Главная База знаний "Allbest" Физика и энергетика Построение зонной структуры по заданным направлениям в зоне Брюллюэна

Построение зонной структуры по заданным направлениям в зоне Брюллюэна

Особенности определения зонной структуры по заданным направлениям в зоне Брюллюэна. Определение на ней положения примесных акцепторных состояний EA и значений эффективных масс. Составление блока численных значений для основных параметров полупроводников.

Рубрика Физика и энергетика
Вид контрольная работа
Язык русский
Дата добавления 23.12.2009
Размер файла 126,1 K

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.

7

Домашняя работа

Построение зонной структуры по заданным направлениям

в зоне Брюллюэна

Выполнил:

Гумбатов К.C.

Москва 2008

I. Содержание задания №1

Построить зонную структуру по заданным направлениям в зоне Брюллюэна E(k) вблизи энергий Ev max и Ec min. Указать на ней положение примесных акцепторных состояний EA и значения эффективных масс для основных носителей заряда mp*.

Составить блок численных значений для основных параметров полупроводников:

1. Непрямозонный, число долин

,

,

,

; (компоненты тензора и значение )

; (для разных подзон и значений )

и

и

II. Расчетная часть

1. Расчет температур:

а) для :

,

б) для :

,

Таблица 1. Построение графика

10^3/T

T

n

ln n

Ec-F

105

9,52

1,9E+14

32,86

4,7E-03

100

10,00

2,2E+14

33,01

4,9E-03

95

10,53

1,0E+15

34,54

3,8E-03

90

11,11

1,0E+15

34,54

4,1E-03

85

11,76

1,0E+15

34,54

4,5E-03

80

12,50

1,0E+15

34,54

4,8E-03

75

13,33

1,0E+15

34,54

5,3E-03

70

14,29

1,0E+15

34,54

5,8E-03

65

15,38

1,0E+15

34,54

6,4E-03

60

16,67

1,0E+15

34,54

7,1E-03

55

18,18

1,0E+15

34,54

7,9E-03

50

20,00

1,0E+15

34,54

8,9E-03

45

22,22

1,0E+15

34,54

1,0E-02

40

25,00

1,0E+15

34,54

1,2E-02

35

28,57

1,0E+15

34,54

1,4E-02

30

33,33

1,0E+15

34,54

1,7E-02

25

40,00

1,0E+15

34,54

2,1E-02

20

50,00

1,0E+15

34,54

2,8E-02

15

66,67

1,0E+15

34,54

4,0E-02

10

100,00

1,0E+15

34,54

6,6E-02

9

111,11

1,0E+15

34,54

7,4E-02

8

125,00

1,0E+15

34,54

8,6E-02

7

142,86

1,0E+15

34,54

1,0E-01

6

166,67

1,0E+15

34,54

1,2E-01

5

200,00

1,0E+15

34,54

1,5E-01

4

250,00

1,0E+15

34,54

1,9E-01

3

333,33

1,0E+15

34,54

2,7E-01

2

500,00

1,0E+15

34,56

4,3E-01

1,5

666,67

8,9E+15

36,72

4,7E-01

3. Выбор расчетной формулы:

полупроводник невырожденный

4. Построение графика

а) Для области №1:

Для области №2 (плато):

Для области №3:

б)

в)

г)

д)

Таблица 2.

T

F

Ec

Ed

Eg(T)

Ei(T)

