Химические и полупроводниковые лазеры. Лазеры на центрах окраски
Механизм возникновения инверсной населенности. Особенности генерации в химических лазерах, способы получения исходных компонентов. Активная среда лазеров на центрах окраски, типы используемых кристаллов. Основные характеристики полупроводниковых лазеров.
Рубрика | Физика и энергетика |
Вид | презентация |
Язык | русский |
Дата добавления | 19.02.2014 |
Размер файла | 65,5 K |
Соглашение об использовании материалов сайта
Просим использовать работы, опубликованные на сайте, исключительно в личных целях. Публикация материалов на других сайтах запрещена.
Данная работа (и все другие) доступна для скачивания совершенно бесплатно. Мысленно можете поблагодарить ее автора и коллектив сайта.
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Подобные документы
Активная среда лазеров на красителях, схема их накачки и генерации. Системы оптической накачки в рубиновых лазерах. Особенности перемещения электронов в неодимовых лазерах. Механизм процесса сенсибилизации. Принцип действия лазера на александрите.
презентация [59,0 K], добавлен 19.02.2014Создание дефектов в кристаллах и появление в запрещенной зоне определенных полос поглощения. Недостаток радиационного способа. Фотохимическая и термическая обработка кристаллов. Перевод электрона на уровень энергии, обусловленный наличием F-центра.
презентация [34,0 K], добавлен 19.02.2014Применение излучения эксимерных лазеров. Классификация молекул рабочего вещества. Процесс получения генерации. Охлаждение, вентиляция и очистка рабочего газа. Накачка электронным пучком или электрическим разрядом. Коммерческие модели эксимерных лазеров.
учебное пособие [555,6 K], добавлен 27.11.2009Понятие, классификация лазеров по признакам, характеристика основных параметров, их преимущества. Причины конструкции лазеров с внешним расположением зеркал. Описание физических процессов в газовых разрядах, способствующих созданию активной среды.
реферат [594,8 K], добавлен 13.01.2011Лазерная обработка металлов. Лазерная связь и локация. Лазерные системы навигации и обеспечения безопасности полетов. Лазерные системы управления оружием. Газовые, полупроводниковые, жидкостные, газодинамические, кольцевые лазеры.
реферат [5,7 K], добавлен 10.05.2004Рассмотрение специфики оптической накачки активной среды лазера. Описание квантовых приборов с оптической накачкой, работающих по трёхуровневой и четырёхуровневой схеме. Параметрическая генерация света. Принцип действия полупроводниковых лазеров.
контрольная работа [442,2 K], добавлен 20.08.2015Характеристики полупроводниковых материалов и источников излучения. Соединение источника с волокном. Конструкции одномодовых лазеров, особенности РБО-лазеров. Расчет параметров многомодового лазера с резонатором Фабри-Перо. Светоизлучающие диоды (СИД).
реферат [561,8 K], добавлен 11.06.2011Принцип действия и разновидности лазеров. Основные свойства лазерного луча. Способы повышения мощности лазерного излучения. Изучение особенностей оптически квантовых генераторов и их излучения, которые нашли применение во многих отраслях промышленности.
курсовая работа [54,7 K], добавлен 20.12.2010Эксимерные молекулы и плазмо-химические реакции. Упрощенная модель кинетики образования XeCl молекулы. Механизмы возбуждения эксимерных лазеров элекронным пучком и разрядом. Общая характеристика систем предыонизации. Формирование качественного излучения.
дипломная работа [2,6 M], добавлен 29.11.2014Условие создания инверсии населённостей. Особенности накачки активных сред газовых лазеров в газоразрядной плазме, ударным возбуждением и ион-ионной рекомбинацией, в химической реакции, из нагретых до высокой температуры молекул газа, излучением.
контрольная работа [630,9 K], добавлен 20.08.2015