Розробка кремнієвого чотириелементного безкорпусного фотодіода, призначеного для комплектації систем орієнтації по лазерному світловому зонду

Размещено на http://www.allbest.ru/

1

Размещено на http://www.allbest.ru/

1 - ФД (кристал на пластині), що випробовується, з металізованими контактними площадками; 2 - зонд (голка); 3 - металізована (контактнна) пластина; 4 - ізоляційна пластина; 5 - координатний столик.

Рисунок 3.1.1 - Зондовий пристрій з досліджуваним ФД (кристалом)

Вимірювальні прилади, що застосовувались бути повірені у встановленому порядку.

3.2 Вимірювання темнового струму та дослідження вольт-амперниххарактеристик ФД

Контроль темнового струму ФЧЕ I_т здійснювався за ГОСТ 17772 методом вимірювання напруги на виході перетворювача «струм-напруга» при робочій напрузі рівній 10 В на ФД.

Вимірювання темнового струму здійснювалось на установці, блок-схема якої наведена на рисунку 3.2.1, при температурі (20±2) ^оС. При вимірюванні темнового струму забезпечувалась відсутність будь-якого освітлення ФЧЕ ФД, для чого використовувався світлонепроникний екран.

Вольтметром 5 вимірювалась величина напруги на виході перетворювача «струм-напруга».

Размещено на http://www.allbest.ru/

1

Размещено на http://www.allbest.ru/

1 - кристал на зондовому пристрої під світлонепроникним екраном; 2, 3 - блоки живлення Б5-43, Б5-44; 4 - перетворювач «струм-напруга» АДБ7.0243.00.00; 5 - вольтметр В7-21; 6 - камера тепла і холоду АДБ7.0002.00.00.

Рисунок 3.2.1 - Блок-схема вимірювання темнового струму та зняття вольт-амперної характеристики ФД

Величину темнового струму ФЧЕ ФД I_т, А, розраховувалась за формулою

I_т = k · U, (3.2.1)

де U - спад напруга, виміряна вольметром 5, В;

k - коефіцієнт перетворення, А/В.

Похибка вимірювання темнового струму не перевищувала 2,5%.

Типові значення темнового струму при робочій напрузі та температурі (20±2) ^оС були приблизно рівні 10 нА, а при температурі (60±2) ^оС - менше 200 нА.

Вольт-амперні характеристики (залежності темнового струму від напруги) знімались на установці згідно рис. 3.2.1 при температурах (20±2) ^оС та (60±2) ^оС. В діапазоні напруг 0,01 - 0,1 В використовувався блок живлення Б5-43, а в діапазоні більше 0,1 В-блок живлення Б5-44.

Типові вольт-амперні характеристики ФД, побудовані в подвійній логарифмічній шкалі, при вищевказаних температурах та діапазони їхніх допустимих розкидів зображені на рис. 3.2.2.

Размещено на http://www.allbest.ru/

1

Размещено на http://www.allbest.ru/

Рисунок 3.2.2 - Типові вольт-амперні характеристики ФД

3.3 Вимірювання струмової монохроматичної чутливості та дослідження відносної спектральної характеристики чутливості ФД

Контроль струмової монохроматичної чутливості ФД S_Iл на довжині хвилі оптичного випромінювання 0,9±0,025 мкм здійснювався на установці, блок-схема якої наведена на рисунку 3.3.1, методом порівняння струмової монохроматичної чутливості ФД, що випробовується, зі струмовою монохроматичною чутливістю еталонного ФД. В якості еталонного ФД використовувався атестований ФД типу ФД 288.

Вимірювання здійснювалось з використанням зондового пристрою та координатного столика. Опір навантаження ФД - 50 Ом ± 1%. Частота модульованого потоку випромінювання f_мод = (1 ± 0,2) кГц. Потужність випромінювання - 10^-4 - 10^-6 Вт.

Размещено на http://www.allbest.ru/

1

Размещено на http://www.allbest.ru/

1 - блок живлення випромінювача Б5-45; 2 - блок живлення ФД Б5-44; 3 - блок живлення широкополосного підсилювача АДБ 161.30.00; 4 - генератор імпульсів Г5-72; 5 - випромінювач АДБ 161.10.00-01; 6 - ФД, що випробовується з зондовим пристроєм; 7 - координатний столик; 8 - широкополосний підсилювач АДБ 161.40.00; 9 - осцилограф С1-64.

