Биполярные транзисторы

Структура транзистора IGBT аналогична структуре ПТИЗ, но дополнена еще одним р-и-переходом, благодаря которому в схеме замещения (рис. 6.12 в) появля-ется еще один />-п-р-транзистор 72.

Образовавшаяся структура из двух транзисторов 71 и 72 имеет глубокую внутреннюю положительную обратную связь, так как ток коллектора транзисто-ра 72 влияет на ток базы транзистора Т\, а ток коллектора транзистора 71 определяет ток базы транзистора 72. Принимая, что коэффициенты передачи тока эмиттера транзисторов 71 и 72 имеют значения cii и о; соответственно, найдем /к2=/э2"2> *^1=^э1"2 и I,=I^+I^+Ic. Из последнего уравнения можно опре-делить ток стока полевого транзистора

I_c= I(I- ₁- ₂) (6.3)

Поскольку ток стока /с ПТИЗ можно определить через крутизну 5 и напряже-ние U, на затворе Ic=SU, определим ток IGBT транзистора

I_k= I = SU _/ I-(₁- ₂) = SU (6.4)

где 5э=57[1-(сс1+а2)] -- эквивалентная крутизна биполярного транзистора с изо-лированным затвором.

Очевидно, что при ai+oc^l эквивалентная крутизна значительно превышает крутизну ПТИЗ. Регулировать значения Oi и с^ можно изменением сопротивлений R^ и ri при изготовлении транзистора. На рис. 6.12 г приведены вольт-амперные характеристики IGBT транзистора, которые показывают значительное увеличение крутизны по сравнению с ПТИЗ. Так, например, для транзистора BUP 402 полу-чено значение крутизны 15 А/В.

Рис б 12 Схема замещения ПТИЗ с вертикальным каналом (а) и его вольт-амперные характеристики (б), схема замещения транзистора типа IGBT (в) и его вольт-амперные характеристики (г)

Другим достоинством IGBT транзисторов является значительное снижение последовательного сопротивления и, следовательно, снижение падения напряже-ния на замкнутом ключе. Последнее объясняется тем, что последовательное со-противление канала J?z шунтируется двумя насыщенными транзисторами 71 и 72, включенными последовательно.

Область безопасной работы БТИЗ подобна ПТИЗ, т. е. в ней отсутствует уча-сток вторичного пробоя, характерный для биполярных транзисторов. Поскольку в основу транзисторов типа IGBT положены ПТИЗ с индуцированным каналом, то напряжение, подаваемое на затвор, должно быть больше порогового напряжения, которое имеет значение 5...6В.

Быстродействие БТИЗ несколько ниже быстродействия полевых транзисто-ров, но значительно выше быстродействия биполярных транзисторов. Исследова-ния показали, что для большинства транзисторов типа IGBT времена включения и выключения не превышают 0,5... 1,0мкс.

Статический индукционный транзистор (СИТ) представляет собой полевой транзистор с управляющим /»-п-переходом, который может работать как при обратном смещении затвора (режим полевого транзистора), так и при прямом смещении затвора (режим биполярного транзистора). В результате смешанного управления открытый транзистор управляется током затвора, который в этом случае работает как база биполярного транзистора, а при запирании транзистора на затвор подается обратное запирающее напряжение. В отличие от биполярного транзистора обратное напряжение, подаваемое на затвор транзистора, может достигать 30 В, что значительно ускоряет процесс рассасывания неосновных носи-телей, которые появляются в канале при прямом смещении затвора.

В настоящее время имеются две разновидности СИТ транзисторов. Первая разновидность транзисторов, называемых просто СИТ, представляет собой нормально открытый прибор с управляющим /»-п-переходом. В таком приборе при нулевом напряжении на затворе цепь сток-исток находится в проводящем состоянии. Перевод транзистора в непроводящее состояние осуществляется при помощи запирающего напряжения <7ц, отрицательной полярности, приклады-ваемого между затвором и истоком. Существенной особенностью такого СИТ транзистора является возможность значительного снижения сопротивления ка-нала Rca в проводящем состоянии пропусканием тока затвора при его прямом смещении.

