Эпитаксиальный рост простых полупроводников Si и Ge на поверхности Si(111)
Дифракция быстрых электронов на отражение как метод анализа структуры поверхности пленок в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии. Анализ температурной зависимости толщины пленки кремния и германия на слабо разориентированой поверхности кремния.
| Рубрика | Физика и энергетика |
| Вид | курсовая работа |
| Язык | русский |
| Дата добавления | 07.06.2011 |
| Размер файла | 1,0 M |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
28. H.J.W.Zandvliet, H.B.Elswijk, D.Dijkkamp and etc. «On the period of Reflection High-Energy Electron Diffraction intensity oscillation during Si molecular beam epitaxy on vicinal Si(001)» // J.Appl.Phys. 70(5), 1 september 1991 pp.2614-2617
29. O.P. Pchelyakov, I.G. Neisvestnyi, Z.Sh. Yanovitskaya «RHEED control of nanostructure formation durig MBE»// Phys.Low-Dim.Struct., 1995, v.10/11,389-396.
30. A.I. Nikiforov, V.A. Markov, O.P. Pchelyakov and Z.Sh. Yanovitskaya «The influensce of the Epitaxial Growth Temperature on the Period of RHEED Oscillations» Phys. Low-Dim. Struct., 7(1997) pp.1-10.
31. M. Fehrenbacher, H. Rauscher, U. Memmert, R.J. Behm «SiH4 chemical vapor deposition on Si(111)-( 7 Ч7) studied byscanning tunneling microscopy» // Surface Science 385 ( 1997) 123-145
32. S. Kodiyalam, K. E. Khor and S. Das Sarma «Calculated Schwoebel barriers on Si(111) step using an empirical potential» // Physical Review B v.53 .15 (1995) pp.9913-9922.
33. «Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры» под ред.Л.Ченг и К.Полога - Москва 1989г.
34 Toshihiro Ichikawa and Shozo Ino «RHEED study on the Ge/Si(111) and Si/Ge(111) systems: reaction of Ge with the Si(111)-(7x7) surfaces» // Surface Science 136(1984) pp.267-284
Размещено на Allbest.ru
Подобные документы
Исследование кристаллической структуры поверхности с помощью рентгеновских и электронных пучков. Дифракция электронов низких и медленных энергий (ДЭНЭ, ДМЭ), параметры. Тепловые колебания решетки, фактор Дебая-Валлера. Реализация ДЭНЭ, применение метода.
курсовая работа [3,2 M], добавлен 08.06.2012Исследование особенностей технологических путей создания микрорельефа на фронтальной поверхности солнечных элементов на основе монокристаллического кремния. Основные фотоэлектрические параметры полученных структур, их анализ и направления изучения.
статья [114,6 K], добавлен 22.06.2015Расчет энергии иона. Количественная интерпретация данных о рассеянии быстрых ионов. Метод спектроскопии обратно рассеянных ионов низких энергий. Форма энергетических спектров двухкомпонентных материалов. Спектр кремния с анатомами на поверхности.
контрольная работа [86,3 K], добавлен 14.11.2011Особенности частичного насыщения поверхностных атомов кремния метильными группами и методов моделирования кластера минимального размера. Иммобилизация метильных групп на поверхность димеризованного гидрогенизированного кластера в различных соотношениях.
доклад [1,1 M], добавлен 26.01.2011Проведение исследования механических и пароструйных вакуумных насосов. Анализ высоковакуумной установки для молекулярно-лучевой эпитаксии и импульсного-лазерного испарения "Smart NanoTool MBE/PLD". Роль вакуума в методе молекулярно-лучевой эпитаксии.
курсовая работа [1,8 M], добавлен 18.11.2021Ge/Si гетероструктуры с квантовыми точками, рост и особенности упорядочения и эффекты самоорганизации. Влияние температуры роста и качества поверхности на формирование квантовых наногетероструктур Ge/Si. Методика и значение дифракции быстрых электронов.
курсовая работа [993,4 K], добавлен 28.08.2015Как создаются квантовые структуры. Квантовые ямы, точки и нити. Метод молекулярно-лучевой эпитаксии. Мосгидридная газофазная эпитаксия. Метод коллоидного синтеза. Энергетические зоны на границе двух полупроводников. Методы изготовления квантовых нитей.
курсовая работа [203,3 K], добавлен 01.01.2014Анализ противоречий в механизмах протекания электрического тока в проводниках. Обзор изменения состава и структуры поверхности многокомпонентных систем, механизма диффузии и адсорбции. Исследование поверхности электродов кислотных аккумуляторных батарей.
контрольная работа [25,0 K], добавлен 14.11.2011Общие сведения о полупроводниках. Методы очистки и переплавки полупроводниковых материалов. Металлургия германия и кремния. Применение полупроводников. Тепловые сопротивления. Фотосопротивления. Термоэлементы. Холодильники и нагреватели.
реферат [26,8 K], добавлен 25.06.2004Достижения современной планарной технологии и значение в них физики поверхностей. Трехслойная система как базовая структура микроэлектроники. Влияние поверхности на работу полупроводниковых приборов: оптоэлектронные приборы, сверхпроводящие пленки.
курсовая работа [1,0 M], добавлен 17.05.2009