Рисунок 3.3.1 - Блок-схема установки для контролю струмової монохроматичної чутливості S_Iл

Випромінювач разом з оптичною системою забезпечували освітлення тільки ФЧЕ ФД. Наведення світлового зонда випромінювача на ФЧЕ ФД, що випробовується, здійснювалось за допомогою координатного столика. Осцилографом вимірювалась напруга фотосигналу на виході еталонного ФД (U_ет), а потім, не змінюючи режиму живлення випромінювача, вимірювалась напругу на виході ФД, що випробовувався, (U).

Величина струмової монохроматичної чутливості ФЧЕ S_I, А / Вт, розраховувалась за формулою

(3.3.1)

де S_Iет - струмова монохроматична чутливість еталонного ФД, А / Вт;

U - напруга фотосигналу ФЧЕ випробовуваного ФД, мВ;

U_ет - напруга фотосигналу еталонного ФД, мВ.

Типові значення сирумової монохроматичної чутливості складали 0,18 - 0,20 А / Вт.

Похибка вимірювання струмової монохроматичної чутливості не перевищувала ± 15%.

Відносна спектральна характеристика чутливості ФД визначалась згідно ГОСТ 17772 в спектральному діапазоні від 0,4 до 1,0 мкм через 20 нм.

Фокусуючою оптичною системою формувався світловий зонд діаметром ~ 0,5 мм. Селективний вольтметр налагоджувався на робочу частоту модулятора 1000 Гц. Вимірювання здійснювались на змінному потоці. Спочатку вимірювалась величина фотонапруги на опорі навантаження в діапазоні 0,4 - 1,0 мкм для контрольного ФД-288, а потім для досліджуваного ФД.

Значення відносної спектральної чутливості досліджуваного ФД S_{відн.(л)} у відносних одиницях на довжині хвилі л визначається за формулою

S_{відн. (л)} = S_л// S_{л макс,} (3.3.2)

де S_л - монохроматична чутливість досліджуваного ФД на довжині хвилі л, А / Вт;

S_{л макс} - монохроматична чутливість досліджуваного ФД в максимумі спектральної чутливості, А / Вт.

Типова форма відносної спектральної характеристики чутливості досліджуваного ФД приведена на рис. 3.3.3.

Похибка визначення відносної спектральна характеристика чутливості ФД складала ±17%.

Размещено на http://www.allbest.ru/

1

Размещено на http://www.allbest.ru/

Рисунок 3.3.3 - Типова відносна спектральна характеристика чутливості ФД

3.4 Вимірювання часу наростання та спаду фотоструму ФД по рівню 0,1 - 0,9

Вимірювання часу наростання та спаду фотоструму ФД по рівню 0,1 - 0,9 (ф0,1-0,9) S_Iл на довжині хвилі оптичного випромінювання 0,9 ± 0,025 мкм здійснювався на установці, блок-схема якої наведена на рисунку 3.3.1, методом порівняння часу наростання (спаду) ФД, що випробовується, з часом наростання еталонного ФД. В якості еталонного ФД використовувався атестований ФД типу ФД-255, що мав час наростання на опорі навантаження 500 Ом 10 нс. Основною проблемою було те, що випромінювач мав фронт наростання імпульсу 14 нс. Швидшого випромінювача, на жаль, немає. Крім того, добавку до вимірюваного значення часу наростання (спаду) ФД, давали з'єднувальні дроти.

Спочатку вимірювався за показами осцилографа суммарний час наростання вихідного сигналу (ф_сум) попередньо атестованого на опорі навантаження 500 Ом контрольного ФД-255, що мав власний час наростання ф_{0,1-0,9 контр.} = 10 нс. Сумарний час наростання контрольного ФД описується виразом

, (3.4.1)

де ф_{тр. еф.} - эффективний час вимірювального тракту.

З формули (3.4.1) вираховується эффективний час вимірювального тракту (ф_тр.еф.), тобто вплив на вимірювання випромінювача та з'єднувальних дротів

Не змінюючи випромінюваного потоку, опромінювався досліджуваний ФД. По екрану осциллографа визначався сумарний час наростання (спаду) досліджуваного ФД (ф_{сум.досл.}).

