

0,315

9,65

0,308

9,68

0,298

9,7

Входные характеристики биополярного транзистора,включенного по схеме с общей базой

Проходные характеристики биополярного транзистора,включенного по схеме с общей базой

Рассчитать значения статического и динамического входного сопротивления транзистора в заданной преподавателем точке входной характеристике транзистора по формулам (5,6)

, (5)

. (6)

Рассчитать значения статического и динамического коэффициента усиления транзистора по току в заданной преподавателем точке проходной характеристике транзистора по формулам (7,8)

, (7)

. (8)

Ом

Rвх. Ст

Rвх.динам

Rвх. Ст

Rвх.динам

Rвх. Ст

Rвх.динам

0

0

0

0

0

0

0,076

0,075

0,074

0,074

0,073

0,072

0,048

0,019

0,046

0,018

0,046

0,018

0,038

0,018

0,036

0,016

0,035

0,014

0,031

0,011

0,030

0,014

0,029

0,012

Сред

0,048

0,031

0,047

0,030

0,046

0,029

Кi ст.

Ki динам.

Кi ст.

Ki динам.

Кi ст.

Ki динам.

0

0

0

0

0

0

0,988

0,988

0,972

0,972

0,992

0,992

0,998

1,008

0,994

1,016

1,008

1,024

0,994

0,988

0,990

0,984

0,994

0,968

0,965

0,876

0,968

0,9

0,97

0,896

Сред

0,986

0,965

0,981

0,968

0,991

0,97

Снять семейство выходных характеристик транзистора включенного по схеме с общей базой .

Для этого зафиксировав с помощью регулятора источника напряжения значение тока эмиттера в соответствии с таблицей 4, снять зависимость тока коллектора и напряжения между базой и коллектором , изменяя последнее с помощью регулятора напряжения источника .

Таблица № 4

Uкб,В

Iк,мА

Iэ=0 мА

Iэ=1мА

Iэ=2мА

Iэ=3 мА

Iэ=4мА

Iэ=5мА

0

0

1,03

2,04

3,01

3,99

5,02

2

0,005

1,04

2,04

3,02

3,99

5,03

4

0,005

1,04

2,04

3,02

4

5,03

6

0,005

1,04

2,04

3,03

4

5,04

8

0,005

1,04

2,05

3,03

4,01

5,04

10

0,005

1,04

2,05

3,03

4,01

5,05

Семейство проходных характеристик биполярного транзистора включенного по схеме с общим эмиттером

Семейство входных характеристик биополярного транзистора включенного по схеме с общим эмиттером

Заключение

В ходе данной работы мы исследовали биполярный транзистор включенный по двум видам схем: с общим эмиттером и с общей базой.

Размещено на http://www.allbest.ru/

Размещено на http://www.allbest.ru/

Размещено на Allbest.ru


Подобные документы

  • Получение входных и выходных характеристик транзистора. Включение биполярного транзистора по схеме с общим эмиттером. Проведение измерения тока базы, напряжения база-эмиттер и тока эмиттера для значений напряжения источника. Расчет коллекторного тока.

    лабораторная работа [76,2 K], добавлен 12.01.2010

  • Параметры транзистора МП–40А, чертеж его основных выводов. Входная и выходная характеристики данного транзистора. Определение параметров для схемы с общим эмиттером. Схема с общим коллектором и общей базой. Расчет параметров для соответствующей схемы.

    контрольная работа [642,0 K], добавлен 28.03.2011

  • Изучение методов построения зависимости прямого коэффициента усиления по току и анализ зависимости предельной частоты от тока эмиттера для кремниевого биполярного дрейфового транзистора. Этапы расчета частотных свойств биполярного дрейфового транзистора.

    лабораторная работа [68,3 K], добавлен 06.02.2010

  • Порядок получения входных и выходных характеристик транзистора. Методика и основные этапы сборки электрической схемы, определение измерения тока коллектора. Экспериментальное нахождение сопротивления по входной характеристике при изменении базового тока.

    лабораторная работа [39,8 K], добавлен 12.01.2010

  • Принцип действия биполярного транзистора. Его статические характеристики и эксплуатационные параметры. Температурные и частотные свойства транзистора. Эквивалентные схемы полевых транзисторов. Схематическое изображение ПТ с изолированным затвором.

    лекция [460,9 K], добавлен 15.03.2009

  • Расчет каскада транзисторного усилителя напряжения, разработка его принципиальной схемы. Коэффициент усиления каскада по напряжению. Определение амплитуды тока коллектора транзистора и значения сопротивления. Выбор типа транзистора и режима его работы.

    контрольная работа [843,5 K], добавлен 25.04.2013

  • Устройство и принцип действия биполярного транзистора, униполярного транзистора. Силовые полупроводниковые приборы, основные требования, предъявляемые к ним. Характеристика динисторов и транзисторов. Параметры предельных режимов работы транзисторов.

    лекция [424,0 K], добавлен 14.11.2008

  • Принцип работы полевого транзистора. Стоковые характеристики транзистора. Причина насыщения в стоковой характеристике полевого транзистора. Устройство полевого транзистора с управляющим p-n-переходом. Инверсия типа проводимости.

    лабораторная работа [37,8 K], добавлен 20.03.2007

  • Общее представление о мощных БИП-транзисторах Зависимость эффективности эмиттера от концентрации примеси в нем. Характеристика падения коэффициента усиления по току при больших плотностях тока. Сущность монолитного мощного транзистора Дарлингтона.

    курсовая работа [676,6 K], добавлен 04.04.2015

  • Характеристика біполярного транзистора - напівпровідникового елементу електронних схем, з трьома електродами, один з яких служить для керування струмом між двома іншими. Особливості принципу роботи, технології виготовлення на прикладі транзистора-КТ3107.

    реферат [18,3 K], добавлен 02.02.2010

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.