Дослідження впливу зміни оточуючого газового середовища на основі гетеропереходів
Методи створення селективних сенсорів. Ефект залежності провідності плівки напівпровідникових оксидів металів від зміни навколишньої атмосфери. Види адсорбції. Природа адсорбційних сил. Установка для вимірювання вольт-амперних характеристик сенсора.
| Рубрика | Физика и энергетика |
| Вид | контрольная работа |
| Язык | украинский |
| Дата добавления | 27.05.2013 |
| Размер файла | 1,1 M |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Размещено на http://www.allbest.ru/
Дослідження впливу зміни оточуючого газового середовища на основі гетеропереходів
Вступ
Експресний аналіз складу газового середовища є актуальною науково-технічною задачею, що може бути вирішена шляхом використання нового класу приладів - мініатюрних газових датчиків адсорбційно-напівпровідникового типу на основі тонких плівок окислів металів. Застосування з цією ціллю напівпровідникових матеріалів засновано на характері зміни їхньої електропровідності в залежності від природи і концентрації домішки, що адсорбується поверхнею напівпровідника з навколишнього середовища. Водночас, питання відтворюваності властивостей при одержанні та нестабільність у роботі плівкових чутливих елементів є серйозною проблемою їх широкомасштабного застосування. Зміна електропровідності полікристалічного напівпровідника при його взаємодії з газовим середовищем відбувається завдяки процесам, що мають місце на межі поділу напівпровідника і газової фази.
Дослідження впливу адсорбції газів та електрофізичні характеристики напівпровідників, розпочаті ще в 40-х роках минулого століття у зв'язку з розвитком напівпровідникової техніки, поставили і зворотне завдання - детектувати газові домішки щодо зміни електрофізичних характеристик напівпровідника. Однак, на відміну від швидкого впровадження напівпровідникових приладів в усі галузі науки і техніки, шлях напівпровідникових сенсорів від лабораторних розробок до серійних датчиків газоаналізаторів виявився незрівнянно довгим. Значні успіхи були досягнуті в роботах під керівництвом І.А. Мяснікова (НІФХІ ім. Л.Я. Карпова) з вивчення елементарних фізико-хімічних процесів, що протікають на поверхні напівпровідникових оксидів металів, і використання напівпровідникових сенсорів як високочутливих датчиків у фізико-хімічних дослідженнях. Результати більшості цих робіт узагальнені в [1].
У цих дослідженнях використовувалися сенсори унікальних конструкцій, виготовлені в лабораторних умовах в одиничних екземплярах. Паралельно і переважно за кордоном розвивався прикладний напрямок - створення напівпровідникових сенсорів для аналізу газових домішок у повітряних середовищах і розробка промислової технології їх серійного виготовлення [2-3]. Результатом цих робіт став промисловий випуск деяких типів сенсорів. Основними виробниками металооксидних напівпровідникових сенсорів є англійська фірма «City Technology і японська фірма «Figaro Inc».
Найважливіша проблема напівпровідникових сенсорів це низька селективність. Однак їхні переваги - висока чутливість, швидкодія, мініатюрність, невелика вартість при масовому виробництві, - роблять ці сенсори дуже привабливими для використання їх як датчиків газоаналітичних приладів. Що ж до селективності напівпровідникових сенсорів, то з метою її підвищення ведуться активні дослідження, і стосовно до багатьох задач газового аналізу способи вирішення цієї проблеми знайдені [3-4].
Перспективними галузями застосування приладів на базі напівпровідникових сенсорів є визначення в атмосфері, в тому числі тривалий моніторинг, хімічно активних малих газових примісів на станціях спостереження фонового складу атмосфери (в відсутність антропогенних викидів) і контроль якості повітря в районах розміщення промислових підприємств і в житлових зонах. В останні роки все більш широке поширення отримують мобільні станції контролю якості атмосферного повітря, для оснащення яких необхідні недорогі портативні газоаналізатори.
Актуальною є проблема вивчення процесів на поверхні датчика з метою досконало зрозуміти їх природу. Це в свою чергу допоможе покращити їх технічні характеристики. Метою даної роботи є дослідження впливу деяких речовин на ВАХ сенсорних структур на основі гетеропереходу.
