Ab initio розрахунки динаміки гратки сегнетоелектриків Sn2P2S6
Структура і фізичні властивості кристалів Sn2P2S6: кристалічна структура, симетрійний аналіз, густина фононних станів і термодинамічні функції. Теорія функціоналу густини, наближення теорії псевдо потенціалів. Рівноважна геометрична структура кристалів.
| Рубрика | Физика и энергетика |
| Вид | дипломная работа |
| Язык | украинский |
| Дата добавления | 25.10.2011 |
| Размер файла | 848,2 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
23. URL http://www.abinit.org
24. Goedecker S. Fast radix 2, 3, 4 and 5 kernelsfor Fast Fourier Transformations on computers with overlapping multiply-addinstructions // SIAM Journal on ScientificComputing. - 1997. - V.18. - P.1605-1610
25. Payne M.C., Teter M.P., Allan D.C., Arias T.A., Joannopoulos J.D. Iterative minimization techniques for ab initio total-energy calculations: molecular dynamics and conjugate gradients // Rev.Mod. Phys. - 1992. - V.64. - Issue 4. - P.1045-1097.
26. Gonze X. First-principle responses of solids to atomic displacements and homogeneous electric fields: implementation of a conjugate-gradient algorithm.//Phys. Rev B. - 1997. - V.55. - Issue 16. - P.10337-10354.
27. Troullier N., Martins J.L. Efficient pseudopotentials for plane-wave calculations. II. Operators for fast iterative diagonalization.// Phys. Rev. B.- 1991. - V.43. - Issue 11. - P.8861-8869
28. Monkhorst H.J., Pack J.D. Special points for Brillouin-zone integrations // Phys. Rev. B. - 1976. - V.13. - Issue 12. - P.5188-5192
29. Schlegel H.B. Optimization of equilibrium geometries and transition structures // J. Comp. Chem. - 1982. - V.3. - Issue 2. - P.214-218.
30. Ворошилов Ю.В., Сливка В.Ю. Анок- сидные материалы для электронной техники. Львов. - 1989. - 200 с.
31. Dittmar G., Shafer H. Die Struktur des Di- Zinn-Hexathiodiphosphates Sn2P2S6 // Z. Naturforsch. - 1974. - V.29b. - № 5-6. - S. 312-317.
32. Ворошилов Ю.В., Поторий М.В., Сей- ковская Л.А. и др. Кристаллическая структура Sn2P2S6// Кристаллография. - 1988. - Т.33. - Вып.5. - С. 1282-1283.
33. О.І. Чобаль, І.М. Різак, В.М. Різак DFT-РОЗРАХУНКИ ПРОСТОРОВОЇ ТА ЕЛЕКТРОННОЇ СТРУКТУРИ КРИСТАЛІВ Sn2Р2S6 В ПАРА- ТА СЕГНЕТОФАЗАХ // Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика. Випуск 22. - 2008.
34. Ю. М. Высочанский, В. Ю. Сливка Сегнетоєлектрики Сімейства Sn2P2S6 Свойства в Окрестности Точки Лифшица Львов. - 1994. - 261 с.
35. Metropolis N., Rosenbluth A.W., Rosenbluth M.N., Teller A.N., Teller E. Equation of State Calculations by Fast Computing Machines //J. Chem. Phys. - 1953. - V. 21. - P. 1087-1092.
36. Ceperley D.N. Microscopic simulations in physics //Rev. Mod. Phys. - 1999. - V. 71. - P. S438-S443.
37. Allen M.P., Tildesley D.J. Computer Simulation of Liquids. Oxford: Clarendon Press, 1989. - 389 p.
38. Martonak R., Molteni C., Parrinello M. Ab Initio molecular dynamics with a classical pressure reservoir: simulation of pressureinduced amorphization in a Si35H36 cluster //Phys. Rev. Lett. - 2000. - V. 84. - P. 682-685.
Размещено на Allbest.ru
Подобные документы
Способи вирощування кристалів. Теорія зростання кристалів. Механічні властивості кристалів. Вузли, кристалічні решітки. Внутрішня будова кристалів. Міцність при розтягуванні. Зростання сніжних кристалів на землі. Виготовлення прикрас і ювелірних виробів.
реферат [64,9 K], добавлен 10.05.2012Функціонал електронної густини Кона-Шема. Локальне та градієнтне наближення для обмінно-кореляційної взаємодії. Одержання та застосування квантово-розмірних структур. Модель квантової ями на основі GaAs/AlAs. Розрахунки енергетичних станів фулерену С60.
магистерская работа [4,6 M], добавлен 01.10.2011Моделі структур в халькогенідах кадмію і цинку. Характеристика областей існування структур сфалериту і в’юрциту. Кристалічна структура і антиструктура в телуриді кадмію. Кристалоквазіхімічний аналіз. Процеси легування. Утворення твердих розчинів.
дипломная работа [703,8 K], добавлен 14.08.2008Кристалічна структура та фононний спектр шаруватих кристалів. Формування екситонних станів у кристалах. Безструмові збудження електронної системи. Екситони Френкеля та Ваньє-Мотта. Екситон - фононна взаємодія. Екситонний спектр в шаруватих кристалах.
курсовая работа [914,3 K], добавлен 15.05.2015Характеристика основних властивостей рідких кристалів. Опис фізичних властивостей, методів вивчення структури рідких кристалів. Дослідження структури ліотропних рідких кристалів та видів термотропних.
курсовая работа [1,6 M], добавлен 17.06.2010Комбінаційне і мандельштам-бріллюенівське розсіювання світла. Властивості складних фосфорвмісних халькогенідів. Кристалічна будова, фазові діаграми, пружні властивості. Фазові переходи, пружні властивості, елементи акустики в діелектричних кристалах.
курсовая работа [1,6 M], добавлен 25.10.2011Природа електронних процесів, що відбуваються при високоенергетичному збудженні і активації шаруватих кристалів CdI2. Дослідження спектрів збудження люмінесценції і світіння номінально чистих і легованих атомами металів свинцю кристалів йодистого кадмію.
курсовая работа [666,8 K], добавлен 16.05.2012Розгляд сегнетоелектриків як діелектриків, що відрізняються нелінійною залежністю поляризації від напруженості поля; їх лінійні і нелінійні властивості. Характеристика основних груп сегнетоелектриків і антисегнетоелектриків: киснево-октаедричні і водневі.
курсовая работа [6,5 M], добавлен 12.09.2012Впорядкованість будови кристалічних твердих тіл і пов'язана з цим анізотропія їх властивостей зумовили широке застосування кристалів в науці і техніці. Квантова теорія твердих тіл. Наближення Ейнштейна і Дебая. Нормальні процеси і процеси перебросу.
курсовая работа [4,3 M], добавлен 04.01.2010Кристалічна структура води, її структурований стан та можливість відображати нашу свідомість. Види і характеристики води в її різних фізичних станах. Досвід цілющого впливу омагніченої води. Графіки її початкового й кінцевого потенціалів за зміною в часі.
курсовая работа [1,6 M], добавлен 26.03.2014