Суммарний час наростання (спаду) досліджуваного ФД описується виразом

, (3.4.2)

З формули (3.4.2), з урахуванням вирахуваного значення ф_тр.еф., визначався час наростання (спаду) досліджуваного ФД (ф_0,1-0,9).

Отримані значення час наростання (спаду) досліджуваного ФД виявились близькими до теоретично розрахованих значень. Причому, час спаду був дещо більшим часу наростання.

Похибка визначення часу наростання (спаду) досліджуваного ФД складала ±15%.

3.5 Вимірювання ємності ФД

Вимірювання ємності ФД здійснювалось на установці, структурна схема якої приведена на рисунку 3.5.1.

Размещено на http://www.allbest.ru/

1

Размещено на http://www.allbest.ru/

1 - світлонепроникний екран; 2 - ФД, що досліджується з контактуючим пристроєм; 3 - вимірювач L, C, R E7-12; 4 - блок живлення Б5-43 (Б5-44); 7 - вольтметр постійного струму В7-21

Рисунок 3.5.1 - структурна схема установки для вимірювання ємності

Вимірювання здійснювалось таким чином: спочатку вимірювалась ємність вимірювального тракту в пікофарадах, а потім ємність вимірювального тракту зі втановленим у контактуючий пристрій ФД, що досліджувався.

Ємність ФД, С, пФ, визначалась за формулою

(3.5.1)

де С_заг - ємність вимірювального тракту зі встановленим ФД, пФ;

С_уст - ємність вимірювального тракту ємність, пФ.

Значення ємності при 0 В складала приблизно 4,4 пФ, при 10 В-приблизно 20 пФ. Але при цьому похибка вимірювання зростала.

Похибка вимірювання ємності ФД при 0 В складала 15%.

Висновки

В результаті проведених досліджень можливості реалізації вимог технічного завдання було встановлено, що оптимальним для розробки та виготовлення безкорпусного чотириелементного швидкодіючого фотодіода є використання кремнієвих монокристалічних епітаксійних пластин типу ВКС згідно ТУ 48-0533-005. Розрахунки показали можливість реалізації вимог як по струмовій монохроматичній чутливості, так і по швидкодії ФД. Невисоке значення чуливості (0,15 А / Вт) дозволило використати пластину з товщиною високоомного шару 20 мкм. Питомий опір високоомного шару - 600 Ом·см. Генерація носіїв заряду в високоомному шарі дозволила швидко (методом дрейфу) доставляти їх до p⁺-n-переходу, що й забезпечило швидкодію ФД. Якби стояло завдання отримання вищої чутливості - слід було б використати пластини з товстішим епітаксійним шаром.

Виготовлені ФД були досліджені на предмет виконання технічного завдання. Вимірювання параметрів та характеристик розробленого фотодіода підтвердили повне виконання тпоставленого технічного завдання.

Загальний висновок - оптимальним для виготовлення чотириелементних швидкодіючих фотодіодів є використання епітаксійних кремнієвих пластин з тонким високоомним шаром.

Література

фотодіод перехід фотоефект

1. И.Д. Анисимова, И.М. Викулин Полупроводниковые фотоприемники. Москва: Радио и связь, 1984. Стор. 2, стор. 47 - 65, стор. 94 -95, стор. 61, стор. 14.

2. В.Г. Дулин Электронные приборы. Москва: Энергия, 1977. Стор. 371.

3. М.А. Тришенков, А.И. Фример Полупроводниковые приборы и их применение, Москва: Советское радио, 1971. вып. 25. Стор. 161 - 162.

4. Р. Маллер, Т. Кейминс. Элементы интегральных схем. Москва: Мир, 1989. Стор. 45, стор. 288, стор. 296, стор. 486-487.

5. Т.Н. Крылова. Интерференционные покрытия. Ленинград: Машиностроение, 1973. Стор. 27.

6. Уиллардсон Р. Оптические свойства полупроводников. Моска: Мир, 1970. Стор. 488, стор. 321.

7. Гауэр Д. Оптические системы связи. Москва: Радио и связь, 1989. Стор. 313.

8. Зи С. Физика полупроводниковых приборов: Москва: Мир, 1984. Стор. 341.

9. П.Г. Орешкин. Физика полупроводников и диэлектриков. Москва: Высшая школа. Стор. 198, стор. 200, стор. 89, стор. 198.

10. А. ван дер Зил. Шумы при измерениях. Москва: Мир. Стор. 164.

Размещено на Allbest.ru