1. Методи створення селективних сенсорів
Основним підходом до побудови сенсорних систем, що володіють селективністю, є створення матриць із сенсорів, кожний з який має високу чутливістю до якого-небудь визначеного газу. При цьому реакція елемента сенсорної матриці на «не свій» газ повинна бути мінімальна. Відкалібрувавши кожен сенсор на концентрацію газу, що він повинний «відчувати», можна одержати систему що дозволяє визначати склад газового середовища для суміші визначених компонентів. Такий матричний сенсор буде «відчувати» стільки газів, скільки він має елементів. Одержання високої селективності до заданого газу для кожного елемента теж є не простою задачею. Також необхідно забезпечувати високу стабільність характеристик кожного елемента протягом експлуатації. Тому останнім часом активно розробляються методи пов'язані з матрицями сенсорів що складаються з великого числа (кілька десятків) елементів, що розрізняються за якими-небудь властивостями або параметрами чутливого шару [5-6], при цьому вимога високої селективності окремого елемента до конкретного газу знімається. Подібна сенсорна матриця має унікальний набір опорів майже для будь-яких навколишніх середовищ, що достатньо різняться своїми складами, за рахунок того, що хоча кожен елемент реагує практично на всі гази, його реакція при цьому відрізняється від реакції інших елементів. Конструкція з великим числом сенсорів дозволяє бороти з дрейфом характеристик. Його можна уникнути, якщо враховувати не абсолютні значення опору, а опір віднормований до середнього для всіх елементів матриці.
Для ідентифікації складу газового середовища, що оточує сенсор, сигнали які отримуються при роботі з багатоелементними сенсорами необхідно деяким чином обробляти. Обробка сигналів полягає у встановленні кореляції між сигналом на виході сенсорної системи і складом навколишньої атмосфери.
Альтернативою матричним сенсорам виступають сенсори з температурним програмуванням[7]. Використання температурного програмування, що полягає в циклічній зміні температури чутливого шару сенсора, дозволяє робити селекцію газів за допомогою одного чутливого елемента на основі аналізу його динамічних характеристик. Принцип селекції заснований на тому, що різні гази мають різні швидкості адсорбції, реакції і десорбції на поверхні для кожної температури. Це є причиною того, що при одній і тій же залежності зміни температури сенсора, зміна його опору при різних складах навколишньої газового середовища повинне бути різним. Очевидна перевага описуваного підходу - його гнучкість. Змінюючи залежність температури від часу можна змінювати селективність сенсора до навколишньої газового середовища.
1.1 Механізм роботи газового сенсора
Ефект залежності провідності плівки напівпровідникових оксидів металів від зміни складу навколишньої атмосфери відомий уже більше 40 років. Провідність чутливого шару визначається процесами, що протікають на поверхні, що має досить складну структуру, напівпровідника. Молекули газу, що знаходяться в приповерхньому шарі, можуть взаємодіяти як з різними дефектами на міжзерених границях, так і з дефектами на поверхні, не виключені реакції і між адсорбованими молекулами. Розглянемо схематично процеси, що визначають провідність плівки напівпровідника n-типу, наприклад, на основі SnО2 чи WO3, у кисневмісній атмосфері (рис. 1).
Адсорбовані на поверхні молекули кисню іонізуються, захоплюючи електрони з плівки напівпровідника. Таким чином, приповерхня область збіднюється, що приводить до зниження провідності сенсора. При попаданні в оточуючий сенсор простір газу, що відновлює, відбувається його взаємодія з іонами кисню з наступною десорбцією продуктів реакції. Електрони, що звільнилися, збільшують провідність плівки.
Рис. 1. Дія відновника на досліджувану структуру
Твердотільні напівпровідникові металооксидні сенсори реагують на присутність в атмосфері широкого спектру газів. Вони мають малий час відгуку на зміну концентрації газу при температурі кілька сотень градусів Цельсія і високу чутливість, що дозволяє визначати присутність більшості як неорганічних, так і органічних газів при концентраціях усього декілька ppm. На жаль, розглянуті сенсори мають низьку селективністю до різних газів, по зміні їхнього опору неможливо визначити який газ викликала його, можна сказати лише, що в навколишнім середовищі з'явився відновлювач. Для підвищення селективності можна використовувати два підходи. У першому, диференціація чутливості досягається за допомогою використання матриць сенсорів з різними властивостями і параметрами чуттєвого шару. В другому, за допомогою аналізу динаміки поверхневих реакцій.