9,52

0,99

1,00

0,990

0,22

0,61

10,00

0,99

1,00

0,990

0,22

0,61

10,53

0,99

1,00

0,990

0,22

0,61

11,11

0,99

1,00

0,990

0,22

0,61

11,76

0,99

1,00

0,990

0,22

0,61

12,50

0,99

1,00

0,990

0,22

0,61

13,33

0,99

1,00

0,990

0,22

0,61

14,29

0,99

1,00

0,990

0,22

0,61

15,38

0,99

1,00

0,990

0,22

0,61

16,67

0,99

1,00

0,990

0,22

0,61

18,18

0,99

1,00

0,990

0,22

0,61

20,00

0,99

1,00

0,990

0,22

0,61

22,22

0,99

1,00

0,990

0,22

0,61

25,00

0,99

1,00

0,990

0,23

0,61

28,57

0,99

1,00

0,990

0,23

0,61

33,33

0,99

1,00

0,990

0,23

0,61

40,00

0,98

1,00

0,990

0,23

0,62

50,00

0,98

1,00

0,990

0,24

0,62

66,67

0,97

1,00

0,990

0,24

0,62

100,00

0,96

1,00

0,990

0,26

0,63

111,11

0,95

1,00

0,990

0,26

0,63

125,00

0,95

1,00

0,990

0,27

0,63

142,86

0,94

1,00

0,990

0,28

0,64

166,67

0,93

1,00

0,990

0,29

0,64

200,00

0,91

1,00

0,990

0,30

0,65

250,00

0,89

1,00

0,990

0,32

0,66

333,33

0,85

1,00

0,990

0,36

0,68

500,00

0,70

1,00

0,990

0,43

0,71

666,67

0,73

1,00

0,990

0,50

0,75

Подобные документы

  • Расчет температурных зависимостей электрофизических параметров полупроводников

    Классификация веществ по электропроводности. Расчёт эффективной массы плотности состояний электронов в зоне проводимости и дырок в валентной зоне, концентраций свободных носителей заряда. Определение зависимости энергии уровня Ферми от температуры.

    курсовая работа [913,5 K], добавлен 14.02.2013

  • Зонная теория

    Главные приближения, лежащие в основе зонной теории. Кристаллическая решетка полупроводника, его энергетические уровни. Наличие электронов в зоне проводимости или наличие вакантных мест в валентной зоне, необходимое для возникновения электропроводности.

    реферат [306,5 K], добавлен 30.06.2015

  • Исследование электрофизических свойств полупроводниковых материалов

    Основы и содержание зонной теории твердого тела. Энергетические зоны полупроводников, их типы: собственные и примесные. Генерация и рекомбинация носителей заряда. Исследование температурной зависимости электрического сопротивления полупроводников.

    курсовая работа [1,8 M], добавлен 09.06.2015

  • Плоская электромагнитная волна

    Определение параметров плоской электромагнитной волны: диэлектрической проницаемости, длины, фазовой скорости и сопротивления. Определение комплексных и мгновенных значений векторов. Построение графиков зависимостей мгновенных значений и АЧХ волны.

    контрольная работа [103,0 K], добавлен 07.02.2011

  • Основы зонной теории твердого тела

    Описание зонной теории твердого тела. Трансляционная симметрия в кристаллах. Потенциальная яма. Освобождение электрона. Обобществление валентных электронов в кристалле. Потенциальные ямы в кристалле. Зонная структура кристалла. Свободный электронный газ.

    презентация [3,1 M], добавлен 03.04.2019

  • Некоторые вопросы физики полупроводников

    Энергетические зоны в полупроводниках. Энергетическая диаграмма процесса переноса электрона с энергетического уровня в зону проводимости. Пример внедрения трехвалентного атома в решетку кремния. Эффективная плотность состояний в зоне проводимости.

    реферат [730,0 K], добавлен 26.08.2015

  • Влияние температуры на концентрацию триплетных молекул в твердых растворах при сенсибилизированном возбуждении

    Тушение возбужденных состояний примесных молекул в твердых растворах органических соединений. Особенности температурной зависимости параметров сенсибилизированной фосфоресценции примесных молекул в замороженных н-парафинах.

    диссертация [410,5 K], добавлен 13.03.2007

  • Зависимость ширины запрещенной зоны в кремнии от температуры

    Применение полупроводникового кремния. Характерные значения и методы определения ширины запрещенной зоны в полупроводниках, ее зависимость от температуры в кремнии. Экспериментальные и теоретические методы исследования зонной структуры твердых тел.

    контрольная работа [301,6 K], добавлен 11.02.2014

  • Исследование влияния изменения параметров и структуры ПТС ПТУ с турбиной типа ПТ-145–130 на показатели тепловой экономичности

    Принципиальная тепловая схема энергетического блока. Определение давлений пара в отборах турбины. Составление сводной таблицы параметров пара и воды. Расчет схем отпуска теплоты. Показатели тепловой экономичности блока при работе в базовом режиме.

    курсовая работа [1,9 M], добавлен 26.12.2010

  • Кинематический анализ манипулятора

    Моделирование манипулятора на электронно-вычислительных машинах. Определение параметров положения звеньев, средних значений относительных скоростей соседних звеньев в кинематических парах. Графоаналитический метод планов. Построение плана ускорений.

    контрольная работа [484,8 K], добавлен 18.04.2015

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.

© 2000 — 2025, ООО «Олбест» Все наилучшее для вас