Таблица 6.1 Сравнительные характеристики СИТ и БСИТ транзисторов

СИТ транзистор, как и ПТИЗ, имеет большую емкость затвора, перезаряд которой требует значительных токов управления. Достоинством СИТ по сравне-нию с биполярными транзисторами является повышенное быстродействие. Время включения практически не зависит от режима работы и составляет 20... 25 не при задержке не более 50нс. Время выключения зависит от соотношения токов стока и затвора.

Для снижения потерь в открытом состоянии СИТ вводят в насыщенное со-стояние подачей тока затвора. Поэтому на этапе выключения, так же как и в би-полярном транзисторе, происходит процесс рассасывания неосновных носителей заряда, накопленных в открытом состоянии. Это приводит к задержке выключе-ния и может лежать в пределах от 20нс до 5мкс.

Специфической особенностью СИТ транзистора, затрудняющей его примене-ние в качестве ключа, является его нормально открытое состояние при отсутствии управляющего сигнала. Для его запирания необходимо подать на затвор отрицательное напряжение смещения, которое должно быть больше напряжения отсечки.

Этого недостатка лишены БСИТ транзисторы, в которых на-пряжение отсечки технологически-ми приемами сведено к нулю. Бла-годаря этому БСИТ транзисторы при отсутствии напряжения на зат-воре заперты, так же как и бипо-лярные транзисторы, что и отра-жено в названии транзистора-- биполярные СИТ транзисторы.

Поскольку СИТ и БСИТ транзисторы относятся к разряду полевых транзис-торов с управляющим /»-и-переходом, их схематическое изображение и условные обозначения такие же. Таким образом, определить СИТ транзисторы можно толь-ко по номеру разработки, что весьма затруднительно, если нет справочника.

Несмотря на высокие характеристики СИТ и БСИТ транзисторов, они уступа-ют ПТИЗ по быстродействию и мощности управления. Типовые вольт-амперные характеристики СИТ транзистора приведены на рис. 6.14. К достоинствам СИТ транзисторов следует отнести малое сопротивление канала в открытом состоянии, которое составляет 0,1... 0,025 Ом.

Лекция 7. Предельные режимы работы транзисторов

Параметры предельных режимов. Предельно допустимые режимы работы транзисторов определяются максимально допустимыми напряжениями и тока-ми, максимальной рассеиваемой мощностью и допустимой температурой кор-пуса прибора. Основными причинами, вызывающими выход транзистора из строя или нарушение нормальной работы схемы в результате изменения основных параметров транзисторов, могут быть: слишком высокое обратное напряжение на одном из переходов и перегрев прибора при увеличении тока через переходы.

В справочных данных на транзисторы обычно оговариваются предельные эксплуатационные параметры:

* максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер и^умшс

ИЛИ СТОК-ИСТОК Цж.махс;

* максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер

^.«..макс ИЛИ СТОК-ИСТОК Ј/ch.».n.kc;

* постоянный или импульсный токи коллектора /„.„акс и /.(.инке и такие же значения тока стока полевых транзисторов;

* постоянный или импульсный токи базы /б.макс И /б.и.макс;

* постоянное или импульсное напряжение на затворе Уз.«акс и (/з.и.макс;

* постоянная или импульсная рассеиваемая мощность коллектора Л.макс или Дс.и.нако или аналогичные мощности, рассеиваемые стоками /'с.макс и ^с.я.мако

* предельная температура перехода Т,,^ или корпуса прибора Г».,^. Все перечисленные параметры предельных режимов обусловлены развитием одно-го из видов пробоя: по напряжению -- лавинного, по току -- токового или теплового, по мощности -- вызванного достижением максимальной температуры перехода.