1.2 Види адсорбції. Природа адсорбційних сил
Адсорбцію на поверхні твердого тіла розділяють на фізичну та хімічну [9]. До фізичної адсорбції належать адсорбційні взаємодії, в яких молекули адсорбату зберігають свою індивідуальність, а сили, відповідальні за адсорбцію, аналогічні силам Ван-дер-Ваальса у реальних газах. За хімічній адсорбції молекула, що адсорбується, утворює хімічне з'єднання із твердим тілом завдяки силам обмінної взаємодії, що включають тією чи іншою мірою іонну взаємодію. На рис. 1.2 подано адсорбційну криву, що є енергією W системи як функція відстані r між поверхнею адсорбенту й частинкою, що абсорбується. Тут q - теплота адсорбції, що є енергією зв'язку адсорбованої молекули із поверхнею твердого тіла; r0 - відстань між адсорбованою молекулою та поверхнею в стані рівноваги. Хімічна адсорбція [11], на відміну від фізичної, характеризується значно більшим значенням q. Інакше кажучи, за хімічної адсорбції.
Енергія зв'язку q адсорбованої молекули із поверхнею твердого тіла за фізичної адсорбції становить 0,01-0,1 еВ. За хімічної адсорбції ця величина досягає значень 1 еВ. У той самий час хімічна адсорбція, на відміну від фізичної, характеризується значно меншим значенням r0. Таке розділення адсорбційних явищ деякою мірою умовне, оскільки не існує достатньо надійних експериментальних критеріїв, які дозволили б розрізнити обидва види адсорбції.
1.3 Адсорбційна рівновага
Адсорбована молекула (або атом) може залишатися на поверхні твердого тіла скільки завгодно довго, а може - швидко покинути її. Процес випаровування анатомів з поверхні твердого тіла називається процесом десорбції [12]. Він відбувається тим ефективніше, чим вище температура підкладки. Молекула, що потрапила на поверхню, залишатиметься на ній у середньому протягом часу ф, який можна назвати часом адсорбції, що залежить від теплоти адсорбції q або, іншими словами, енергії зв'язку анатома із підкладкою. Зі зростанням теплоти адсорбції зростає й величина ф. Рівняння, що описує зв'язок між часом адсорбції і теплотою адсорбції, має вигляд
ф = ф0 exp (q KT), (1.1)
де T - температура підкладки, ф - стала, пов'язана з наявністю коливань адсорбованої молекули. Перебуваючи на поверхні протягом ф секунд, молекула знаходитиметься на одній і тій самій ділянці значно менший проміжок часу ф? << ф. Явище переміщення адсорбованої молекули поверхнею називається міграцією. За достатньо високих температур цей процес є звичайним явищем за адсорбції. У випадку, якщо адсорбована молекула має необмежену свободою руху поверхнею, величина ф0 = h KT. Якщо на поверхню підкладки сіли N молекул, то вони покинуть її (десорбуються) через час ф. Тоді швидкість десорбції, тобто кількість молекул, що покидають підкладку в одиницю часу, виражатиметься як
(dN dt) дес = N ф. (1.2)
За безперервного потоку молекул, що падають на поверхню, і наявності зворотного потоку десорбованих молекул на поверхні в адсорбованому стані перебуватиме певна рівноважна кількість адатомів, залежна від параметрів, що характеризують прямий і зворотний потоки. Для визначення рівноважної кількості адатомів, адсорбованих на поверхні або рівноважному ступені покриття, потрібно розглянути адсорбційну рівновагу, тобто рівновагу між прямим і зворотним потоками молекул.
