Электрофизические свойства ультратонких плёнок кремния на изоляторе, сформированных методом ионной имплантации и водородного переноса
Механизм анодного окисления кремния. Влияние толщины пленки, сформированной методом ионной имплантации и водородного переноса, на ее электрофизические свойства. Электрофизические свойства структур "кремний на изоляторе" в условиях анодного окисления.
| Рубрика | Физика и энергетика |
| Вид | дипломная работа |
| Язык | русский |
| Дата добавления | 29.09.2013 |
| Размер файла | 327,8 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
16. Попов В.П., Антонова А.И., Французов А.А., Сафронов Л.Н., Феофанов Г.Н., Наумова О.В., Киланов Д.В. Свойства структур и приборов на кремний на изоляторе. Физика и техника полупроводников. Том 35. Вып. 9. Стр 1075-1083.
17. И.Е. Тысченко, М. Фёльсков, А.Г. Черков, В.П. Попов. Поведение германия, имплантированного в SiO2 вблизи границы сращивания структуры кремний на изоляторе. Физика и техника полупроводников. Том 41. Вып. 3. Стр 301-306.
18. А.В. Ржанов, К.К. Свиташев, А.И. Семененко, А.В. Семененко, В.К. Соколов, Основы эллипсометрии, «Наука», Новосибирск, 1979.
19. М.И. Абаев «Метод эллипсометрического анализа неоднородных и многослойных структур», в сборнике: «Эллипсометрия - метод исследования поверхности», «Наука», Новосибирск, 1983г., с 7-9 (под редакцией А.В. Ржанова).
20 P.W. Li, W.M. Liao, S.W. Lin, P.S. Chen, S.C. Lu, and M.-J. Tsai, Formation of atomic-scale germanium quantum dots by selective oxidation of SiGe/Si-on-insulation, Appl. Phys. Lett.,V 83, №22, P 4628-4630.
Размещено на Allbest.ru
Подобные документы
Общее понятие и особенности ионной имплантации. Структура и свойства имплантированных слоев. Физические основы метода. Влияние энергии ионов на процессы энергообмена при их столкновении с атомами мишени. Преимущества процесса ионной имплантации.
реферат [61,4 K], добавлен 19.01.2011Исследование направлений использования метода ионного легирования углеродных наноструктур. Характеристика ионной имплантации и её применения в технологии СБИС. Расчет профиля распределения примеси при ионной имплантации бора различных энергий в кремний.
реферат [556,8 K], добавлен 18.05.2011Электрофизические свойства полупроводников. Структура полупроводниковых кристаллов. Элементы зонной теории твердого тела. Микроструктурные исследования влияния электронного облучения на электрофизические характеристики полупроводниковых приборов.
курсовая работа [1,0 M], добавлен 18.09.2015Электрофизические свойства полупроводников. Значение механических и электрических свойств материалов микропроцессора. Параметры работы микропроцессора. Выращивание диоксида кремния и создание проводящих областей. Тестирование, изготовление корпуса.
презентация [80,1 K], добавлен 30.04.2015Возможность формирования различных структур в стандартных пластинах монокристаллического кремния с использованием дефектов, создаваемых имплантацией водорода или гелия. Поперечная проводимость сформированных структур. Системы нанотрубок в кремнии.
реферат [6,4 M], добавлен 25.06.2010Дифракция быстрых электронов на отражение как метод анализа структуры поверхности пленок в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии. Анализ температурной зависимости толщины пленки кремния и германия на слабо разориентированой поверхности кремния.
курсовая работа [1,0 M], добавлен 07.06.2011Значение и использование монокристаллического кремния при производстве солнечных элементов повышенной эффективности. Природа и механизм возникновения дефектов для пар железо-бор в составе элементов при различных условиях эксплуатации и освещения.
реферат [104,0 K], добавлен 23.10.2012Кристаллическая структура и полупроводниковые свойства карбида кремния и нитрида алюминия. Люминесцентные свойства SiC и твердых растворов (SiC)1-x(AlN)x. Технологическая установка для выращивания растворов. Электронный микроскоп-микроанализатор ЭММА-2.
дипломная работа [175,9 K], добавлен 09.09.2012Создание технических средств метрологического обеспечения контроля качества полупроводниковых материалов. Анализ установки по измерению удельного электрического сопротивления четырехзондовым методом. Измерение сопротивления кремния монокристаллического.
дипломная работа [1,2 M], добавлен 24.07.2012Процессы высокотемпературного окисления металлов. Высокотемпературное окисление вольфрама. Изучение нестационарного тепломассообмена и кинетики окисления вольфрамового проводника. Устойчивые и критические режимы окисления вольфрамового проводника.
курсовая работа [3,4 M], добавлен 28.03.2008
