реферат  Фазовые равновесия в системе Zn-Ge-As по разрезу ZnAs2-Ge

Исследование особенностей полупроводниковых материалов, которые содержат бистабильные амфотерные центры. Характеристика этапов построения тройной диаграммы состояния Zn-Ge-As, вызванного образованием в ней тройного полупроводникового соединения ZnGeAs2.

Нажав на кнопку "Скачать архив", вы скачаете нужный вам файл совершенно бесплатно.
Перед скачиванием данного файла вспомните о тех хороших рефератах, контрольных, курсовых, дипломных работах, статьях и других документах, которые лежат невостребованными в вашем компьютере. Это ваш труд, он должен участвовать в развитии общества и приносить пользу людям. Найдите эти работы и отправьте в базу знаний.
Мы и все студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будем вам очень благодарны.

Чтобы скачать архив с документом, в поле, расположенное ниже, впишите пятизначное число и нажмите кнопку "Скачать архив"

 _  _     ___   ______  _  _     ___  
| || |   / _ \ |____  || || |   / _ \ 
| || |_ | | | |    / / | || |_ | | | |
|__   _|| | | |   / /  |__   _|| | | |
   | |  | |_| |  / /      | |  | |_| |
   |_|   \___/  /_/       |_|   \___/ 
                                      
                                      

Введите число, изображенное выше:

Рубрика Физика и энергетика
Вид реферат
Язык русский
Дата добавления 25.06.2010
Размер файла 275,9 K

Подобные документы

  • Понятие фазового перехода и твердой растворимости. Типы фазовых диаграмм. Системы, их значение в микроэлектронике. Фазовые диаграммы, в которых в качестве одной из компонент фигурирует именно кремний. Двухфазная диаграмма и процесс отвердевания.

    реферат [1,1 M], добавлен 23.06.2010

  • Определение тока утечки, мощности потери, удельных диэлектрических потерь при включении образца на переменное напряжение. Классификация и основные свойства полупроводниковых материалов. Физический смысл и область использования магнитных материалов.

    контрольная работа [93,7 K], добавлен 28.10.2014

  • Методы и средства изучения свойств наноструктур. Экспериментальное исследование электрофизических параметров полупроводниковых материалов. Проведение оценочных расчетов теоретического предела минимального размера изображения, получаемого при литографии.

    дипломная работа [810,6 K], добавлен 28.03.2016

  • Экстремальные свойства термодинамических потенциалов. Условия равновесия и устойчивости пространственно однородной системы. Общие условия равновесия фаз в термодинамических системах. Фазовые переходы.

    лекция [153,2 K], добавлен 25.07.2007

  • Понятие полупроводникового диода. Вольт-амперные характеристики диодов. Расчет схемы измерительного прибора. Параметры используемых диодов. Основные параметры, устройство и конструкция полупроводниковых диодов. Устройство сплавного и точечного диодов.

    курсовая работа [1,0 M], добавлен 04.05.2011

  • Знакомство с частотными характеристиками последовательного соединения индуктивности и емкости. Рассмотрение особенностей схемы параллельной резонансной цепи, способы построения. Анализ векторной диаграммы токов и приложенного напряжения при резонансе.

    презентация [177,3 K], добавлен 19.08.2013

  • Описание адиабатически изолированной системы. Изменения энтропия азота в изохорном процессе. Фазовые равновесия и фазовые переходы. Элементы технической термодинамики, понятие об идеальных и неидеальных растворах. Расчет КПД двигателя Стирлинга.

    контрольная работа [263,2 K], добавлен 24.05.2015

  • Этапы разработки полупроводникового преобразователя, работающего в выпрямительном и инверторном режиме. Выбор и обоснование схемы соединения вентилей. Основные соотношения, характеризующие трёхфазную мостовую схему трансформатора. Расчёт ударного тока.

    курсовая работа [325,0 K], добавлен 08.01.2011

  • Полупроводниковое аппаратостроение на основе силовой электроники. Преимущества и недостатки силовых полупроводниковых аппаратов, требования к ним в эксплуатационных режимах. Современная силовая электроника. Разработки силовых полупроводниковых приборов.

    курсовая работа [2,3 M], добавлен 10.06.2014

  • Физические основы и практические результаты использования проникающих излучений в технологии ядерного легирования полупроводниковых материалов. Их применение в производстве полупроводниковых приборов, мощных кремниевых диодов, тиристоров и транзисторов.

    курсовая работа [1,9 M], добавлен 08.06.2015

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.