Потік падаючих на поверхню молекул можна отримати двома шляхами. Метал, що досліджується, можна помістити в атмосферу пари тієї речовини, плівку якої намагаються отримати на його поверхні. Потік атомів речовини, що падає на поверхню металу, у цьому випадку визначатиметься закономірностями кінетичній теорії газів. Якщо за даної температури балона (ТП), тиск насиченої пари дорівнюватиме РП, то потік атомів або молекул, що поступає на одиницю поверхні підкладки, визначається із співвідношення
(1.3)
де n - концентрація молекул пари; m - маса молекули пари; K - стала Больцмана; v - середня швидкість молекули.
Плівку адсорбованих атомів на поверхні можна також отримати, направляючи на поверхню молекулярний (або атомарний) пучок цієї речовини із спеціального джерела - молекулярної гармати. Будова молекулярної гармати може бути різною.
сенсор провідність адсорбція атмосфера
1.4 Гетероперехід
Гетеропереходи утворюються внаслідок контакту двох різних (за фізичними властивостями) напівпровідників. Їх можна отримати шляхом нарощування шару одного напівпровідника на шар іншого, який називається підкладинкою. Таке нарощування, без порушення монокристалічної структури, можливе не для будь-якої пари напівпровідників, так як для цього необхідно дотримуватися певного співвідношення між сталими кристалічних ґраток. В залежності від наявних домішок обидва напівпровідники можуть мати як однаковий тип провідності (ізотипні), так і різний (анізотипні) [9].
При розгляді реальних гетеропереходів важливим є врахування появи локальних рівнів енергії для електронів на границі. Такі рівні утворюються в усіх випадках, коли порушується періодичність потенціалу ґратки. Це має місце, наприклад, на границі гетеропереходу внаслідок неоднаковості кристалічних ґраток обох напівпровідників. Завдяки наявності поверхневих рівнів стають можливими додаткові електронні переходи в гетероструктурі [10].
2. Методика експерименту
2.1 Установка для вимірювання вольт-амперних характеристик сенсора
Повна схема установки, що використовувалась для вимірювань вольт-амперних характеристик. За допомогою цієї установки можливо виміряти зміну величини струму при постійній напрузі з зовнішнім освітленням та без для різних сенсорних структур. Вона складається з блоку зміщення, блоку розгортки (межі розгортки від -2,7В до 0,5В) та зовнішнього блоку, камери, в якій містяться сенсорні структури. Останній складається з мікрогвинтів, на кожному з яких закріплений зонд (золота дротина з діаметром контакту 0,5 мм) та алюмінієвої підкладинки. Блок щільно закривається кришкою, що дає змогу утримувати в середині ного однорідне газове середовище. Для вимірювання напруги та струму використовувалися два цифрові мультиметри UT70B фірми UNI-T, дані з яких за допомогою COM-портів передаються на комп'ютер, де реєструються програмним забезпеченням.
2.2 Методика проведення експерименту
Вимірювання ВАХ зразків проводились у різних оточуючих газових середовищах - лабораторній атмосфері та в атмосфері насичених парів нашатирного і етилового спиртів та ацетону, що досягались внесенням під кришку вимірювальної установки вати змоченої відповідною рідиною. Час повного насичення для кожної з речовин тривав 15-20 хв. Стабілізація температури не використовувалась.
Вимірювання ВАХ проводились в темноті. Для цього використовували абсолютно чорне тіло, що покривало газову камеру. Також проводились вимірювання ВАХ при освітленні зразків настільною лампою потужністю 60 Ватт, відстань від лампи до зразка складала 25 см.
2.3 Експериментальний зразок
Використані в даній роботі зразки є p-n-гетероструктурами, які складаються з p-кремнієвої пластини, що використовується як p-напівпровідник, та тонкої плівки з суміші оксидів олова і індію, яка є n-напівпровідником. Омічні контакти були виготовлені з алюмінію і нікелю, алюміній наносився методом термічного випаровування, мішень бомбардувалась електронами, нікель наносився методом магнетронного напорошення через маску.
Размещено на http://www.allbest.ru/
Схематичне зображення експериментального зразка
2.4 Дослідження впливу газового середовища на вольт-амперні характеристики
Були отримані вольт-амперні характеристики тонких плівок In2O3+5% SnO2 товщиною 6 нм та 12 нм в різних газових середовищах - лабораторній атмосфері та в присутності насичених парів нашатирного і етилового спиртів та ацетону. В таблиці Табл. 1. подані значення деяких параметрів речовин, що використовувались у вимірюваннях.
Табл. 1. Деякі параметри речовин.
|
Речовина |
Формула |
Тиск насичених парів, мм. рт. ст. |
Дипольний момент, Д |
Діелектрична проникність |
|
|
Аміак |
NH3 |
440 |
1,46 |
17 |
|
|
Етиловий спирт |
С2Н5ОН |
44 |
1,7 |
27 |
|
|
Ацетон |
(CH3)2CO. |
179 |
2,8 |
21,4 |
В процесі проведення ексмерементів було виявлено, що чутливість плівок знижується із-за адсорбату, що концентрується на поверхні і для очистки сенсору від цього шару використовувалась кварцева лампа: відстань до зразків складала 5 см, час опромінення - одна година.
Після очистки сенсорів були проведені повторні дослідження ВАХ при тих же газових середовищах, отримані результати представлені на графіках.
Повітря
При дослідженні плівок товщиною 6 нм та 12 нм після опромінення кварцевою лампою спостерігалось збільшення чутливості до зміни напруги для від'ємної гілки при освітленні та без нього в повітрі.
ВАХ плівки 6 нм при атмосфері
ВАХ плівки товщиною 6 нм при освітленні та без нього, до і після опромінення.
ВАХ плівки 12 нм при атмосфері
ВАХ плівки товщиною 12 нм при освітленні та без нього, до і після опромінення
З даних графіків чітко видно, що спостерігається збільшення чутливості до зміни напруги для від'ємної гілки при освітленні та без нього в повітрі. Це пояснюється тим, що певна частина адсорбованих молекул після процесів десорбції залишається на поверхні сенсора, і тим самим знижує його чутливість до того чи іншого газу
ВАХ плівки товщиною 6 нм і 12 нм при освітленні, до і після опромінення
ВАХ плівок при атмосфері без освітлення
ВАХ плівки товщиною 6 нм і 12 нм за відсутності освітлення до і після опромінення
Отже, проаналізувавши дані графіки, можна сказати, що найбільш чутливою до зміни струму (одному й тому ж приросту напруги відповідає більший приріст струму) плівкою при освітленні є плівка товщино 6 нм опромінена кварцовою лампою. А за відсутності освітлення - плівка товщино 12 нм опромінена кварцовою лампою.
Вплив парів етилового спирту
Етиловий спирт - це сильна психоактивна речовина і один з найстаріших наркотиків, протоплазматична отрута; головна діюча складова алкогольних напоїв, які зазвичай виготовляються збродженням здатних до ферментації вуглеводів. безбарвна рідина із слабким «алкогольним» запахом. Етиловий спирт є гарним розчинником для багатьох органічних, а також неорганічних речовин.
Молекулярна формула етилового спирту C2H6O, або C2H5-OH.:
ВАХ плівки 6 нм насиченої парами етилового спирту
ВАХ плівки товщиною 6 нм насичена парами етилового спирту при освітленні та без нього, до і після опромінення
Плівки товщиною 6 нм та12нм при насиченні парами етилового спирту мали покращення від'ємної гілки при освітленні та мали незначні зміни при відсутності освітлення, на плівках товщиною 12 нм цей ефект більш сильніше виражений. Найбільш чутливою плівкою до етилового спирту при наявності освітлення є плівка товщиною 6 нм після опромінення кварцовою лампою. Найбільш чутливою плівкою до етилового спирту за відсутності освітлення - плівка товщиною 12 нм опромінена кварцовою лампою.
Вплив парів аміаку (нашатирного спирту)
Аміак - неорганічна сполука, безбарвний газ із різким задушливим запахом, легший за повітря, добре розчинний у воді. Одержують каталітичним синтезом з азоту і водню під тиском. Використовують переважно для виробництва азотних добрив, вибухових речовин і азотної кислоти. У досліді використовувався 10% водний розчин аміаку (нашатирний спирт).
Молекулярна формула аміаку - NH3
ВАХ плівки 6 нм насиченої парами аміаку
ВАХ плівки товщиною 6 нм при освітленні та без нього до і після опромінення. Аміак
ВАХ плівки 12 нм насиченої парами
ВАХ плівки товщиною 12 нм при освітленні та без нього, до і після опромінення. Аміак
Проведено порівняння ВАХ обох плівок при освітлення та без нього до і після опромінення.
ВАХ плівок насичені парами аміаку з освітленням
ВАХ плівки товщиною 6 нм і 12 нм при освітленні до і після опромінення. Аміак.
ВАХ плівок насичені парами аміаку без освітлення
ВАХ плівки товщиною 6 нм і 12 нм за відсутності освітленні до і після опромінення. Аміак
При насиченні парами аміаку зразок товщиною 6 нм залишився практично незмінним відносно випромінення кварцовою лампою, тільки темнова гілка мала відносне погіршення при додатній ВАХ. Плівка товщиною 12 нм мала незначне покращення від'ємної гілки ВАХ.
Вплив парів ацетону
Ацетон - безбарвна летка рідина з характерним запахом. Необмежено змішується з водою та полярними органічними розчинниками, також в обмежених пропорціях змішується з неполярними розчинниками. Ацетон є цінним промисловим розчинником і завдяки невеликій токсичності він отримав широке застосування при виробництві лаків, вибухових речовин, лікарських засобів. Він є вихідною сировиною в численних хімічних синтезах.
Молекулярна формула - (CH3)2CO.
ВАХ плівок насичені парами ацетону за відсутності освітлення
ВАХ плівок насичені парами ацетону за відсутності освітлення
ВАХ плівок насичені парами ацетону при освітленні
Були проведені дослідження вольт-амперних характеристик плівок товщиною 6 нм і 12 нм при різних газових умовах та проведено порівняння з даними після опромінення кварцевою лампою. Порядок вимірювання зберігся і у звіті. Можна побачити, що було покращення після опромінення, але видно, що з кожним газовим середовищем покращення зменшувались, поки не досягли тих самих результатів. Це пояснюється тим, що кварцева лампа очистила зразки, які згодом адсорбували на своїй поверхні домішкі, які згодом повернули зразки у той самий стан, що і був до опромінення.
ВАХ плівок насичені парами ацетону при освітленні
ВАХ при світловому і темновому до і після опромінювання, при світлому найкращими були зразки товщиною 6 нм після опромінювання, але при кожній наступній газовій умові ці покращення зменшувались, що пояснюється адсорбцієй газів на поверхні зразкі. При темновому найкращими виявилися зразки товщиною 12 нм, але як і у ситуації з 6 нм покращення зменшувались, поки не порівнялись.
Перелік посилань
1. Мясников И.А., Сухарев В..Я., Куприянов Л.Ю., Зав'ялов С.А., Полупроводниковые сенсоры в физико-химических исследованиях. М: Наука. 1991, с. 327
2. Рембеза С.И., Просвирин Д.В., Викин О.Г., Викин Г.А., Буслов В.А., Куликов Д.Ю. Сенсор, 2004, №1, c. 20-28.
3. Williams D.E. Sensors and Actuators B, 1999, v. 57, p. 1-16.
4. Обвинцева Л.А., Губанова Д.П.Ж. аналит. химии, 2004, №8, т. 59, с. 876
5. P. Althainz, J. Goschnic, S. Ehrmann, H.J. Ache, A gas sensor system based on conductivity measurements with segmented metal oxide films to be used in mass products. Інтернет адреса: http://irchsurf5.fzk.de/mox-sensors/Information/InfoArticle_ENG.htm
6. Lanwai Wong, Toshikazu Takemori, and M.W. Siegel, «Gas Identification System using Graded Temperature Sensor and Neural Net Interpretation», Carnegie Mellon University Technical Report CMU-RI-TR-20-89 (1997). Інтернет адреса: http://www.ri.cmu.edu/pub_files/pub1/wong_l_1989_1/wong_l_1989_1.pdf
7. Cavicchi, R.E., Temperature Programmed Sensing, Інтернет адреса: http://www.cstl.nist.gov/div836/836.04/SensorProj/TempProg.html
8. Бомк О.Й., Газова чутливість поверхнево - бар'єрних структур на основі кремнію, арсеніду галію та сульфіду кадмію з надтонкими плівками титану та нікелю. Дисертація на здобуття вченого ступеня кандидата фізико-математичних наук. - К.2000.
9. Волькенштейн Ф.Ф. Физико-химия поверхности полупроводников. Наука - М:, 1973. - 399 с.
10. Пека Г.П., Стріха В.І. Поверхневі та контактні явища у напівпровідниках. Либідь, - К. 1992. 164 с.
11. Трэпнелл. Хемосорбция. - М.: Наука, 1964.
12. Добрецов Л.Н., Гомоюнова М.В. Эмиссионная электроника. - М.: Наука, 1966.
Размещено на Allbest.ru
Подобные документы
Класифікація планарних оптичних хвилеводів. Особливості роботи з хлороформом. Методи вимірювання показника заломлення оптичного хвилеводу. Спектрофотометричні методи вимірювання тонких плівок. Установка для вимірювання товщини тонкоплівкового хвилеводу.
дипломная работа [2,2 M], добавлен 29.04.2013Види магнітооптичних ефектів Керра. Особливості структурно-фазового стану одношарових плівок. Розмірні залежності магнітоопіру від товщини немагнітного прошарку. Дослідження кристалічної структури методом електронної мікроскопії та дифузійних процесів.
контрольная работа [1,5 M], добавлен 19.04.2016Основні властивості неупорядкованих систем (кристалічних бінарних напівпровідникових сполук). Характер взаємодії компонентів, її вплив на зонні параметри та кристалічну структуру сплавів. Електропровідність і ефект Холла. Аналіз механізмів розсіювання.
реферат [558,1 K], добавлен 07.02.2014Природа і спектральний склад сонячного світла, характер його прямого та непрямого енергетичного перетворення. Типи сонячних елементів на основі напівпровідникових матеріалів. Моделювання електричних характеристик сонячного елемента на основі кремнію.
курсовая работа [2,3 M], добавлен 17.06.2014Класифікація та методи вимірювання. Термодинамічні величини. Термодинамічна температура. Температурний градієнт. Температурний коефіцієнт відносної зміни фізичної величини. Теплота, кількість теплоти. Тепловий потік. Коефіцієнт теплообміну. Ентропія.
реферат [65,6 K], добавлен 19.06.2008Дослідження зміни об’єму повної маси газу (стала температура) із зміною тиску, встановлення співвідношення між ними. Визначення модуля пружності гуми. Порівняння молярних теплоємкостей металів. Питома теплоємкість речовини. Молярна теплоємкість речовини.
лабораторная работа [87,2 K], добавлен 21.02.2009Контактні методи вимірювання температури полум’я та особливості їх застосування. Метод абсолютної та відносних інтенсивностей спектральних ліній. Безконтактні методи вимірювання температури полум’я. Визначення "обертальної" та "коливальної" температури.
курсовая работа [247,0 K], добавлен 04.05.2011Поширення світла в ізотопних середовищах. Особливості ефекту відбивання світла. Аналіз сутності ефекту Доплера - зміни частоти і довжини хвиль, які реєструються приймачем і викликані рухом їх джерела і рухом приймача. Ефект Доплера в акустиці та оптиці.
реферат [423,0 K], добавлен 07.12.2010Класифікація напівпровідникових матеріалів: германія, селену, карбіду кремнію, окисних, склоподібних та органічних напівпровідників. Електрофізичні властивості та зонна структура напівпровідникових сплавів. Методи виробництва кремній-германієвих сплавів.
курсовая работа [455,9 K], добавлен 17.01.2011Некристалічні напівпровідникові халькогеніди застосовуються в системах реєстрації, збереження й обробки оптичної інформації. При взаємодії світла з ними в них відбуваються фотостимульовані перетворення, які приводять до зміни показника заломлення.
курсовая работа [410,3 K], добавлен 17.12.2008
